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新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能
在實際的開關(guān)中，存在大量的正向和開關(guān)損耗。因而設(shè)計中的熱阻對模塊性能來說是至關(guān)重要的。本文討論IGBT2、IGBT3以及SEMITRANS?模塊采用的新IGBT4半導(dǎo)體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來的性能提升。
2009-07-28
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逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù)
本文通過分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹?span id="l5ifhtm" class='red'>IGBT 采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù)，從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2009-07-15
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IGBT驅(qū)動器輸出計算
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應(yīng)用廣泛的功率半導(dǎo)體器件，驅(qū)動器的合理設(shè)計對于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹 了一些計算用于開關(guān)IGBT的驅(qū)動器輸出性能的方法。
2009-07-15
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節(jié)能技術(shù)研討會閉幕 低碳經(jīng)濟(jì)催熱新型節(jié)能技術(shù)
2010年4月15日，深圳—電子元件技術(shù)網(wǎng)攜手第75屆中國電子展和China Outlook Consulting在深圳會展中心牡丹廳舉辦的“第三屆新型節(jié)能設(shè)計技術(shù)研討會”已圓滿結(jié)束。低碳經(jīng)濟(jì)及其技術(shù)實現(xiàn)，成為了研討會探討的焦點話題，LED照明電源設(shè)計、新型IGBT、儲能電容、MCU的節(jié)能應(yīng)用，作為滿足當(dāng)前新型節(jié)能減碳設(shè)計的最熱門技術(shù)，收到與會者的關(guān)注。有300名左右的專業(yè)聽眾參加了研討會的活動。
2009-07-14
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混合動力汽車前景看好 IGBT成驅(qū)動核心
混合動力汽車是大規(guī)模應(yīng)用新能源汽車的切入點。功率半導(dǎo)體器件與模塊在混合動力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外，混合動力汽車還需要在電池、電動、傳動及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。
2009-07-01
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ACPL-312U：安華高可在延伸溫度范圍下工作的2.5A 門極驅(qū)動光電耦合器
安華高科技推出業(yè)內(nèi)第一款可以在延伸溫度范圍下工作的 2.5A 門極驅(qū)動光電耦合器ACPL-312U。它具有高速響應(yīng)，低功耗，-40°C 到 125°C 的延伸工業(yè)溫度范圍，采用標(biāo)準(zhǔn) DIP-8 封裝?？芍苯油苿舆_(dá) 1200V/100A 的 IGBT 晶體管。
2009-05-27
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STY112N65M5：ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）開發(fā)出了用于配備太陽能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。 此前，太陽能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IGBT。
2009-02-25
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滿足可再生能源和傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用 英飛凌擴(kuò)產(chǎn)功率模塊
近日，英飛凌科技股份公司宣布，該公司正在擴(kuò)建其位于匈牙利Cegléd的功率模塊生產(chǎn)工廠，以滿足日益增長的對于可再生能源和傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的需求。2012年英飛凌計劃使Cegléd工廠的IGBT模塊達(dá)到年產(chǎn)近600萬塊。
2009-02-12
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TIG058E8：三洋半導(dǎo)體開發(fā)出面積縮小60％的手機(jī)閃光燈用IGBT
三洋半導(dǎo)體開發(fā)出了面積比原產(chǎn)品縮小約60%的氙氣閃光燈（Xenon Flash）用IGBT“TIG058E8”。主要用于手機(jī)的拍照功能。可通過IGBT的開關(guān)操作瞬間釋放電容器內(nèi)存儲的電力，使氙氣管發(fā)光。
2009-02-02
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IGBT模塊的并聯(lián)：從最壞情況模擬到完全統(tǒng)計方法
IGBT模塊在并聯(lián)時的降額必然性問題是個關(guān)鍵的問題，之前采用的方法是最壞情況分析方法，英飛凌公司現(xiàn)在推出蒙特卡羅模擬工具。最差情況分析結(jié)果僅僅表明最高結(jié)溫可能達(dá)到IGBT的溫度限值，蒙特卡羅分析則提供更詳細(xì)的信息。
2009-02-01
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1200V IGBT4：具備優(yōu)化特性的英飛凌新一代功率半導(dǎo)體
對于采用先進(jìn)、高效的變頻器的工業(yè)節(jié)能應(yīng)用市場而言，經(jīng)過優(yōu)化的各種功率半導(dǎo)體是不可或缺的。英飛凌推出的全新1200V IGBT4 系列，結(jié)合改進(jìn)型發(fā)射極控制二極管，針對高中低功率應(yīng)用提供了三款產(chǎn)品，可面向不同應(yīng)用滿足現(xiàn)代化變頻器的要求。
2009-01-22
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將IGBT 用于不間斷電源中
本文介紹了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在不間斷電源系統(tǒng)中的應(yīng)用情況，分析了IGBT 在UPS 中損壞的主要原因和實際應(yīng)用中應(yīng)注意的問題。
2008-12-15
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用
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