【導(dǎo)讀】先說(shuō)結(jié)論,如果條件允許還是很建議使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計(jì)的復(fù)雜度來(lái)說(shuō),很多工程師客戶(hù)希望不要使用負(fù)壓。下面我們從門(mén)極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來(lái)看這個(gè)問(wèn)題。
IGBT是一個(gè)受門(mén)極電壓控制開(kāi)關(guān)的器件,只有門(mén)極電壓超過(guò)閾值才能開(kāi)通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開(kāi)關(guān),在實(shí)際使用中會(huì)產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過(guò)米勒電容CCG電容產(chǎn)生分布電流灌入門(mén)極,使門(mén)極電壓抬升,可能導(dǎo)致原本處于關(guān)斷狀態(tài)的IGBT開(kāi)通,如圖1所示。電流變化di/dt可以通過(guò)發(fā)射極和驅(qū)動(dòng)回路共用的電感產(chǎn)生電壓,影響門(mén)極,如圖2。
圖1.米勒導(dǎo)通
圖2.發(fā)射極引線(xiàn)電感帶來(lái)的感生電動(dòng)勢(shì)
應(yīng)對(duì)米勒電流引起的誤導(dǎo)通,目前普遍的方法是用米勒鉗位,既在某個(gè)器件不需要開(kāi)通的時(shí)候給予一個(gè)低阻抗回路到電源參考地。如圖3,在IGBT處于關(guān)斷的時(shí)候,晶體管T受控導(dǎo)通,以實(shí)現(xiàn)門(mén)極GE之間低阻狀態(tài)。
圖3.米勒鉗位
對(duì)于電流變化di/dt作用于門(mén)極的情況,因?yàn)殚T(mén)極回路里包含有電感和G、E之間的電容,將構(gòu)成一個(gè)二階電路。一般正常情況下,門(mén)極電阻Rg>2√(L?C)。但是如果這時(shí)候使用了第一種方案中的米勒鉗位電路,那么會(huì)形成一個(gè)低阻尼的二階回路,從而是門(mén)極的電壓被抬得更高。
我們用圖4的波形來(lái)說(shuō)明門(mén)極產(chǎn)生的寄生電壓現(xiàn)象。仿真在半橋電路下進(jìn)行,其中綠色的第4通道,紅色的第2通道以及藍(lán)色的第3通道分別是開(kāi)通IGBT的門(mén)極電壓、IC電流以及VCE電壓。而黃色的第1通道是同一橋臂上對(duì)管的門(mén)極電壓,可以看到有兩個(gè)正向的包和一個(gè)負(fù)向的坑。其中第1個(gè)包和第1個(gè)坑就是由于發(fā)射極的電感引起的,在時(shí)序正好對(duì)應(yīng)了兩次電流的變化。而第2個(gè)包則是由dvCE/dt帶來(lái)的寄生影響,可以通過(guò)米勒鉗位來(lái)抑制,也可以用關(guān)斷負(fù)壓解決。但對(duì)于前兩個(gè)尖峰,用米勒鉗位效可能會(huì)使峰值更高。圖5(a)和(b)分別是無(wú)米勒鉗位和有米勒鉗位的波形,從橘色的波形表現(xiàn)來(lái)看,用米勒鉗位對(duì)解決米勒導(dǎo)通非常有效,但對(duì)寄生電感引起的門(mén)極電壓尖峰則效果不佳。特別是第2個(gè)向下的峰值很重要,我們接著分析。
圖4.實(shí)測(cè)門(mén)極寄生電壓
圖5(a) 無(wú)miller鉗位
圖5(b) 使用miller鉗位
由于受模塊內(nèi)部發(fā)射極綁定線(xiàn)的影響,上面的測(cè)量都是在外部端子上的,內(nèi)部G、E上到底如何呢?我們將借助仿真來(lái)展現(xiàn)。圖6和圖7分別是仿真電路測(cè)試點(diǎn)和測(cè)得的內(nèi)部電壓波形??梢钥匆?jiàn)內(nèi)部門(mén)極電容上的電壓和外部測(cè)得的剛好是相反的。之前那個(gè)向下的尖峰才是真正會(huì)帶來(lái)門(mén)極電壓提高的關(guān)鍵!
圖6.仿真電路
圖7.仿真波形
那加上米勒鉗位功能后效果怎么樣呢?請(qǐng)參考圖8,實(shí)線(xiàn)是用了miller功能的,虛線(xiàn)是沒(méi)有用miller功能的,峰值更大,增加了寄生導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)??磥?lái)米勒鉗位無(wú)法解決di/dt引起的寄生導(dǎo)通問(wèn)題。這種情況下,只能仰仗負(fù)壓關(guān)斷,或者增大Rg來(lái)放慢di/dt了。
圖8.米勒鉗位使用與否的仿真對(duì)比
在實(shí)際產(chǎn)品中,特別是小功率的三相橋模塊產(chǎn)品,基本發(fā)射極都不是Kelvin結(jié)構(gòu),連接結(jié)構(gòu)復(fù)雜,如圖9所示,非常容易出現(xiàn)di/dt引起的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象。好在這種小模塊使用的時(shí)候都會(huì)加上不小的門(mén)極電阻,從而限制了開(kāi)關(guān)斜率。而大功率模塊一般都會(huì)有輔助Emitter腳,驅(qū)動(dòng)回路里不會(huì)出現(xiàn)大電流疊加。
圖9.實(shí)際三相橋模塊的內(nèi)部電感分布示意圖
總結(jié)一下,對(duì)于米勒電流引起的寄生導(dǎo)通,在0V關(guān)斷的情況下,可以使用米勒鉗位來(lái)抑制。當(dāng)出現(xiàn)非米勒電流引起的寄生導(dǎo)通時(shí),如果不想減慢開(kāi)關(guān)速度增加損耗的話(huà),加個(gè)負(fù)壓會(huì)是一個(gè)極其便利的手段。
免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀:
CTSD精密ADC—利用異步采樣速率轉(zhuǎn)換(ASRC)簡(jiǎn)化數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)接口
RF通信的數(shù)字預(yù)失真:從數(shù)學(xué)運(yùn)算等式到解決方案的實(shí)現(xiàn)
可輕松實(shí)現(xiàn)無(wú)線(xiàn)供電功能的13.56MHz無(wú)線(xiàn)充電模塊