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大面積碳化硅紫外可見(jiàn)盲雪崩光電二極管
河北半導(dǎo)體研究所報(bào)道了一種大面積800μm直徑的4H－多型碳化硅（SiC）紫外（UV）雪崩光電二極管（APD），其具有高增益（106），高量子效率（81．5％）和低暗電流強(qiáng)度，紫外／可見(jiàn)光抑制比高達(dá)103。在本研究中，第一次使用可變溫度光致抗蝕劑回流技術(shù)來(lái)產(chǎn)生平滑的斜面?zhèn)缺?，其抑制漏電流并避免過(guò)早的...
2018-11-01
碳化硅 雪崩 光電二極管
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群英薈萃 第92屆中國(guó)電子展盛大開(kāi)幕！
2018年10月31日，中國(guó)電子第一大展——“第92屆中國(guó)電子展”在上海新國(guó)際博覽中心盛大開(kāi)幕。本次展會(huì)以“信息化帶動(dòng)工業(yè)化，電子技術(shù)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級(jí)”為主題，展會(huì)面積近40000平方米，來(lái)自電子產(chǎn)業(yè)鏈上中下游的1000家展商盛裝出席，并有40000余名買家和專業(yè)觀眾現(xiàn)場(chǎng)觀展，共同打造了一場(chǎng)電子行業(yè)年度盛會(huì)！
2018-11-01
中國(guó)電子展 電子產(chǎn)業(yè)鏈
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詳解多角度講解高精度 SAR ADC的抗混疊濾波考慮因素
在物聯(lián)網(wǎng)和云計(jì)算成為生活一部分，在行業(yè)媒體大肆宣揚(yáng)之際，通過(guò)采用最先進(jìn)的技術(shù)和優(yōu)化設(shè)計(jì)，老式電子元件并未停止前進(jìn)的步伐。其中一個(gè)例子是模數(shù)轉(zhuǎn)換器，該器件現(xiàn)在可以超過(guò)每秒一兆次采樣(MSPS)的速率實(shí)現(xiàn)32位分辨率，輕松通過(guò)傳統(tǒng)的計(jì)量基準(zhǔn)測(cè)試。
2018-11-01
高精度 SAR ADC 混疊濾波
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功率MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)詳解
以下將詳細(xì)介紹功率MOSFET最基礎(chǔ)的知識(shí)，包括：什么是MOSFET，MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、基本特性、幾個(gè)常用參數(shù)、選型原則等，保證大家看完就懂！
2018-11-01
MOSFET
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全面講解電磁干擾，值得學(xué)習(xí)
這里講全面講解有關(guān)電磁干擾的存在方式、類型、對(duì)設(shè)備工作的影響、屏蔽方法、EMC問(wèn)題來(lái)源、金屬屏蔽效率、EMI抑制策略等等，值得大家學(xué)習(xí)。
2018-11-01
電磁干擾 EMC EMI
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采用ADN8831芯片的激光器溫控電路的設(shè)計(jì)
通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體激光器特性的研究，可知溫度對(duì)激光器的正常工作有著重要的影響。溫度會(huì)直接影響到半導(dǎo)體激光器的工作參數(shù)包括：閾值電流、V-I 關(guān)系、輸出波長(zhǎng)、P-I 關(guān)系等。同時(shí)高溫也會(huì)對(duì)激光器產(chǎn)生極大的影響，嚴(yán)重影響其使用壽命和效率。
2018-11-01
ADN8831 芯片 激光器 溫控電路
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MOSFET開(kāi)關(guān)問(wèn)題詳細(xì)解析
我們先來(lái)看以下問(wèn)題：為什么在Vce下降前ic就開(kāi)始上升了呢？在t0到t1和t2到t3這段時(shí)間內(nèi)是開(kāi)關(guān)管的哪個(gè)時(shí)期呢？首先我們來(lái)解釋問(wèn)題，為什么在Vce下降前ic就開(kāi)始上升了呢？
2018-10-31
MOSFET 開(kāi)關(guān)
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