中心議題：

• IGBT構(gòu)成的交流傳動逆變器的主電路結(jié)構(gòu)原理
• 保護吸收電路結(jié)構(gòu)
• 驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)
• 主電路安裝與布局
• IGBT參數(shù)選擇

解決方案：

• 保護吸收電路設計
• 驅(qū)動電路設計

隨著半導體器件的發(fā)展，IGBT越來越多的被應用到交流傳動技術(shù)中。本文主要分析了IGBT構(gòu)成的交流傳動逆變器的主電路原理、逆變電路結(jié)構(gòu)及緩沖保護電路結(jié)構(gòu)，并對主電路的安裝布局以及電壓電流參數(shù)的選取做出了說明，同時提出了一種由M57959構(gòu)成的IGBT驅(qū)動電路的設計。

1 主電路結(jié)構(gòu)原理圖

圖1為典型的逆變器結(jié)構(gòu)原理圖。它由三部分組成：逆變電路、驅(qū)動保護電路、控制與信號采集電路。

逆變電路主要負責電能轉(zhuǎn)化，即將輸入的直流電能轉(zhuǎn)化為電機負載可用的三相交流電能，為電機提供能源。圖2所示為逆變電路原理圖，這個逆變電路由6個絕緣柵雙極晶體管T1～T6及續(xù)流二極管D1～D6組成。通過控制IGBT管T1～T6的通關斷將輸入的直流電源逆變成頻率可調(diào)的矩形波交流電輸出到三相電機。其續(xù)流二極管D1～D6的作用是當T1～T6由導通變?yōu)榻刂箷r，為儲存在電動機線圈中的電能提供釋放通道；當電動機制動時，為再生電流提供回流到直流電源的通道。

2 保護吸收電路結(jié)構(gòu)

由于電路中分布電感的存在，加之IGBT開關速度較高，當IGBT關斷時及與之并接的反向恢復二極管逆相恢復時，會產(chǎn)生很大的浪涌電壓Ldi/dt，從而威脅IGBT的安全。因此必須采取措施抑制浪涌電壓，保護IGBT不被損壞?？梢圆捎眉友b保護吸收電路的辦法來抑制浪涌電壓。其原理圖如圖3所示，該保護吸收電路有良好的抑制效果，具有保護吸收中發(fā)生損耗小的優(yōu)點。

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2.1 保護電路原理分析
以開關管T1關斷時刻為起點來分析吸收電路的工作原理，其工作過程可分為：線性化換流、母線寄生電感Lp諧振能量和吸收電容Cs放點共3個階段。

線性化換流階段從開關管T1接收關斷信號開始到開關管T1全截止結(jié)束。流過母線寄生電感Lp的母線電流經(jīng)T1和吸收電路2條支路分流。

在線性化換流階段結(jié)束后，開關管T1完全截止。此時，主回路寄生電感Lp與吸收電容Cs產(chǎn)生諧振，Lp中儲存的能量向Cs轉(zhuǎn)移。當吸收電容上電壓達到最大值，即諧振峰值時，諧振電流i為零，吸收電路二極管D2截止，箝位電壓防止有振蕩。

在第二階段結(jié)束之后，吸收電容Cs上過沖能量通過吸收電阻R、電源和負載放電。在放電過程中，近似認為負載是恒流源。

2.2 元件參數(shù)選取
a.緩沖電容Cs選取
緩沖電路中緩沖電容Cs的電容取值為：

其中，L是主電路的寄生電感，Io為IGBT關斷時的集電極電流，VCEP是緩沖電容器電壓最終到達值，Ed為直流電源電壓。

b.緩沖電阻Rs的取值
緩沖電阻的作用是在IGBI下一次關斷前，將緩沖電容器電荷釋放。因此在IGBT進行下一次動作之前，在儲存電荷的90%放電條件下，緩沖電阻取值公式應滿足下列公式：

其中，f為交換頻率。

3 驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)

要保證IGBT工作可靠，其驅(qū)動電路起著至關重要的作用。

3.1 IGBT驅(qū)動電路要求
IGBT驅(qū)動電路的基本要求主要有以下幾點：
(1)驅(qū)動電路必須十分可靠，要保證為IGBT的柵極電容提供一個低阻抗的充放電回路；
(2)在滿足開關特性和功耗允許的情況下，門極電阻可以適當增大，用于限制瞬時壓降尖峰；
(3)驅(qū)動電路能夠傳遞kHz級的高頻脈沖信號；
(4)IGBT門極與發(fā)射極電壓極限壓降為±20V。通常選用正向驅(qū)動電壓為+15V，反向驅(qū)動電壓為-8V。

3.2 M57959L構(gòu)成的驅(qū)動電路
根據(jù)上述驅(qū)動電路設計原則，按照不同要求可以設計出多種形式的驅(qū)動電路。常用的驅(qū)動電路有分立元件構(gòu)成的驅(qū)動電路和專用集成驅(qū)動電路。相對于分立元件構(gòu)成的驅(qū)動電路，專用集成驅(qū)動電路抗干擾能力強、集成化程度高、速度快、保護功能完善，可實現(xiàn)IGBT的最佳驅(qū)動。

M57959L是日本三菱公司生產(chǎn)的混合集成IGBT驅(qū)動器，其內(nèi)部原理結(jié)構(gòu)如圖4所示。它由高速光電隔離輸入，絕緣強度高，可與TTL電平兼容。內(nèi)藏定時邏輯短路保護電路，并具有保護延時特性。芯片由正負電源供電，克服了單電源供電時負電壓不穩(wěn)的缺點，驅(qū)動功率大，可驅(qū)動200A/600V或100A/1200V的IGBT模塊。由M57959L構(gòu)成的驅(qū)動電路如圖5所示。

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使用時應注意柵極電阻的取值。柵極電阻Rext的取值能夠影響振蕩的抑制效果、減緩開關開通時的di/dt、改善電流上沖波形、減小浪涌電壓。從安全角度考慮，Rext應取較大值，但是較大的Rext影響開關速度，增加開關損耗；從提高工作頻率出發(fā)，應取較小值。在滿足開關頻率的情況下，應取較大的Rext。

4 主電路安裝與布局

由于IGBT開關頻率非常快，同時功率也很高，由IGBT構(gòu)成的逆變器會對其他部件產(chǎn)生很強的干擾。這些干擾不僅影響電路的正常工作，甚至有可能會使逆變器因為瞬時短路而損壞。因此，應對電磁干擾給予足夠的重視，而合理的安裝與布局能夠減少電磁干擾。

常見的干擾及相應的措施有：
(1)隔離供電抑制IGBT開關干擾由于供電變壓器的分布電容和耦合電感的影響，當其中一個IGBT導通或關斷時產(chǎn)生的強尖峰脈沖會通過分布電容(電感)干擾其它IGBT的正常工作。因此，全橋逆變器的每一個觸發(fā)電路必須隔離供電來抑制這種干擾。

(2)由于逆變器的平均工作電流和瞬時峰值電流很大，逆變電路中的漏電感，甚至很小的引線電感也不能忽略。如果不仔細設計PCB的布局，這些磁通會穿過閉合的PCB導線而形成電流。為此，可采取以下措施抑制干擾：
a，每一個IGBT的觸發(fā)電路元件應集中在一個狹窄的區(qū)域，避免互相交叉；
b，同一相位的觸發(fā)電路應相鄰，而兩組之間距離應相對較遠；
c，PCB與IGBT之間的引線應盡可能短并互相絞合。

5 IGBT電壓電流參數(shù)選取

在保護吸收電路中，當T1導通，T2截止時，T2承受的電壓Uce2為：

考慮電網(wǎng)波動為+/-10%，T2成熟的電壓為Uce2為：

再考慮到電路中開通關斷瞬時電壓，及IGBT模塊承受電壓應留有50%～80%的裕量，其所選模塊電壓BVce應為：

考慮電網(wǎng)的波動、啟動時電流尖峰的影響，選擇的IGBT模塊Icm為：

其中，Pn為逆變器輸出功率。δ為脈沖占空比，η為逆變器效率。

6 結(jié)束語

本文主要介紹了IGBT構(gòu)成的電機傳動用逆變器的主電路組成及IGBT參數(shù)選擇，驅(qū)動電路、緩沖吸收電路的組成及參數(shù)選擇以及主電路安裝和布局應注意的問題，對實際應用中的逆變器設計有一定價值。