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Molex推出投射電容式觸摸屏產(chǎn)品,提供多點(diǎn)觸摸功能
Molex發(fā)布投射電容式觸摸屏產(chǎn)品,利用Molex現(xiàn)有的電容開關(guān)技術(shù),提供具有操作響應(yīng)性和直觀性的多點(diǎn)觸摸功能性。適用于前沿醫(yī)療、工業(yè)和消費(fèi)品應(yīng)用。
2013-04-17
Molex 電容式觸摸 多點(diǎn)觸摸
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ST攜手研究機(jī)構(gòu)開發(fā)下一代MEMS的試制生產(chǎn)線
ST與研究機(jī)構(gòu)展開合作,攜手開發(fā)下一代MEMS器件的試制生產(chǎn)線。ENIAC試制項(xiàng)目Lab4MEMS運(yùn)用ST整套MEMS 設(shè)施,開發(fā)下一代MEMS應(yīng)用所需關(guān)鍵技術(shù)。
2013-04-14
ST MEMS Lab4MEMS
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Murata新型適合高頻開關(guān)應(yīng)用超薄表面貼裝功率電感
Murata宣布新電源解決方案,3000A和3000B系列超薄功率電感,可用于降低高頻率電路和大電流開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電壓調(diào)節(jié)模組的噪音。
2013-04-13
功率電感 超薄 Murata 電源應(yīng)用
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Murata新電源解決方案,可用于高噪聲環(huán)境
Murata新推出MEJ2系列轉(zhuǎn)換器,為NMJ,MEV1和NMV系列提供了一個(gè)引腳兼容的升級(jí)方案,這個(gè)2W的MEJ2轉(zhuǎn)換器可為單向或雙向輸出提供額定電壓3.3V,5V,9V,12V,15V的直流電壓,以及3.3V,5V,12V和15V的輸入電壓。
2013-04-12
轉(zhuǎn)換器 MEJ2 醫(yī)療 Murata
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Littelfuse 新產(chǎn)品SRDA05系列SPA二極管陣列
Littelfuse推出新產(chǎn)品SRDA05系列SPA瞬態(tài)抑制二極管陣列,可提供高于市場同類型設(shè)備20%的浪涌處理能力。由于整合了低電容控向二極管與附加的齊納二極管,SRDA05所提供的電氣威脅設(shè)計(jì)余量比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)更高。
2013-04-10
二極管 SRDA05 醫(yī)療 工業(yè)
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Linear雙輸出DC/DC控制器解決復(fù)雜的電源管理問題
雖已有數(shù)字可編程 DC/DC 轉(zhuǎn)換器可用,但這類有特定應(yīng)用目標(biāo)的轉(zhuǎn)換器不能直接溝通重要的工作參數(shù)。LTC3880 / LTC3880-1 結(jié)合了雙輸出同步降壓型 DC/DC 控制器和擁有通過基于 I2C 的 PMBus 總線使用全面的電源管理功能,解決了復(fù)雜的電源系統(tǒng)管理問題。
2013-04-09
Linear DC/DC 控制器 電源管理
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輸出電壓可低至0.6V的45V輸入LDO,Iq更低至3uA
Linear推出 LT3007,該器件是一個(gè)高壓、微功率、基于堅(jiān)固 PNP 的 LDO 系列之最新成員,具備 3μA 超低靜態(tài)電流。LT3007 具備高輸入電壓能力,電壓范圍為 2.0V 至 45V,并提供范圍為 0.6V 至 44.5V 的可調(diào)輸出電壓,能用于種類繁多的應(yīng)用領(lǐng)域。
2013-04-09
Linear LDO
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柏恩開發(fā)出極端嚴(yán)酷環(huán)境用非接觸式旋轉(zhuǎn)位置傳感器
美國柏恩(Bourns)最新開發(fā)出的非接觸式旋轉(zhuǎn)位置傳感器為病人平臺(tái)位置反饋、氣動(dòng)控制閥位反饋、促動(dòng)器定位反饋、升降機(jī)/穿梭懸掛系統(tǒng)和傾斜控制反饋等惡劣應(yīng)用環(huán)境提供了一個(gè)理想的、長壽命和高可靠性解決方案。
2013-04-07
柏恩 位置傳感器 工業(yè)
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業(yè)界最小MEMS麥克風(fēng),讓助聽設(shè)計(jì)更穩(wěn)定
ADI日前推出一款專門針對(duì)助聽?wèi)?yīng)用而開發(fā)的高性能MEMS麥克風(fēng)ADMP801。與駐極體電容麥克風(fēng)(ECM)等傳統(tǒng)解決方案相比,ADMP801不僅在尺寸上更?。▋H7.3立方厘米),而且性能更穩(wěn)定,不隨時(shí)間、溫度和環(huán)境變化而改變。
2013-04-02
ADI MEMS 麥克風(fēng) 助聽
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)?
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
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