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SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓測試結(jié)果離譜的六大原因

發(fā)布時(shí)間:2022-06-06 來源:泰克科技 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一,由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評估時(shí)可以采用雙脈沖測試,而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直接測量在運(yùn)行中的變換器上的器件波形,為了得到正確的結(jié)論,獲得精準(zhǔn)的開關(guān)過程波形至關(guān)重要。


SiC MOSFET 相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度,同時(shí)還能夠降低系統(tǒng)成本,受到廣大電源工程師的青睞,越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開關(guān)器件的一個(gè)重要區(qū)別是它們的柵極耐壓能力不同,Si 開關(guān)器件柵極耐壓能力一般都能夠達(dá)到 ±30V,而 SiC MOSFET 柵 極 正 壓 耐 壓 能 力 一 般 在 +20V 至+25V,負(fù)壓耐壓能力一般僅有 -3V 至 -10V。同時(shí),SiC MOSFET 開關(guān)速度快,開關(guān)過程中柵極電壓更容易發(fā)生震蕩,如果震蕩超過其柵極耐壓能力,則有可能導(dǎo)致器件柵極可靠性退化或直接損壞。


很多電源工程師剛剛接觸 SiC MOSFET 不久,往往會(huì)在驅(qū)動(dòng)電壓測量上遇到問題,即測得的驅(qū)動(dòng)電壓震蕩幅值較大、存在與理論不相符的尖峰,導(dǎo)致搞不清楚是器件的問題還是電路設(shè)計(jì)的問題,進(jìn)而耽誤開發(fā)進(jìn)度。


接下來我們將向您介紹 6 種由于測試問題而導(dǎo)致的驅(qū)動(dòng)電壓離譜的原因。


原因 1:高壓差分探頭衰減倍數(shù)過大


高壓差分探頭的為差分輸入且輸入阻抗高,在電源開發(fā)過程中一般都會(huì)選擇它來測量驅(qū)動(dòng)波形。有時(shí)在使用高壓差分探頭時(shí)獲得的驅(qū)動(dòng)波形顯得非常粗,這往往是由于高壓差分探頭的衰減倍數(shù)過大導(dǎo)致的。衰減倍數(shù)大,高壓差分探頭的量程就大,使得分辨率大幅下降,同時(shí)示波器在還原信號時(shí)還會(huì)將噪聲放大。此時(shí)就需要選擇衰減倍數(shù)較小的高壓差分探頭或選擇高壓差分探頭衰減比較小的檔位。我們使用圖 1 中的高壓差分探頭測量驅(qū)動(dòng)電壓,衰減倍數(shù)分別選擇 50 倍和 500 倍,在下圖中可以明顯到 500倍衰減倍數(shù)下驅(qū)動(dòng)波形非常粗。


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圖 1. 示意圖為泰克高壓差分探頭


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圖 2. 50 倍與 500 倍衰減波形對比


原因 2:高壓差分探頭測量線未雙絞


高壓差分探頭一般用于測量高壓信號,為了使用安全及方便接線,其前端是兩根接近 20cm的測量線。在進(jìn)行測量時(shí),可以將兩根測量線看作為一個(gè)天線,會(huì)接收外界的磁場信號。而SiC MOSFET 的開關(guān)速度快,開關(guān)過程電流變化速率大,其產(chǎn)生的磁場穿過由高壓差分探頭測量線形成的天線時(shí)就會(huì)影響測量結(jié)果。為了降低這一影響,可以將高壓差分探頭的兩根測量線進(jìn)行雙絞,盡量減小它們圍成的面積。從圖 4 中可以看到,在將測量線未雙絞進(jìn)行雙絞后,驅(qū)動(dòng)電壓波形的震蕩幅度明顯降低了。


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圖 3. 差分探頭是否雙絞


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圖 4. 是否雙絞的波形對比


原因 3:無源探頭未進(jìn)行阻抗匹配


無源探頭衰減倍數(shù)小、帶寬高,往往可以在雙脈沖測試時(shí)用來獲得更為精準(zhǔn)的驅(qū)動(dòng)電壓波形。無源探頭的等效電路如下所示,只有當(dāng)其與示波器達(dá)到阻抗匹配時(shí)才能獲得正確的波形。一般情況下,我們可以通過旋轉(zhuǎn)無源探頭尾部的旋鈕調(diào)節(jié)電容來進(jìn)行阻抗匹配調(diào)節(jié),此外還有部分探頭能夠在示波器上完成自動(dòng)補(bǔ)償。


當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓為 -4V/+15V 時(shí),通過圖 8 可以看到,是否正確補(bǔ)償對測量結(jié)果有非常大的影響。當(dāng)探頭未進(jìn)行阻抗匹配時(shí),驅(qū)動(dòng)波形振蕩幅度明顯變大,測量量值也更大,這將會(huì)導(dǎo)致對驅(qū)動(dòng)電壓的誤判。當(dāng)探頭正確阻抗匹配時(shí),驅(qū)動(dòng)電壓振幅更小,測量值與實(shí)際外加電壓一致。


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圖 6. 泰克無源探頭


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圖 7. 無源探頭等效示意圖


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圖 8. 阻抗匹配與未阻抗匹配波形對比


原因 4:無源探頭未使用最小環(huán)路測量


無源探頭標(biāo)配的接地線有接近 10cm 長,采用這樣的接地線時(shí),會(huì)出現(xiàn)同高壓差分探頭一樣,即測量線圍出一個(gè)很大的面積,成為一個(gè)天線,測量結(jié)果會(huì)受到 SiC MOSFET 開關(guān)過程中高速變化的電流的影響。同時(shí),過長的接地線可以看做一個(gè)電感,也會(huì)導(dǎo)致震蕩的產(chǎn)生。


為了降低這一影響,可以使用廠商標(biāo)配的彈簧接地針,其長度短、圍出的面積更小。從圖 10 中可以看到,使用標(biāo)配接地線時(shí),驅(qū)動(dòng)波形震蕩嚴(yán)重,其峰值最大達(dá)到 xxV,超過了 SiC MOSFET柵極耐壓能力;當(dāng)使用彈簧接地針后,波形震蕩大大減輕了,幅值均在 SiC MOSFET 柵極耐壓能力范圍內(nèi)。


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圖 9. 示波器自帶長接地線、短彈簧地線


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圖 10. 長接地線與短彈簧地線波形對比


原因 5:探頭高頻共模抑制比不夠


對于橋式電路中的上管 SiC MOSFET,其 S 極為橋臂中點(diǎn),其電壓在電路工作時(shí)是跳變的。其跳變的幅度為電路的母線電壓,對于 1200V SiC MOSFET 而言,母線電壓為 800V;其跳變的速度為 SiC MOSFET 的開關(guān)速度,可達(dá)到 100V/ns。此時(shí)要測量上管的驅(qū)動(dòng)電壓,就需要面對這樣高幅值、高速度跳變的共模電壓。


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圖 11. 泰克光隔離探頭 ISOVu


從圖 12 中可以看到,當(dāng)采用常見的高壓差分探頭時(shí),驅(qū)動(dòng)波形振蕩更大,在第一個(gè)脈沖內(nèi) Ton時(shí)間測量值偏低,在 Toff 時(shí)間內(nèi)存在偏置,在第二個(gè)脈沖上升沿存在嚴(yán)重的震蕩。這主要是由于高壓差分探頭在高頻下的共模抑制比不夠?qū)е碌模藭r(shí)我們就需要使用具有更高共模抑制比的光隔離探頭來測量上管驅(qū)動(dòng)電壓波形。


從圖 12 中可以看到,當(dāng)采用光隔離探頭后,波形震蕩明顯減小,第二脈沖上升沿的嚴(yán)重震蕩消失,在關(guān)斷時(shí)間內(nèi)電壓測量值與實(shí)際外加電壓接近。


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圖 12. 光隔離探頭與高壓差分探頭波形對比


原因 6:測量點(diǎn)離器件引腳根部過遠(yuǎn)


當(dāng)我們測量驅(qū)動(dòng)電壓波形時(shí),探頭并不能直接接 觸 到 SiC MOSFET 芯 片, 而 只 是 能 接 到 器件的引腳上??梢詫⑵骷囊_看作為電感,那么我們實(shí)際測得的驅(qū)動(dòng)電壓為真實(shí)的柵 - 源極電壓和測量點(diǎn)之間引腳電感上壓降之和。那么,測量點(diǎn)之間引腳長度越長,測量結(jié)果與 SiC MOSFET芯片上真實(shí)的柵-源極電壓差異越大。


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圖 13. 4pin 的圖片和等效示意圖


為了降低這一影響,需要將探頭接到器件引腳的根部,最大限度得縮短測量點(diǎn)之間引腳的長度。從圖 14 中可以看到,當(dāng)測量點(diǎn)位于引腳根部時(shí),開通驅(qū)動(dòng)波形振蕩幅值及振蕩頻率明顯減少,關(guān)斷驅(qū)動(dòng)波形振蕩幅值也明顯減少。


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圖 14. 探頭接引腳根部與遠(yuǎn)離根部


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圖 15. 引腳根部與遠(yuǎn)離根部波形對比


了解泰克高差分探頭https://www.tek.com.cn/products/oscilloscopes/probes/high-voltage-differential-probes;了解泰克光隔離探頭https://www.tek.com.cn/products/oscilloscopes/probes/isovu-isolated-probes;泰克MSO5B示波器https://www.tek.com.cn/products/oscilloscopes/ 5-series-mso。


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