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大功率弧焊逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù)
本文通過分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹腎GBT采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù)，從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2011-07-15
IGBT 弧焊逆變電源 IGBT保護(hù)
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大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電源保護(hù)電路方案
半導(dǎo)體激光器本身的性質(zhì)決定其抗浪涌沖擊能力差，這就要求驅(qū)動電源的穩(wěn)定度高，浪涌沖擊小，因此驅(qū)動電源中需要各種保護(hù)電路以滿足實際要求。通常用慢啟動電路、TVS（瞬態(tài)抑制器）吸收電路、限流電路等來防止浪涌沖擊及電流過大。本文在參考各種實用的保護(hù)電路基礎(chǔ)上，設(shè)計出應(yīng)用大功率器件強(qiáng)制吸收...
2011-07-14
半導(dǎo)體激光器 驅(qū)動電源 保護(hù)電路
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PowerTrench MOSFET優(yōu)化同步整流方案
被稱為PowerTrench MOSFET的新型中壓功率MOSFET，針對同步整流進(jìn)行了高度優(yōu)化，可為服務(wù)器電源或電信整流器提供更高的效率和功率密度。
2011-07-14
PowerTrench MOSFET 整流器 MOSFET
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Exar發(fā)布USB 3.0 電源分配開關(guān)系列
Exar 公司 (納斯達(dá)克: EXAR) 近日推出XRP252x系列電源分配開關(guān)，包括兩款單通道和兩款雙通道產(chǎn)品，均支持最新的USB 3.0標(biāo)準(zhǔn)以及此前所有的USB標(biāo)準(zhǔn)。XRP2525 和XRP2526針對VBUS 電源分配應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化，保證每通道900mA的持續(xù)電流，并具有可控型上升/下降時間以及增強(qiáng)型端口保護(hù)等功能。XRP2527 和 XR...
2011-07-14
USB 3.0 電源 分配開關(guān) 限流
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Solarbuzz：光伏設(shè)備明年訂單驟降
國際光伏行業(yè)研究機(jī)構(gòu)Solarbuzz 7月12日在上海發(fā)布光伏設(shè)備季報顯示，用于晶硅鑄錠到組件和薄膜面板制造的光伏設(shè)備資金支出預(yù)計在2012年迅速下降至76億美金，相較于2011年預(yù)期創(chuàng)紀(jì)錄的142億美金年度降幅為47%。這將影響光伏設(shè)備廠商在2011年下半年的營收和對2012年業(yè)績的預(yù)期。
2011-07-14
Solarbuzz 光伏設(shè)備 晶硅
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CHT-GANYMEDE:CISSOID發(fā)布的二極管可承受80V反向電壓
高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID，推出了CHT-GANYMEDE“木衛(wèi)三”，一高溫80伏雙串列小信號二極管裝在一個小型密封的TO-18金屬封裝中。這個新的器件是由兩個二極管串聯(lián)連接而成，可以承受80V反向電壓，在攝氏225度時最大正向電流為300mA并適用攝氏-55度至攝氏225度工作。這雙二極管是一種通用分立元件，...
2011-07-14
小信號二極管 CHT-GANYMEDE 反向電壓 整流
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iSuppli：MEMS純模式廠商表現(xiàn)出色 產(chǎn)業(yè)合作增多
據(jù)IHS iSuppli公司的研究表明，意法半導(dǎo)體(STM)在2010年仍然是最大的MEMS傳感器生產(chǎn)商，營業(yè)收入幾乎是排名第二的德州儀器的5倍，STM排名居首。
2011-07-14
iSuppli MEMS 意法
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Expo Pack亮相中國國際消費(fèi)電子博覽會
中國國際消費(fèi)電子博覽會是面向全球消費(fèi)電子新技術(shù)和新產(chǎn)品展示的專業(yè)性展會，展會在工業(yè)基礎(chǔ)雄厚和家電電子發(fā)展強(qiáng)勁的青島舉辦，系統(tǒng)架構(gòu)工程師、工業(yè)設(shè)計工程師、軟件設(shè)計工程師、專業(yè)采購人員等構(gòu)成了展會觀眾的主體。Expo Pack通過這個展會的發(fā)行有效覆蓋中國東部重要的海濱港口城市區(qū)域的消費(fèi)電...
2011-07-14
Expo Pack 青島 消費(fèi)電子
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MOSFET的UIS及雪崩能量解析
許多電子工程師在設(shè)計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應(yīng)用中評定這些參數(shù)對其的影響，以及在哪些應(yīng)用條件下需要考慮這些參數(shù)。本文將論述這些問題，同時探討功率MOSFET在非鉗位感性開關(guān)條件下的工作狀態(tài)。
2011-07-14
MOSFET 雪崩能量 UIS
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