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【電源設(shè)計(jì)小貼士32】：注意SEPIC耦合電感回路電流1
在這篇【電源設(shè)計(jì)小貼士】中，我們將確定SEPIC拓?fù)渲旭詈想姼械囊恍┞╇姼幸?。在不要求主?jí)電路和次級(jí)電路之間電氣隔離且輸入電壓高于或者低于輸出電壓時(shí)，SEPIC是一種非常有用的拓?fù)洹?/p>
2013-03-05
電源 耦合電感 回路電流
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【電源設(shè)計(jì)小貼士31】：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
在這篇【電源設(shè)計(jì)小貼士】中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和FET電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于FET選擇的非常有用的起始點(diǎn)。
2013-03-04
電源 MOSFET
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Bourns新型號(hào)采用霍爾效應(yīng)技術(shù)，有助提高可靠性和壽命
Bourns近日擴(kuò)大兩個(gè) non-contacting rotary position sensors非接觸式位置傳感器新型號(hào)的生產(chǎn)線。AMS22U 和AMM20B采用霍爾效應(yīng)的技術(shù)，有助于提高在惡劣環(huán)境中運(yùn)行的可靠性和壽命。
2013-03-01
Bourns 霍爾效應(yīng) 傳感器
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【電源設(shè)計(jì)小貼士30】：低壓降壓IC實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單經(jīng)濟(jì)的偏置電源
在本次【電源設(shè)計(jì)小貼士】中，我們將研究一款可將高AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為可用于電子能量計(jì)等應(yīng)用的低DC電壓簡(jiǎn)單電路。在這種特殊的應(yīng)用中，無(wú)需將輸出電壓隔離于輸入電壓。
2013-03-01
電源 偏置電源
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【電源設(shè)計(jì)小貼士29】：估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升2
本文我們將最終對(duì)一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡(jiǎn)單方法進(jìn)行研究。在【電源設(shè)計(jì)小貼士28】中，我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問(wèn)題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計(jì)算得到熱阻和熱容。遍及整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個(gè)溫度。
2013-02-28
電源 熱插拔 瞬態(tài)溫升
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【電源設(shè)計(jì)小貼士28】：估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升1
在本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。
2013-02-27
電源 熱插拔 瞬態(tài)溫升
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【電源設(shè)計(jì)小貼士26】：高頻導(dǎo)體的電流分布
本次【電源設(shè)計(jì)小貼士】中，我們將研究自由空間及纏繞結(jié)構(gòu)中導(dǎo)體的有效電阻。文中圖1顯示了第一個(gè)例子。其為自由空間中單條導(dǎo)線的橫截面，其攜帶的是高頻電流。
2013-02-26
電源 高頻 電流分布
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【電源設(shè)計(jì)小貼士25】：改善負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)2
本文是《電源設(shè)計(jì)小貼士23》的后續(xù)文章。它著重介紹如何使用TL431分路穩(wěn)壓器關(guān)閉隔離電源的反饋環(huán)路。本文章討論了一種擴(kuò)展電源控制環(huán)路帶寬以改善瞬態(tài)負(fù)載及線路響應(yīng)的方法。
2013-02-25
電源 瞬態(tài)響應(yīng)
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【電源設(shè)計(jì)小貼士23】：改善負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)
本文將重點(diǎn)介紹利用一個(gè)TL431并聯(lián)穩(wěn)壓器關(guān)閉隔離電源的反饋環(huán)路。文章將討論一種擴(kuò)展電源控制環(huán)路帶寬以改善瞬態(tài)負(fù)載及線路響應(yīng)的方法。
2013-02-21
電源 瞬態(tài)響應(yīng)
- 如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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