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如何通過(guò)能量收集技術(shù)延長(zhǎng)無(wú)線(xiàn)傳感器節(jié)點(diǎn)的電池續(xù)航？
無(wú)線(xiàn)傳感器節(jié)點(diǎn)正越來(lái)越多地應(yīng)用于我們的日常生活中，因?yàn)樗鼈冞m合在多種多樣以及難以到達(dá)的環(huán)境中使用。它們不需要接通電源，因?yàn)樗鼈兺ǔ６歼B接到電池。
2021-10-20
無(wú)線(xiàn)傳感器 電池續(xù)航
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【技術(shù)大咖測(cè)試筆記系列】之八：低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征
半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產(chǎn)生。
2021-10-20
低功率 MOSFET 泰克科技
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IOTE物聯(lián)網(wǎng)展參觀指南丨面對(duì)面對(duì)接最優(yōu)秀的企業(yè)，聽(tīng)最前沿的會(huì)議！
最近10年，市場(chǎng)熱點(diǎn)層出不窮，但是IoT始終占據(jù)一席之地，智能家居、智慧城市、AI、新零售、NB-IoT、5G、無(wú)源物聯(lián)網(wǎng)等等，都是IoT大產(chǎn)業(yè)的一個(gè)分支，可以說(shuō)，IoT，是未來(lái)數(shù)十年的大趨勢(shì)，萬(wàn)億級(jí)市場(chǎng)也不會(huì)是夸張的數(shù)字。
2021-10-20
IOTE物聯(lián)網(wǎng) 智慧城市 AI
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電源適配器噪聲產(chǎn)生原因及解決措施
傳導(dǎo)干擾主要評(píng)估輸入和輸出線(xiàn)上流過(guò)的干擾噪聲。待測(cè)試的設(shè)備EUT通過(guò)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)LISN 連接到干凈的交流電源上。
2021-10-20
電源適配器 噪聲
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一款基于ARM控制的逆變器電源電路設(shè)計(jì)方案
本設(shè)計(jì)以 ARM 作為控制核心，結(jié)合推挽升壓電路和 SPWM 逆變電路，實(shí)現(xiàn)了將12VDC 輸入電壓轉(zhuǎn)換為110VAC 交流正弦電壓輸出。實(shí)驗(yàn)表明，該逆變器具有電壓紋波小、動(dòng)態(tài)響應(yīng)高和全數(shù)字等特點(diǎn)，能夠滿(mǎn)足實(shí)際需要。
2021-10-20
ARM控制 逆變器電源 電路設(shè)計(jì)
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650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比，國(guó)產(chǎn)器件重載時(shí)溫度更低
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場(chǎng)包括光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報(bào)告，電動(dòng)汽車(chē)充電市場(chǎng)的增長(zhǎng)將非常強(qiáng)勁，高達(dá)59%。
2021-10-20
SiC MOSFET高 PoE 智能樓宇 國(guó)產(chǎn)器件
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應(yīng)對(duì)一致性測(cè)試特定挑戰(zhàn)，需要可靠的PCIe 5.0 發(fā)射機(jī)驗(yàn)證
由于 5G 和IoT互聯(lián)設(shè)備及相關(guān)高帶寬要求預(yù)計(jì)將大幅度攀升，所以數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商需要遷移到帶寬更高的網(wǎng)絡(luò)，其中的帶寬要超過(guò)當(dāng)前通常使用的100 GB 以太網(wǎng) (100GE)。 遷移到下一代 400GE 網(wǎng)絡(luò)要求更快速的內(nèi)存和更高速的串行總線(xiàn)通信。除了把以太網(wǎng)接口升級(jí)到 400GE，服務(wù)器還需要采用速度更高的串行...
2021-10-20
PCIe 發(fā)射機(jī) 5G IoT 互聯(lián)設(shè)備
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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