你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

按摩椅中的有刷電機驅(qū)動

發(fā)布時間:2023-07-14 來源:TI 責任編輯:wenwei

【導讀】近年來,隨著人們健康意識的增強,亞健康、中國老年、商旅辦公等人群的擴大,以及智能化按摩椅產(chǎn)品的不斷更新升級,具有良好按摩保健功效的按摩椅正逐步獲得廣大消費者的認可。從電機的種類上來看,有刷電機因其簡單的控制方式和優(yōu)良的轉(zhuǎn)矩控制特性,在調(diào)速領域一直占有主導地位。為了提高功率,按摩椅中的驅(qū)動往往采用12/24V有刷電機,考慮到電機運轉(zhuǎn)中的瞬態(tài)電壓,往往會采用40-50V耐壓范圍的驅(qū)動芯片。


本文會著重介紹TI集成MOSFET的有刷電機驅(qū)動芯片的電流輸出級特性,以及如何增強驅(qū)動峰值電流。


有刷電機驅(qū)動芯片的電流輸出

 

1.png

圖表 1:DRV8840輸出級


由于在按摩椅的使用場景中,經(jīng)常會遇到重載啟動或高轉(zhuǎn)矩運轉(zhuǎn)的情況,下面先對有刷電機驅(qū)動的輸出電流部分進行分析:


有刷電機的速度由加在電機電樞兩端的電壓決定,方向由芯片內(nèi)部集成的H橋來控制,速度越快時產(chǎn)生的反電動勢越大。下面公式中I為流過電機線圈的電流,U為電機兩端外加電壓,E為反電動勢,R為線圈電阻。


2.png


當電機堵轉(zhuǎn)或者剛啟動時,速度為0則反電動勢為0,此時電流最大,對應了驅(qū)動芯片帶載能力。為了避免堵轉(zhuǎn)時電流過大燒毀電機,TI的BDC驅(qū)動芯片都具有限流功能,以DRV8840(圖表 1)為例,通過在ISEN引腳上串聯(lián)一個采樣電阻,將這個電壓與參考電壓VREF進行比較,得到限流閾值:


3.png


這個大電流會通過Rsense采樣電阻,往往這個電阻會采用毫歐級別的功率電阻,占板面積較大。并且在按摩椅的一些應用場合中需要采集此電流值,來判斷電機的輸出扭矩,這時還需要一顆額外的運放以增大ADC的輸入阻抗,再通過ADC來實現(xiàn)電流采集。在傳統(tǒng)的有刷電機驅(qū)動應用中,這種方式最為普遍,占用的PCB板面積也最大。


有刷電機驅(qū)動芯片新特性


在TI最新的50V耐壓的有刷電機驅(qū)動芯片中,例如DRV8256(圖表 2),內(nèi)部采用了電流鏡的技術,在啟動期間和高負載事件中,集成電流感測可實現(xiàn)通過驅(qū)動器調(diào)節(jié)電機浪涌電流。結合可調(diào)外部電壓基準Vref,可設置電流限值。


這種技術無需大功率分流電阻器,可以節(jié)省電路板面積并降低系統(tǒng)成本,但也失去了預留在外的電流路徑,這樣對于一些需要采集總電流的場合也不適用。值得注意的是無法在OUT1和OUT2引腳之間,再串接采樣電阻,這個電流是雙向變化的,同時對地共模電壓也非常高,無須也沒必要再額外引入一路浮地的運放和電源。同樣也不建議在PGND引腳和地之間串接采樣電阻,這樣會破壞PGND(功率地)和GND(邏輯地)之間的電勢差,導致控制邏輯出錯。


4.png

圖表 2:DRV8256輸出級


又或者參考TI另一顆有刷電機驅(qū)動芯片DRV8251A(圖表 3),芯片內(nèi)部的電流鏡將通過下管MOSFET的電流鏡像成一個電流源,縮小一個AIPROPI(uA/A)系數(shù),通過外接在IPROPI引腳上的一個大電阻(kΩ)轉(zhuǎn)換成一個電壓值VIPROPI,再接入ADC的輸入端進行電流采集。這種比例電流鏡的方式不但省去了一個mΩ級的大個頭采樣電阻,內(nèi)部電流源產(chǎn)生的采樣電壓專供采樣電阻,輸入阻抗足夠大,可以直接進ADC采樣端。


5.png

圖表 3:DRV8251A輸出級


并聯(lián)驅(qū)動芯片以提高帶載能力


由于TI的有刷電機驅(qū)動芯片內(nèi)置MOSFET,Rds-on決定了持續(xù)電流通過時的發(fā)熱量,當溫升超過節(jié)溫限制時芯片將強制進入OTP保護,并在溫度回落或者固定時長后auto retry。當負載的電流需求超過了單顆有刷電機驅(qū)動芯片的電流峰值時,除了了選用更大封裝,優(yōu)化散熱盤layout之外,還有一種并聯(lián)驅(qū)動芯片以提高電流輸出能力的方法。


如圖表 4所示:將兩顆相同的DRV8251A輸入和輸出級并聯(lián),電流會均分到兩顆芯片內(nèi)部的H橋中,在不觸發(fā)過流保護的前提下增加了輸出端的驅(qū)動能力。


1686644346653924.png

圖表 4:并聯(lián)DRV8251A提高電流輸出能力


在調(diào)整芯片限流值時有以下兩點需要注意:


●   前面提到的芯片限流值由IPROP和Vref兩個引腳上的電壓比較決定的,一般會使用同一個3V電源軌來對Vref引腳進行供電。如果分別對兩顆芯片進行電流采樣,且采樣電阻上使用的是常見的1%精度的貼片電阻,往往會在IPROP引腳上引入一個最高2%的誤差,這會意味著兩顆芯片的限流值不同。

●   不同芯片中H橋的MOSFET內(nèi)阻并不完全一致,如果僅將輸入輸出引腳并聯(lián),會導致電流無法平均流向兩顆芯片。疊加以上兩點,限流值不同的兩顆芯片驅(qū)動能力并不是簡單的相加關系,一顆芯片進入限流狀態(tài)時由于負載過大,會導致另一顆芯片也進入限流狀態(tài)。

 

一個簡單的解決方案是將兩顆芯片的Vref引腳用同一個電源軌供電,將IPROP引腳連到同一個采樣電阻上,這樣可以保證兩顆芯片的限流值一樣,輸出電流也呈線性關系。


作者:Sirui Zhu



免責聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請聯(lián)系小編進行處理。


推薦閱讀:


車載信息娛樂系統(tǒng)之USB端口失效分析

安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析

洗滌節(jié)水新方案—高精度表壓液位傳感器

高能效、小外形的240W USB PD3.1 EPR適配器的參考設計

如何有效地保證BMS上的穩(wěn)定供電?

特別推薦
技術文章更多>>
技術白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關閉

?

關閉