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電磁兼容EMC中的屏蔽技術(shù)分析
電磁場的屏蔽可分為靜電屏蔽、靜磁屏蔽和電磁屏蔽三種情況。本文描述了靜電屏蔽、靜磁屏蔽、電磁屏蔽的物理內(nèi)容、物理條件、屏蔽作用等以及它們之間的聯(lián)系。
2008-10-12
靜電 屏蔽 靜磁 電磁
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RFID 技術(shù)原理及其射頻天線設(shè)計
首先簡要介紹RFID 技術(shù)的基本工作原理,然后介紹了幾種基本的RFID 射頻天線及其工作原理,并針對普遍使用的偶極子天線在RFID 系統(tǒng)中方向性上的不足提出改進,最后,給出一個具有全向收發(fā)功能的RFID 天線設(shè)計.
2008-10-12
RFID 技術(shù) 天線 偶極子
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1.9GHz基站前端射頻LNA仿真與實現(xiàn)研究
本文給出了基于E-pHEMT管ATF-54143和混合耦合器2A1306-3的射頻低噪聲放大器的設(shè)計。E-pHEMT管的低噪聲系數(shù)和高OIP3使它在高動態(tài)范圍電路設(shè)計上具有很大的優(yōu)勢,并且該放大器的技術(shù)指標達到了CDMA基站的接收前端對低噪聲放大器的規(guī)范要求,具有很好的應用前景。
2008-10-12
截點 E-pHEMT 平衡結(jié)構(gòu) LNA 仿真
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阻抗匹配
本文詳細討論了傳輸線的阻抗匹配問題。重點介紹了串聯(lián)終端匹配和并聯(lián)終端匹配，提出將訊號的傳輸看成軟管送水澆花和傳輸線之終端控管技術(shù)。
2008-10-12
傳輸線 阻抗匹配 訊號 特性阻抗
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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)
本文通過分析RF功率 LDMOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征，設(shè)計出RF 功率 LDMOSFET器件結(jié)構(gòu)，通過工藝和器件模擬確定了關(guān)鍵參數(shù)，并設(shè)計了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對工藝中的難點提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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運放式射頻放大器
本文詳細介紹了放大器的基本拓撲和參數(shù)，如果價格可以接受的話，運放，特別是CFB運放非常適合射頻設(shè)計。
2008-10-12
運放 射頻 CFB
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CDS2C05HDMI1/CDS3C05HDMI：EPCOS高速數(shù)據(jù)線ESD防護CeraDiode
愛普科斯現(xiàn)可提供0402和0603尺寸的CeraDiodes，其特點是標準值為0.6pF的極低的電容值。因此，該類產(chǎn)品適合于高速數(shù)據(jù)線的ESD防護，如USB、以太網(wǎng)、Firewire、eSATA和HDMI。
2008-10-11
ESD防護 CeraDiode CDS2C05HDMI1 CDS3C05HDMI
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