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滿足高功率應用與高效電池隔離需求的解決方案
在新能源電動車發(fā)展趨勢的推動下,對高功率充電的需求日益殷切,而支持高功率密度、高性能和高開關頻率的氮化鎵場效應晶體管(GaN FET),成為市場上熱門的產品選擇。另一方面,目前市面上已經有眾多利用電池操作的工具與設備,為了提升電池的運作安全性、效率,并提升電池的壽命,必須采用高效的MO...
2022-10-21
高功率應用 高效電池隔離
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安森美將主辦一系列電源在線直播,以提高工程師的電源設計敏銳性
2022年10月20日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),將主辦一系列面向工程師的電源在線直播,以提高他們的電源設計敏銳性,從而提高能效和系統(tǒng)性能。
2022-10-21
安森美 在線直播 電源設計
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如何表征寬帶大功率放大器
用戶對更高數據速率應用的需求正在飛速增長,因此業(yè)界需要開發(fā)能夠在更高頻率和更高階調制方案下實現(xiàn)大信號帶寬的現(xiàn)代化技術(如高通量衛(wèi)星和 5G 新空口)。然而,帶寬越大,帶給系統(tǒng)的噪聲就越多;調制方案越高階,則越容易受到噪聲的影響。
2022-10-21
大功率放大器 失真 NPR
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IGBT驅動電路中的鉗位電路
在IGBT驅動電路中有時會用到鉗位電路,其主要目的是為了保護IGBT器件,避免運行參數超過集電極或者門極的極限參數,今天我們總結一下Vce以及Vge鉗位電路設計使用注意事項。
2022-10-21
IGBT 驅動電路 鉗位電路
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使用CD4007陣列構建CMOS邏輯功能
本實驗活動的目標是使用CD4007晶體管陣列構建各種CMOS邏輯功能。CD4007包含三對互補的NMOS和PMOS晶體管。
2022-10-21
CD4007陣列 CMOS 晶體管
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如何利用間接電流模式儀表放大器放大具有大直流偏移的交流信號?
在電磁流量計和生物電測量等應用中,小差分信號與大得多的差分偏移串聯(lián)。這些偏移通常會限制電路在前端設計中可以獲得的增益,進而影響整體動態(tài)范圍。當使用較低電源電壓時,例如在電池供電的信號鏈中,增益限制更具挑戰(zhàn)性。解決這個大差分偏移問題的一種方案是使用交流耦合測量信號鏈。典型的交流...
2022-10-21
儀表放大器 直流偏移 電磁流量計
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SiC MOSFET功率模塊是快速充電應用的理想選擇
碳化硅(SiC)MOSFET在功率半導體市場中正在迅速普及,因為一些最初的可靠性問題已經解決,并且價格水平已經達到了非常有吸引力的點。隨著市場上的器件越來越多,了解SiC MOSFET的特性非常重要,這樣用戶才能充分利用每個器件。本文將為您介紹SiC MOSFET的發(fā)展趨勢,以及由安森美(onsemi)所推出的...
2022-10-20
SiC MOSFET 功率模塊 快速充電應用
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