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豐寶朱總:ETC市場(chǎng)將爆發(fā)增長(zhǎng),庫(kù)存是今年最大挑戰(zhàn)
2012年,在很多代理商營(yíng)收都在下降的同時(shí),上海豐寶電子卻仍在以兩位數(shù)增長(zhǎng),且今年豐寶還將繼續(xù)勻速增長(zhǎng)。這一代理業(yè)奇跡是如何發(fā)生的?豐寶朱總在用什么樣的獨(dú)特眼光進(jìn)行布局?且聽朱總為你分析。
2013-04-26
ETC系統(tǒng) 豐寶 市場(chǎng)
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Vishay新款功率MOSFET導(dǎo)通電阻比前一代器件低45%
Vishay Siliconix 新型N溝道TrenchFET功率MOSFET——SiR872ADP,電壓擴(kuò)大至150V,為DC/DC應(yīng)用提供18mΩ導(dǎo)通電阻,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器,以及通信磚式電源、太陽能微逆變器和無刷直流電機(jī)的升壓轉(zhuǎn)換器中的初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的同步整流。
2013-04-24
MOSFET 整流 Vishay
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Linear 3A線性穩(wěn)壓器LT3083特性詳解
Linear已推出的第一款運(yùn)用精確電流源架構(gòu)的線性穩(wěn)壓器LT3080 1.1A,可實(shí)現(xiàn)通過并聯(lián)任何數(shù)量的 LT3080 以產(chǎn)生大電流、表面貼裝電源。LT3083具備與LT3080類似的高性能規(guī)格,輸出電流變?yōu)?A。適用范圍不僅限于基本的線性穩(wěn)壓器。能非常容易地并聯(lián),以提高輸出電流并分散熱量。
2013-04-23
線性穩(wěn)壓器 LT3080 Linear
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Molex推出MediSpec高密度Micro-Ribbon電纜
Molex推出的 MediSpec高密度Micro-Ribbon電纜是實(shí)現(xiàn)提供具備可定制和可負(fù)擔(dān)特性的高性能醫(yī)療解決方案的完美示例,由于這些電纜以超長(zhǎng)度粘合在一起,并且以連續(xù)線軸形式供貨,不受標(biāo)準(zhǔn)制造能力的限制,因而是柔性電路的理想的高成本效益替代產(chǎn)品。
2013-04-19
Molex 電纜 醫(yī)療
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Linear新型電纜壓降補(bǔ)償器,電壓調(diào)節(jié)無需檢測(cè)線
Linear公司推出新產(chǎn)品電纜壓降補(bǔ)償器—LT6110,改善了遠(yuǎn)端負(fù)載的電壓調(diào)節(jié)能力,無需檢測(cè)線即可校正遠(yuǎn)端負(fù)載調(diào)節(jié)誤差,適用于大功率USB、以太網(wǎng)供電 (PoE)、遠(yuǎn)端儀表和遠(yuǎn)端工業(yè)的應(yīng)用。
2013-04-19
穩(wěn)壓器 Linear 壓降補(bǔ)償器
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IDT 推出業(yè)界最低抖動(dòng)4H系列MEMS 振蕩器
MEMS振蕩器以其突出的穩(wěn)定性以及與標(biāo)準(zhǔn)硅半導(dǎo)體工藝兼容的特性,近年了備受業(yè)界關(guān)注。有預(yù)測(cè)顯示,微機(jī)電系統(tǒng)振蕩器正以120%的年增長(zhǎng)率代替石英振蕩器。順應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì),各個(gè)元器件供應(yīng)商的推新步伐也逐漸加速。
2013-04-18
MEMS 振蕩器 IDT 4H
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IDT低相位抖動(dòng)4H MEMS 振蕩器技術(shù)詳解
日前,IDT公司發(fā)布了業(yè)界首款差異化 MEMS 振蕩器,其具有100飛秒 (fs) 典型相位抖動(dòng)性能和集成的頻率裕量設(shè)定能力。IDT 高性能振蕩器的超低相位抖動(dòng)和可修改的輸出頻率等性能,能夠顯著降低萬兆以太網(wǎng) (10GbE) 交換器、路由器和其他相關(guān)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的誤碼率 (BER)。
2013-04-17
MEMS 振蕩器 IDT
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Molex推出投射電容式觸摸屏產(chǎn)品,提供多點(diǎn)觸摸功能
Molex發(fā)布投射電容式觸摸屏產(chǎn)品,利用Molex現(xiàn)有的電容開關(guān)技術(shù),提供具有操作響應(yīng)性和直觀性的多點(diǎn)觸摸功能性。適用于前沿醫(yī)療、工業(yè)和消費(fèi)品應(yīng)用。
2013-04-17
Molex 電容式觸摸 多點(diǎn)觸摸
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ST攜手研究機(jī)構(gòu)開發(fā)下一代MEMS的試制生產(chǎn)線
ST與研究機(jī)構(gòu)展開合作,攜手開發(fā)下一代MEMS器件的試制生產(chǎn)線。ENIAC試制項(xiàng)目Lab4MEMS運(yùn)用ST整套MEMS 設(shè)施,開發(fā)下一代MEMS應(yīng)用所需關(guān)鍵技術(shù)。
2013-04-14
ST MEMS Lab4MEMS
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