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DRAMless并非永遠(yuǎn)代表低預(yù)算
閃存控制器的設(shè)計(jì)要么具有外部 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）接口，要么就沒有具備。一旦部署在其應(yīng)用程序中，像是SSD和其他閃存設(shè)備（如USB磁盤驅(qū)動(dòng)器）中，具有DRAM的設(shè)備通?？梢蕴峁┹^高的性能。這通常是隨機(jī)性能。
2020-02-13
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路由器主板布局布線的幾個(gè)坑，你踩過嗎？
路由器是家家戶戶的必備品，其主板包含了USB、LAN、SDRAM、2.4G、WIFI等模塊，這些模塊當(dāng)中涉及的的點(diǎn)有RF、USB Differential、ESD、WIFI、50歐姆阻抗、90歐姆阻抗等等，今天就路由器布局布線需要注意的點(diǎn)做個(gè)簡(jiǎn)單的探討。
2019-07-25
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這款高效又緊湊的電源解決方案，用過的設(shè)計(jì)師們都說好
系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員被要求生產(chǎn)更小、效率更高的電源解決方案，以滿足所有行業(yè)SoC和FPGA的高耗電需求。在先進(jìn)的電子系統(tǒng)中，因?yàn)殡娫幢仨毞旁赟oC或其外圍設(shè)備（如DRAM或I/O設(shè)備）附近，因此電源封裝的可占用空間至關(guān)重要。在便攜式儀器中，如手持條碼掃描儀或醫(yī)療數(shù)據(jù)記錄儀系統(tǒng)，空間更為緊湊。
2019-07-11
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CMOS圖像傳感器的3D堆疊技術(shù)
為了加速影像數(shù)據(jù)處理， 業(yè)界研發(fā)了在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)影像傳感器中配備嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)，推出了配備DRAM的三層堆疊式CMOS影像傳感器，SONY是最早發(fā)布這一產(chǎn)品的廠家，這款型號(hào)為IMX400的三層堆疊式感光元件(Exmor RS)是專為智能手機(jī)而打造的。
2018-06-26
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是時(shí)候?qū)ふ业统杀?span id="mrcz91m" class='red'>DRAM替代方案了
2017年是DRAM需求強(qiáng)勁成長的一年。過去三年來，平面DRAM微縮已經(jīng)大幅減緩了。DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場(chǎng)，并為廠商創(chuàng)造了新的利潤記錄。就像石油危機(jī)一樣，在DRAM危機(jī)下，客戶必須為DRAM付出了更多代價(jià)。因此，現(xiàn)在是時(shí)候?qū)ふ业统杀咎娲桨噶恕?/p>
2018-01-10
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讓超頻性能倍增的新型DRAM存取技術(shù)
毫無疑問，微處理器的頻率可以通過許多方式大幅增加，但卻受限于主存儲(chǔ)器的性能而必須降低其頻率來維持計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。本文作者通過對(duì)靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的存取技術(shù)，可望提升動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)單元的訪問速度。
2018-01-04
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DRAM技術(shù)的極限在哪里？
過去二十年來，基于 DRAM 的計(jì)算機(jī)內(nèi)存的存取帶寬已經(jīng)提升了 20 倍，容量增長了 128 倍。但延遲表現(xiàn)僅有 1.3 倍的提升，卡內(nèi)基梅隆大學(xué)的研究者 Kevin Chang 如是說，他提出了一種用于解決該問題的新型數(shù)據(jù)通路…
2017-12-20
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淺談ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。
2017-07-26
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如何降低DDR4系統(tǒng)功耗？PSOD輸出藏貓膩
DDR4是JEDEC組織關(guān)于DRAM器件的下一代標(biāo)準(zhǔn)。DDR4主要是針對(duì)需要高帶寬低功耗的場(chǎng)合。這些需求導(dǎo)致了DDR4芯片引入了一些新的特點(diǎn)，這些新的特點(diǎn)，導(dǎo)致在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，引入一些新的設(shè)計(jì)需求。
2017-03-24
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DRAM與NAND差別這么大，存儲(chǔ)之爭(zhēng)在爭(zhēng)什么？
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。
2017-03-22
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專家支招：克服內(nèi)存尺寸縮小中的電阻挑戰(zhàn)
隨著內(nèi)存尺寸的不斷縮小，歐姆接觸區(qū)的面積在每一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)都縮小70%左右，而其深寬比則不斷增加，為了達(dá)到歐姆接觸，沉積出低電阻率的硅化鈷尤為重要。本文介紹兩個(gè)DRAM尺寸縮小的全新解決方案。
2016-10-25
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DDR1、DDR2、DDR3、DDR4、SDAM內(nèi)存各有千秋，哪里不同？
在嵌入式系統(tǒng)中有各種不同種類的內(nèi)存，它們?cè)谙到y(tǒng)中發(fā)揮著不可或缺的作用。但是不同種類的內(nèi)存發(fā)揮的作用也不同。本文主要講述的是DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM等內(nèi)存之間的相同點(diǎn)和不同點(diǎn)，及其在嵌入式系統(tǒng)中發(fā)揮的作用。
2015-09-02
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測(cè)芯片賦能多元高端測(cè)量場(chǎng)景
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