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選擇LDO時(shí)的主要考慮因素和挑戰(zhàn)
低壓差(LDO)穩(wěn)壓器在智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備和其他便攜式小型設(shè)備等現(xiàn)代電子產(chǎn)品中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。由于其效率和可靠性,它們?cè)谙到y(tǒng)級(jí)芯片(SoC)架構(gòu)中的集成變得越來(lái)越普遍。然而,片上LDO選項(xiàng)和特性種類繁多,使得選擇過(guò)程變得十分復(fù)雜。
2024-09-18
LDO
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兩張圖說(shuō)清楚共射極放大器為什么需要發(fā)射極電阻
共射極(CE)放大器的發(fā)射極電阻是設(shè)定放大器增益的重要組件之一。它通過(guò)限制對(duì)放大器級(jí)的負(fù)反饋量來(lái)實(shí)現(xiàn)這一功能。簡(jiǎn)而言之,發(fā)射極旁路電容器通過(guò)抑制反饋來(lái)增加放大器的增益。
2024-09-18
共射極放大器 射極電阻
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使用 PLECSPIL 開發(fā)嵌入式控件
MCU 在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中起著至關(guān)重要的作用。人們不斷追求使電源轉(zhuǎn)換器更高效、更緊湊、更智能、更便宜,這就需要使用只能以數(shù)字方式執(zhí)行的高度復(fù)雜的控制和信號(hào)處理算法。MCU 通??梢匀〈鄠€(gè)分立元件,在某些情況下甚至可以消除對(duì)某些傳感器的需求。專用于電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的 MCU 的價(jià)格已經(jīng)下降到即使...
2024-09-17
PLECSPIL 嵌入式控件
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關(guān)于藍(lán)牙信道探測(cè)的簡(jiǎn)短設(shè)計(jì)教程
到目前為止,藍(lán)牙 RSSI 依靠估算來(lái)確定位置,這會(huì)導(dǎo)致多路徑和障礙物等問(wèn)題。這反過(guò)來(lái)又會(huì)大大降低準(zhǔn)確性。藍(lán)牙信道探測(cè)通過(guò)將精度提高到亞米級(jí)來(lái)解決此問(wèn)題。“藍(lán)牙 SIG 采用信道探測(cè)顯著提高了以前的藍(lán)牙測(cè)距技術(shù)的精度,并鼓勵(lì)了整個(gè)藍(lán)牙設(shè)備生態(tài)系統(tǒng)的創(chuàng)新?!盢ordic Semiconductor 短距離業(yè)務(wù)部...
2024-09-16
藍(lán)牙信道探測(cè)
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“環(huán)抱”晶體管與“三明治”布線
今天,我們將介紹英特爾的兩項(xiàng)突破性技術(shù):RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。這兩項(xiàng)技術(shù)首次成功集成于Intel 20A制程節(jié)點(diǎn),也將用于Intel 18A。
2024-09-16
晶體管
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電源效率測(cè)試
效率是電源測(cè)試中十分常見(jiàn)的測(cè)試項(xiàng),高效的電源表現(xiàn)是眾多廠家一直追求的目標(biāo)。在芯片的規(guī)格書中,通常都會(huì)提供幾種常見(jiàn)的輸入輸出應(yīng)用下的效率曲線。當(dāng)實(shí)際的應(yīng)用范圍與規(guī)格書上不同,或者在demo板的基礎(chǔ)上我們進(jìn)行了其它改動(dòng)的時(shí)候,就需要重新進(jìn)行效率測(cè)試。
2024-09-16
電源效率
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MEMS 麥克風(fēng)中 PDM 和 I2S 數(shù)字輸出接口的比較和選擇
本文將詳細(xì)討論脈沖密度調(diào)制 (PDM) 和集成電路內(nèi)置音頻 (I2S) 兩種數(shù)字接口,簡(jiǎn)介它們的獨(dú)特特性以及在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)的優(yōu)缺點(diǎn)。工程師具體選擇哪一種,將取決于對(duì)兩種技術(shù)的研究,并要了解哪種協(xié)議對(duì)于特定應(yīng)用更適合。
2024-09-15
MEMS 麥克風(fēng) PDM I2S 數(shù)字輸出接口
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用于測(cè)試汽車逆變器的主動(dòng)電機(jī)仿真
作為電池模擬器,可以使用標(biāo)準(zhǔn)電源。通過(guò)適當(dāng)控制電機(jī)模擬器,相電流通過(guò)相線圈從 DUT 流向模擬器,并通過(guò) DC-Link 流回 DUT,反之亦然。因此,DC-Link受到實(shí)際電流的壓力,但由于能量在兩個(gè)逆變器之間流動(dòng),因此電池模擬只需為整個(gè)系統(tǒng)的損耗提供能量。這是重要的好處之一:可以使用相對(duì)較小的電源...
2024-09-15
汽車逆變器 測(cè)試 電機(jī)仿真
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電氣負(fù)載模擬器
電氣負(fù)載仿真的概念涉及控制電力電子轉(zhuǎn)換器,使其行為類似于實(shí)際電氣負(fù)載。例如,電壓源逆變器 (VSI) 可以仿真感應(yīng)電機(jī)。在不同情況下,負(fù)載仿真器的使用至關(guān)重要。它有助于分析在各種負(fù)載條件和環(huán)境下將多臺(tái)機(jī)器連接到電網(wǎng)的可行性。的部分是,這可以在沒(méi)有任何機(jī)電機(jī)械的情況下完成。負(fù)載仿真器可...
2024-09-15
電氣 負(fù)載模擬器
- 半導(dǎo)體后端工藝 第十一篇(完結(jié)篇):半導(dǎo)體封裝的可靠性測(cè)試及標(biāo)準(zhǔn)
- 艾邁斯歐司朗亮相2024 CIOE,多款創(chuàng)新產(chǎn)品引領(lǐng)光電新潮
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- Nexperia現(xiàn)提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封裝的汽車級(jí)小信號(hào)MOSFET
- TDK針對(duì)高動(dòng)態(tài)工業(yè)應(yīng)用推出閉環(huán)數(shù)字加速度計(jì)Tronics AXO314
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- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Toshiba多樣化電子元器件和半導(dǎo)體產(chǎn)品
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