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淺談ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。
2017-07-26
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如何降低DDR4系統(tǒng)功耗？PSOD輸出藏貓膩
DDR4是JEDEC組織關(guān)于DRAM器件的下一代標(biāo)準(zhǔn)。DDR4主要是針對需要高帶寬低功耗的場合。這些需求導(dǎo)致了DDR4芯片引入了一些新的特點(diǎn)，這些新的特點(diǎn)，導(dǎo)致在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，引入一些新的設(shè)計(jì)需求。
2017-03-24
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DRAM與NAND差別這么大，存儲(chǔ)之爭在爭什么？
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。
2017-03-22
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專家支招：克服內(nèi)存尺寸縮小中的電阻挑戰(zhàn)
隨著內(nèi)存尺寸的不斷縮小，歐姆接觸區(qū)的面積在每一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)都縮小70%左右，而其深寬比則不斷增加，為了達(dá)到歐姆接觸，沉積出低電阻率的硅化鈷尤為重要。本文介紹兩個(gè)DRAM尺寸縮小的全新解決方案。
2016-10-25
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DDR1、DDR2、DDR3、DDR4、SDAM內(nèi)存各有千秋，哪里不同？
在嵌入式系統(tǒng)中有各種不同種類的內(nèi)存，它們在系統(tǒng)中發(fā)揮著不可或缺的作用。但是不同種類的內(nèi)存發(fā)揮的作用也不同。本文主要講述的是DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM等內(nèi)存之間的相同點(diǎn)和不同點(diǎn)，及其在嵌入式系統(tǒng)中發(fā)揮的作用。
2015-09-02
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專家分享：DDR3多端口讀寫存儲(chǔ)系統(tǒng)用FPGA如何設(shè)計(jì)？
由于FPGA具有強(qiáng)大邏輯資源、豐富IP核等優(yōu)點(diǎn)，基于FPGA的嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)是機(jī)載視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。本文以Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片MT41J128M16 DDR3 SDRAM芯片為硬件平臺(tái)，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了基于FPGA的視頻圖形顯示系統(tǒng)的DDR3多端口存儲(chǔ)管理。
2015-03-16
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電路技術(shù)詳解：SDRAM電路設(shè)計(jì)
什么是SDRAM，SDRAM電路的設(shè)計(jì)原理是什么？在了解SDRAM電路設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)先從哪里開始入手呢？本文將從這幾個(gè)方面詳細(xì)深度的為大家講解SDRAM電路設(shè)計(jì)。
2015-03-07
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EMC總工手把手教你選磁珠
磁珠專用于抑制信號線、電源線上的高頻噪聲和尖峰干擾，還具有吸收靜電脈沖的能力。在用來吸收超高頻信號，像一些RF電路，PLL，振蕩電路，含超高頻存儲(chǔ)器電路如DDR、SDRAM、RAMBUS等中都需要在電源輸入部分加磁珠。那么我們應(yīng)該如何選擇合適的磁珠呢？請耐心往下看。
2015-02-05
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e絡(luò)盟推出全新樹莓派2代B型板，可運(yùn)行更強(qiáng)大復(fù)雜的開發(fā)項(xiàng)目
e絡(luò)盟近日宣布推出全新第二代樹莓派。采用了900MHz的四核ARM Cortex-A7處理器（性能是前代的6倍以上），1GB的LPDDR2 SDRAM（內(nèi)存提升兩倍），并完美兼容第一代樹莓派。因?yàn)椴捎昧薃RMv7處理器，所以能夠運(yùn)行所有ARM GNU/Linux分支版本，包括Snappy Ubuntu Core和微軟的Windows 10系統(tǒng)。
2015-02-03
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安捷倫推出 ADS DDR4 一致性測試平臺(tái)
安捷倫科技公司日前推出ADS先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng) DDR4 一致性測試平臺(tái)，為工程師提供從仿真設(shè)計(jì)到測量原型產(chǎn)品的完整工作流程。無論是開發(fā) DDR 控制器 IP 的半導(dǎo)體公司、開發(fā) DRAM 芯片和 DIMM 的存儲(chǔ)器廠商，還是應(yīng)用 PCB 技術(shù)對控制器和 DIMM 實(shí)施系統(tǒng)集成的原始設(shè)備制造商（OEM），現(xiàn)在都可以從這款最佳解決方案中獲得豐厚回報(bào)。
2014-07-07
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最新BGA內(nèi)插器結(jié)合速度最快的邏輯分析儀進(jìn)行DDR4探測
安捷倫日前宣布推出兩款內(nèi)插器解決方案，可結(jié)合邏輯分析儀用于測試 DDR4 和 DDR3 DRAM 設(shè)計(jì)。這兩款內(nèi)插器解決方案均能快速且精確地捕獲地址、命令和數(shù)據(jù)信號，以進(jìn)行設(shè)計(jì)調(diào)試和驗(yàn)證測量。
2014-05-19
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高可靠性DRAM系列產(chǎn)品陣容新增128M/256M bit SDRAM功能
ROHM集團(tuán)旗下的LAPIS Semiconductor，作為高可靠性 DRAM系列產(chǎn)品，新開發(fā)出搭載輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能的128M bit SDRAM“MD56V72160C”/256M bit SDRAM“MD56V82160A”。本LSI搭載了4級輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能，可根據(jù)用戶系統(tǒng)調(diào)節(jié)電流驅(qū)動(dòng)能力，降低輻射噪聲，從而可減少噪聲對策零部件與阻尼電阻元件的數(shù)量。
2014-03-05
- 數(shù)字儀表與模擬儀表：它們有何區(qū)別？
- 基于APM32F411的移動(dòng)電源控制板應(yīng)用方案
- 基于GD32F407VET6主控芯片的永磁同步電機(jī)控制器設(shè)計(jì)
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- Murata推出更適合薄型設(shè)計(jì)應(yīng)用場景的3.3V輸入、12A輸出的DCDC轉(zhuǎn)換IC
- 合熠智能推出超小型激光光電傳感器，堅(jiān)固耐用，精準(zhǔn)檢測
- DigiKey與 Lippincott 合作品牌煥新項(xiàng)目榮獲2025年度 Graphis 設(shè)計(jì)大賽金獎(jiǎng)
- 貿(mào)澤電子、Silicon Labs和Arduino聯(lián)手贊助2024 Matter挑戰(zhàn)賽比賽現(xiàn)已開放報(bào)名
- 貿(mào)澤與Qorvo攜手推出全新電子書探索智能家居的聯(lián)網(wǎng)需求和所需的技術(shù)
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- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
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