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采用IGBT5.XT技術的PrimePACK?為風能變流器提供卓越的解決方案
鑒于迫切的環(huán)境需求，我們必須確保清潔能源基礎設施的啟用，以減少碳排放對環(huán)境的負面影響。在這一至關重要的舉措中，風力發(fā)電技術扮演了關鍵角色，并已處于領先地位。在過去的20年中，風力渦輪機的尺寸已擴大三倍，其發(fā)電功率大幅提升，不久后將突破15MW的大關。因此，先進風能變流器的需求在不斷增長。這些變流器在惡劣境條件下工作，需要高度的可靠性和堅固性，以確保較長的使用壽命。為了在限制機柜內元件數(shù)量的情況下最大化功率輸出，我們需要采用高功率密度設計。鑒于需求的持續(xù)增長，我們的大規(guī)模生產能力顯得尤為關鍵通過對現(xiàn)有逆變器設計的升級，不僅能夠降低風險，還能縮短開發(fā)時間，最終達到優(yōu)化設計和開發(fā)流程的目的。
2024-10-27
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用Python自動化雙脈沖測試
電力電子設備中使用的半導體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用于汽車和工業(yè)領域中。由于工作電壓高，SiC技術正被應用于電動汽車動力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設備和其他消費設備的快速充電器。本文主要說明的是寬禁帶FET的測試，但雙脈沖測試也可應用于硅器件、MOSFET或IGBT中。
2024-10-23
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IGBT 脈沖測量方法的優(yōu)點?正確選擇脈沖測量
采用快速 IGBT 開關的脈沖測量方法應用范圍非常廣泛。它適用于幾乎所有類型的電感功率元件，從小型 SMD 電感器到重達幾噸的 MVA 范圍的功率扼流圈。
2024-10-12
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高壓柵極驅動器的功率耗散和散熱分析，一文get√
高頻率開關的MOSFET和IGBT柵極驅動器，可能會產生大量的耗散功率。因此，需要確認驅動器功率耗散和由此產生的結溫，確保器件在可接受的溫度范圍內工作。高壓柵極驅動集成電路（HVIC）是專為半橋開關應用設計的高邊和低邊柵極驅動集成電路，驅動高壓、高速MOSFET 而設計。
2024-10-08
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更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊
本文介紹了為工業(yè)應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結構，并通過可以控制載流子的等離子體層（CPL）結構減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情況下，SDA結構可將Eon降低約60%，通過大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過采用這些技術并擴大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現(xiàn)了1800A的額定電流，是傳統(tǒng)1200V IGBT功率模塊的1.5倍。
2024-09-25
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IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現(xiàn)高性價比電驅
近幾年新能源車發(fā)展迅猛，技術創(chuàng)新突飛猛進。如何設計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當?shù)钠胶狻?/p>
2024-09-25
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什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會進入退飽和狀態(tài)？
這要從IGBT的平面結構說起。IGBT和MOSFET有類似的器件結構，MOS中的漏極D相當于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當于IGBT的發(fā)射極E，二者都會發(fā)生退飽和現(xiàn)象。下圖所示是一個簡化平面型IGBT剖面圖，以此來闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會出現(xiàn)強反型層，形成導電溝道。
2024-08-30
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第1講：三菱電機功率器件發(fā)展史
三菱電機從事功率半導體開發(fā)和生產已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機一直致力于功率半導體芯片技術和封裝技術的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機功率器件發(fā)展史。
2024-08-01
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功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑
相鄰或共用導電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導體器件在工作期間需要進行快速開關，因此通常會產生傳導型 EMI。在開關狀態(tài)轉換過程中，器件兩端的電壓和流經器件的電流會迅速改變狀態(tài)。開、關狀態(tài)間變化會產生 dv/dt 和 di/dt，從而在開關頻率的諧波頻率上產生 EMI。
2024-07-08
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一文了解SiC MOS的應用
作為第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現(xiàn)更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。
2024-06-20
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借助智能功率模塊系列提高白色家電的能效
CIPOS? Mini IM523系列是一個全新的智能功率模塊（IPM）系列，這些產品采用完全隔離的雙列直插式封裝，通過集成第二代逆導型IGBT，可以實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)能效。IM523智能功率模塊具有一個帶自舉功能的集成式絕緣體上硅柵極驅動器和一個可向控制器提供模擬反饋信號的溫度監(jiān)測器，從而最大限度地減少了對外部元件的需求。得益于這些特性，這個新的IPM系列的產品堪稱冰箱和洗衣機等家用電器所使用的變頻系統(tǒng)的完美搭檔。
2024-06-17
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MOSFET器件的高壓CV測試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設計者需要知道這些參數(shù)。例如，設計一個高效的開關電源將要求設計者知道設備的電容，因為這將影響開關速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。
2024-06-08
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