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基于小華HC32F460的10萬RPM高速風(fēng)筒方案
電吹風(fēng)已是我們生活必備的小工具,高速風(fēng)筒以其高效速干、體積小質(zhì)量輕等優(yōu)勢讓使用者獲得更好的使用體驗(yàn),本篇將帶大家了解高速風(fēng)筒的特點(diǎn)及兩款基于小華MCU的方案,歡迎來聊。
2022-06-16
小華HC32F460 風(fēng)筒方案 立功科技
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高速光通信模塊設(shè)計(jì)
COVID-19 讓我們不得不面對一個現(xiàn)實(shí),那就是面對面的交流變得不那么常見了。伴隨著最新一波包含無數(shù)新技術(shù)的數(shù)字化與信息化浪潮,互聯(lián)網(wǎng)訪問成為我們精準(zhǔn)、實(shí)時的社交與交流重要手段。
2022-06-16
光通信 模塊 設(shè)計(jì)
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SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,在需求的不斷拉動下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及儲能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展,更是不容小覷。
2022-06-15
SiC MOSFET 驅(qū)動電壓
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25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第六部分):用于電源模塊的柵極驅(qū)動系統(tǒng)
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中,我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-15
直流快充 電源模塊 柵極驅(qū)動
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代,門極電壓的選擇比較統(tǒng)一,無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域,還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑,提供些有用的參考。
2022-06-15
SiC MOSFET 門極電壓
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐,現(xiàn)以TO247-4L(采用開爾文連接)封裝提供,而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能,...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場 解決方案
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適合工業(yè)應(yīng)用的魯棒SPI/I2C通信
對于控制器和外設(shè)之間的短距離電路板內(nèi)連接,串行外設(shè)接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事實(shí)上的通信標(biāo)準(zhǔn)。由于存在廣泛的硬件和軟件支持,SPI和I2C已被傳感器、執(zhí)行器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器制造商廣泛采用。當(dāng)控制器和外設(shè)位于同一電路板上、共享同一接地層且相距不遠(yuǎn)(不大于1米)時...
2022-06-14
工業(yè)應(yīng)用 SPI ADI
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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