-
DigiKey開(kāi)售Kingston的內(nèi)存產(chǎn)品和存儲(chǔ)解決方案
DigiKey 宣布與 Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內(nèi)存產(chǎn)品和存儲(chǔ)解決方案。作為全球最大的獨(dú)立存儲(chǔ)器產(chǎn)品制造商之一，Kingston 面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式 OEM 客戶，提供包括 eMMC、eMCP、ePoP、UFS 和 DRAM 組件在內(nèi)的各種存儲(chǔ)產(chǎn)品。該公司還提供一系列專為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和制造者打造的工業(yè)級(jí) SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤 (SSD)。
2024-07-27
-
MCX N系列微處理器之NPU使用方法簡(jiǎn)介
MCX N系列是高性能、低功耗微控制器，配備智能外設(shè)和加速器，可提供多任務(wù)功能和高能效。部分MCX N系列產(chǎn)品包含恩智浦面向機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用的eIQ? Neutron神經(jīng)處理單元(NPU)。低功耗高速緩存增強(qiáng)了系統(tǒng)性能，雙塊Flash存儲(chǔ)器和帶ECC檢測(cè)的RAM支持系統(tǒng)功能安全，提供了額外的保護(hù)和保證。這些安全MCU包含恩智浦EdgeLock?安全區(qū)域Core Profile，根據(jù)設(shè)計(jì)安全方法構(gòu)建，提供具有不可變信任根和硬件加速加密的安全啟動(dòng)。
2024-04-23
-
意法半導(dǎo)體突破20納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，提升新一代微控制器的成本競(jìng)爭(zhēng)力
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一項(xiàng)基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲(chǔ)器 (ePCM)的先進(jìn)制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級(jí)進(jìn)化。這項(xiàng)新工藝技術(shù)是意法半導(dǎo)體和三星晶圓代工廠共同開(kāi)發(fā)，使嵌入式處理應(yīng)用的性能和功耗實(shí)現(xiàn)巨大飛躍，同時(shí)可以集成容量更大的存儲(chǔ)器和更多的模擬和數(shù)字外設(shè)?；谛录夹g(shù)的下一代 STM32 微控制器的首款產(chǎn)品將于 2024下半年開(kāi)始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產(chǎn)。
2024-03-26
-
意法半導(dǎo)體超低功耗STM32MCU上新，讓便攜產(chǎn)品輕松擁有驚艷圖效
意法半導(dǎo)體推出了集成新的專用圖形加速器的STM32*微控制器(MCU)，讓成本敏感的小型產(chǎn)品也能為用戶帶來(lái)更好的圖形體驗(yàn)。超低功耗MCU STM32U5F9/G9和STM32U5F7/G7集成3MB片上動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)，可以為圖形顯示屏提供多個(gè)幀緩存區(qū)，以節(jié)省外部存儲(chǔ)芯片。新產(chǎn)品還集成了意法半導(dǎo)體的NeoChromVG圖形處理器(GPU)，能夠?qū)崿F(xiàn)的圖形效果可與更昂貴的高端微處理器相媲美。
2024-02-05
-
鎧俠發(fā)布 2TB microSDXC 存儲(chǔ)卡
2023年12月20日,中國(guó)上海 — 全球存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠今天宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)2TB microSDXC存儲(chǔ)卡,這對(duì)于智能手機(jī)用戶、內(nèi)容創(chuàng)作者和移動(dòng)游戲玩家來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)突破性的進(jìn)展。EXCERIA PLUS G2 2TB microSDXC存儲(chǔ)卡提供更強(qiáng)大的性能和更大的容量,讓用戶能夠記錄和存儲(chǔ)更多內(nèi)容。
2023-12-29
-
如何在下一代 MCU 應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)投影顯示
晶閘管是一種具有S形電流-電壓特性的半導(dǎo)體器件。它們是一種帶有狀態(tài)存儲(chǔ)器的托管按鍵，當(dāng)控制信號(hào)施加到晶閘管的輸入時(shí)，它們就會(huì)打開(kāi)。當(dāng)使用直流電時(shí)，可以通過(guò)去掉電源電壓來(lái)關(guān)斷晶閘管。晶閘管的一個(gè)重大且不可避免的缺點(diǎn)是它們具有低輸入阻抗，重要的是，它們不具有調(diào)整開(kāi)關(guān)閾值的能力。
2023-12-25
-
具有受控開(kāi)關(guān)閾值的晶閘管模擬
晶閘管是一種具有S形電流-電壓特性的半導(dǎo)體器件。它們是一種帶有狀態(tài)存儲(chǔ)器的托管按鍵，當(dāng)控制信號(hào)施加到晶閘管的輸入時(shí)，它們就會(huì)打開(kāi)。當(dāng)使用直流電時(shí)，可以通過(guò)去掉電源電壓來(lái)關(guān)斷晶閘管。晶閘管的一個(gè)重大且不可避免的缺點(diǎn)是它們具有低輸入阻抗，重要的是，它們不具有調(diào)整開(kāi)關(guān)閾值的能力。
2023-12-22
-
巨磁阻多圈位置傳感器的磁體設(shè)計(jì)
多圈傳感器本質(zhì)上是將磁寫入和電子讀取存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的磁性角度傳感器相結(jié)合，以提供高精度的絕對(duì)位置。“具有真正上電能力與零功耗的多圈位置傳感器(TPO)”中描述的磁寫入過(guò)程需要使用特定的操作窗口來(lái)維持入射磁場(chǎng)。如果磁場(chǎng)過(guò)高或過(guò)低，可能會(huì)出現(xiàn)磁寫入錯(cuò)誤。在設(shè)計(jì)系統(tǒng)磁體時(shí)必須小心仔細(xì)，并考慮可能干擾傳感器的任何雜散磁場(chǎng)以及產(chǎn)品使用壽命內(nèi)的機(jī)械公差。較小的雜散磁場(chǎng)可能會(huì)導(dǎo)致測(cè)量角度出現(xiàn)誤差，而較大的雜散磁場(chǎng)可能會(huì)導(dǎo)致磁寫入錯(cuò)誤，從而引起總?cè)?shù)錯(cuò)誤。
2023-12-05
-
兆易創(chuàng)新張靜：“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)波動(dòng)周期”下的存儲(chǔ)市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)
近日，第11屆EEVIA年度中國(guó)硬科技媒體論壇暨產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢(shì)展望研討會(huì)在深圳隆重開(kāi)啟。兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)器事業(yè)部產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理張靜受邀出席，以“持續(xù)開(kāi)拓，兆易新一代存儲(chǔ)產(chǎn)品助力行業(yè)創(chuàng)新”為題，分享了兆易創(chuàng)新在嵌入式存儲(chǔ)器領(lǐng)域的廣泛布局，以及面向產(chǎn)業(yè)技術(shù)變革浪潮的創(chuàng)新思考，共同探討“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)波動(dòng)周期”下的存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)。
2023-11-10
-
DDR5 時(shí)代來(lái)臨，新挑戰(zhàn)不可忽視
在人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中，我們對(duì)數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。面對(duì)這種前景，內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動(dòng)脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術(shù)作為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的重要演進(jìn)，極大地推動(dòng)了計(jì)算機(jī)性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了顯著的進(jìn)步。
2023-10-20
-
搭建硬實(shí)時(shí)系統(tǒng)太難了？用它試一下！
現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA)、支持 Linux 的RISC-V 微控制器單元 (MCU) 子系統(tǒng)、先進(jìn)的存儲(chǔ)器架構(gòu)和高性能通信接口，是設(shè)計(jì)人員的重要工具。對(duì)于安全互聯(lián)系統(tǒng)、安全關(guān)鍵型系統(tǒng)，以及人工智能 (AI) 和機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 等各種硬實(shí)時(shí)確定性系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員，更是如此。
2023-09-25
-
UCODE標(biāo)簽存儲(chǔ)器擴(kuò)展對(duì)供應(yīng)鏈及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的影響
標(biāo)簽存儲(chǔ)器的前兩個(gè)bank，即保留存儲(chǔ)器和TID存儲(chǔ)器，尺寸基本固定，但EPC存儲(chǔ)器和用戶存儲(chǔ)器的尺寸可以變化。大多數(shù)標(biāo)簽提供EPC存儲(chǔ)所需的最小存儲(chǔ)容量（96或128位），幾乎沒(méi)有或根本沒(méi)有用戶存儲(chǔ)器。另一方面，擴(kuò)展存儲(chǔ)器標(biāo)簽提供了更大的EPC存儲(chǔ)器（高達(dá)496位），讓用戶能夠在用戶存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)成百上千的比特。
2023-08-10
- 貿(mào)澤推出全新一期EIT系列 探索可持續(xù)智能電網(wǎng)的技術(shù)創(chuàng)新
- 使用微型模制電感器可節(jié)省空間、降低損耗并提高電源完整性和效率
- 貿(mào)澤電子以鉆石贊助商身份閃耀亮相Silicon Labs Works With 2024開(kāi)發(fā)者大會(huì)
- 意法半導(dǎo)體推出FIPS 140-3認(rèn)證TPM加密模塊，面向計(jì)算機(jī)、服務(wù)器和嵌入式系統(tǒng)
- Teledyne e2v一站式成像模塊實(shí)現(xiàn) 200萬(wàn)像素視覺(jué)和3D深度數(shù)據(jù)
- Littelfuse推出高頻應(yīng)用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
- Diodes 公司推出兩款符合汽車規(guī)格的霍爾效應(yīng)芯片系列
- 超低功耗與高精度兼?zhèn)?，助力物?lián)網(wǎng)與可穿戴設(shè)備的性能提升
- 從智能手機(jī)到助聽(tīng)器：MEMS音頻技術(shù)開(kāi)啟無(wú)限可能
- 意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世：為下一代電動(dòng)汽車電驅(qū)逆變器量身定制
- 預(yù)補(bǔ)償方法以減少Class D功率放大器的爆裂噪聲
- MVG 將安立無(wú)線通信測(cè)試儀 MT8000A 集成到 ComoSAR 系統(tǒng)中，以增強(qiáng) 5G SAR 測(cè)量能力
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
