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使用最新的SiC FET技術(shù)提升車載充電器性能
碳化硅FET已經(jīng)在車載充電器（OBC）電路領(lǐng)域確立了自身地位，尤其是在電池工作電壓超過500V的情況下。這些器件的低功率損耗使得穿孔封裝和表面安裝式封裝都可以用于此應(yīng)用。我們調(diào)查了這些封裝選項(xiàng)的相對(duì)熱性能，并證實(shí)了TO247-4L和D2PAK-7L選項(xiàng)可用于6.6 kW和22 kW充電器。
2022-03-15
SiC FET 車載充電器 性能
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電源設(shè)計(jì)：如何利用波特圖來(lái)滿足動(dòng)態(tài)控制行為的要求
本文介紹如何利用波特圖來(lái)快速評(píng)估您的電源設(shè)計(jì)是否滿足動(dòng)態(tài)控制行為要求。電源通常通過控制環(huán)路保持固定的輸出電壓。這個(gè)控制環(huán)路可能穩(wěn)定，也可能不穩(wěn)定；可以快速調(diào)節(jié)，也可以慢速調(diào)節(jié)。在大多數(shù)情況下，都可以使用波特圖來(lái)描述控制環(huán)路。通過使用波特圖，您可以查看控制環(huán)路的速度，特別是其調(diào)...
2022-03-14
電源設(shè)計(jì) 波特圖 動(dòng)態(tài)控制
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HT7181 3.7V/7.4V升16V內(nèi)置MOS大功率升壓IC解決方案
DC-DC升壓電路在電子電路中是很常見的，無(wú)論是匹配不同器件的工作電壓需要還是為了提高足夠的輸出功率，都必須用到升壓電路。特別是便攜式的電子產(chǎn)品，電源是電池供電，如單雙節(jié)鋰電、三節(jié)鋰電或鉛酸電池12V。通過DC-DC升壓電路，升壓后給其他電路供電。
2022-03-14
HT7181 DC-DC升壓電路 解決方案
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第4代SiC MOSFET為何備受青睞？
近年來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)“碳中和”等減輕環(huán)境負(fù)荷的目標(biāo)，需要進(jìn)一步普及下一代電動(dòng)汽車（xEV），從而推動(dòng)了更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)系統(tǒng)的開發(fā)。尤其是在電動(dòng)汽車（EV）領(lǐng)域，為了延長(zhǎng)續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅(qū)動(dòng)核心作用的電控系統(tǒng)的效率已成為一個(gè)重要課題。SiC（碳化硅）作為新一...
2022-03-14
SiC MOSFET 電動(dòng)汽車
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如何設(shè)計(jì)小型USB-C PD和PPS適配器
對(duì)于產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程師來(lái)說，如何提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力是他們面對(duì)的核心挑戰(zhàn)。充電器和適配器要越做越小；能夠?yàn)橹悄苁謾C(jī)、平板電腦、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供完整的USB-C功率傳輸(PD)、數(shù)字控制電源(PPS)功能；充電時(shí)間要越來(lái)越短。眾所周知，設(shè)計(jì)更小巧的充電器和適配器的關(guān)鍵在于減少元件數(shù)量和最...
2022-03-11
USB-C PD PPS 適配器
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這款DC/DC轉(zhuǎn)換器在待機(jī)模式下僅消耗約65 nA電流
本文將介紹一類新的DC-DC轉(zhuǎn)換器，其中一個(gè)例子是LTC3336。它在待機(jī)模式下僅消耗約65 nA的電流，非常適合電池供電系統(tǒng)。
2022-03-11
DC/DC轉(zhuǎn)換器 待機(jī)模式 消耗電流
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安森美入選《投資者商業(yè)日?qǐng)?bào)》2021年ESG最佳表現(xiàn)百?gòu)?qiáng)企業(yè)榜單
2022年3月10日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布其在ESG方面的努力獲得認(rèn)可入選《投資者商業(yè)日?qǐng)?bào)》(Investor’s Business Daily或IBD) 2021年ESG最佳表現(xiàn)百?gòu)?qiáng)企業(yè)榜單。該榜單彰顯在ESG評(píng)分領(lǐng)先和股票表現(xiàn)強(qiáng)勁的公司，安森美在2021年榜單中排名第49。
2022-03-11
安森美 ESG 百?gòu)?qiáng)企業(yè)
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充分挖掘SiC FET的性能
性能是一個(gè)主觀術(shù)語(yǔ)，它可以用許多你喜歡的方式衡量，但是在功率轉(zhuǎn)換界，它歸結(jié)為兩個(gè)相互依賴的主要值，即效率和成本?，F(xiàn)在，作為半導(dǎo)體開關(guān)材料，硅在導(dǎo)電和動(dòng)態(tài)損耗性能方面已經(jīng)到達(dá)了極限，這已經(jīng)是一個(gè)常識(shí)了，因此越來(lái)越多的人考慮采用碳化硅和氮化鎵寬帶隙技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的性能。這兩種材料...
2022-03-10
SiC FET 性能
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BMS電池管理系統(tǒng)SOC算法
隨著電池性能的大幅提升，越來(lái)越多的應(yīng)用使用電池包提供能量。在電池管理系統(tǒng)中，如何準(zhǔn)確地估算電池的 SOC 是設(shè)計(jì)者需要考慮的重點(diǎn)與難點(diǎn)。
2022-03-10
BMS 電池管理系統(tǒng) SOC算法
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