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技術(shù)文章

連接SPI接口器件 - 第一部分

LEC2 Workbench系列技術(shù)博文主要關(guān)注萊迪思產(chǎn)品的應(yīng)用開發(fā)問題。這些文章由萊迪思教育能力中心（LEC2）的FPGA設(shè)計專家撰寫。LEC2是專門針對萊迪思屢獲殊榮的低功耗FPGA和解決方案集合的全球官方培訓服務(wù)供應(yīng)商。

2021-11-29

SPI接口器件

MOSFET性能改進：RDS(ON)的決定因素

許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結(jié)構(gòu)，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結(jié)構(gòu)。因此，當耐受電壓VDSS＝600V時，Rdrift成為主導(dǎo)因素，當耐受電壓是30V時，因素Rch的比例較高。

2021-11-29

MOSFET RDS

移動設(shè)備的 ESD 設(shè)計戰(zhàn)略：您的 SEED 工具

我們在第 1 部分介紹了 ESD 的基本概念以及系統(tǒng)高效 ESD 設(shè)計 (SEED)。本博客將為您介紹 SEED 工具箱中所有必要的部分。第 3 部分將介紹如何將 SEED 方法及建模和模擬一起用于優(yōu)化系統(tǒng)級手機設(shè)計。

2021-11-29

移動設(shè)備 ESD 設(shè)計戰(zhàn)略

做好準備：關(guān)于 ESD 和 RF 設(shè)備您需要了解什么

靜電放電 (ESD) 現(xiàn)象從一開始就存在。我們第一次接觸 ESD 往往是在孩童時代，在干燥的冬日觸碰金屬門把手時，會有種觸電的感覺——這就是靜電放電。這種短暫的不適感通常對人類來說不是問題，但是即使是少量的 ESD 也有可能會損毀敏感電路。

2021-11-29

ESD RF設(shè)備

重負載時中開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項

在重負載時，如果MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)時間trr較長，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關(guān)斷時，寄生雙極晶體管可能會誤導(dǎo)通，從而損壞MOSFET。這種問題發(fā)生在由關(guān)斷時產(chǎn)生的對漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發(fā)地導(dǎo)通（誤導(dǎo)通）、瞬間流過大電流時。

2021-11-29

重負載開關(guān)元件注意事項

IGBT的電流是如何定義的

IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了，但對于一位設(shè)計工程師是遠遠不夠的，而且業(yè)內(nèi)充滿著誤解和流言。

2021-11-29

IGBT 輸出電流定義

如何使用數(shù)字信號控制器構(gòu)建更好的汽車和電動汽車系統(tǒng)

傳統(tǒng)的汽車和電動汽車系統(tǒng)都依賴于無數(shù)電子設(shè)備的有效運行，以實現(xiàn)便利功能以及關(guān)鍵任務(wù)功能安全功能。雖然提出了各種各樣的要求，但這些不同的應(yīng)用從根本上要求能夠在極端條件下運行，同時提供可靠、高性能的實時響應(yīng)。

2021-11-26

數(shù)字信號控制器汽車系統(tǒng) 電動汽車系統(tǒng)

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