P-FET場效應(yīng)管的產(chǎn)品特性：

• 耐于極端溫度
• 適合于-55℃至+225℃高溫可靠運作
• P-FET 源電流在225℃可高達310mA

P-FET場效應(yīng)管的應(yīng)用范圍：

• 高溫度傳感器介面
• 開/關(guān)中及高阻器件
• 壓電傳感器或保護放大器

CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員?；鹦鞘且粋€高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管, 適合于-55 ℃至+225℃高溫可靠運作。 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流。所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器。

這邏輯電平 P-FET 源電流在225℃可高達310mA, 可用于開/關(guān)中及高阻器件,例如轉(zhuǎn)換一個3.3/5V的邏輯訊號到一個高電壓開源輸出(其開關(guān)時間少于10ns)。 如果將閘電極連接到源電極,火星便能夠變成一個可于高溫下可靠操作的30V小訊號異極管。

火星再加上之前推出的水星(N-FET產(chǎn)品), 可以提供給電子工程師一個可靠及簡單的分離模擬及數(shù)字電路,例如預(yù)穩(wěn)壓器，低壓差穩(wěn)壓器，電平轉(zhuǎn)換器，CMOS開關(guān)或在總線上的打開源/漏邏輯。