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實例分析穩(wěn)壓器PCB布局帶來的影響
ADI LTC1871 開關穩(wěn)壓器是一款異步升壓型轉換器，其輸出端采用了一個外部 MOSFET 和肖特基二極管，它的 SPICE 模型可用于構建一個輸入電壓為 1(V)、輸出電壓為 12(V) 和負載電流為 24(A) 的升壓轉換器，如下圖 (圖1) 所示。接下來開始運行仿真以觀察每個終端的波形。
2024-05-17
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如果不說 你會特別留意肖特基二極管的這些參數(shù)嗎？
我們在肖特基二極管設計過程中，肖特基二極管與普通二極管有什么區(qū)別，有哪些參數(shù)與特點我們需要留意。本文分享那些電感容易忽略關鍵參數(shù)。
2023-11-21
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低損耗、高結溫！基本半導體混合碳化硅分立器件性能優(yōu)勢介紹
IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管（FWD）構成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結構可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管（SBD）。材料與結構兩兩組合就形成了4種結果：硅PIN二極管、碳化硅 PIN二極管、硅肖特基二極管、碳化硅肖特基二極管。在本篇文章中我們將重點闡述碳化硅肖特基二極管作為續(xù)流二極管的混合碳化硅分立器件（后文簡稱為混管）的特性與優(yōu)點。
2023-10-24
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SiC優(yōu)勢、應用及加速向脫碳方向發(fā)展
如今，大多數(shù)半導體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應用于MOSFET和肖特基二極管等半導體技術。
2023-09-24
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進的器件結構與創(chuàng)新工藝技術結合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
2023-06-16
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改進新型反激式變換器中的同步整流器
反激式拓撲結構憑借其寬工作范圍內所具有的簡單性與穩(wěn)健性，近幾十年來一直在低功率 AC/DC 應用中占據(jù)主導地位。而同步整流器 (SR) 也在最近幾年中取代了反激電源中傳統(tǒng)的肖特基二極管，實現(xiàn)了效率的明顯提升。
2023-06-13
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碳化硅肖特基二極管在光伏逆變器的應用
在全球推進清潔與可再生能源的偉大征程中，光伏發(fā)電行業(yè)一路蓬勃發(fā)展。根據(jù)國家能源局發(fā)布的全國電力工業(yè)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2022年全國太陽能發(fā)電裝機容量同比增長率以28.1%居于發(fā)電行業(yè)首位，累計裝機容量達3.9億千瓦。
2023-04-17
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羅姆發(fā)布肖特基二極管白皮書，助力汽車、工業(yè)和消費電子設備實現(xiàn)小型化和更低損耗！
近年來，隨著電動汽車的加速以及物聯(lián)網在工業(yè)設備、消費電子設備領域的普及，應用產品中搭載的半導體數(shù)量也與日俱增。其中，中等耐壓的二極管因其能有效整流和保護電路，而被廣泛應用在從手機到電動汽車動力總成系統(tǒng)等各種電路和領域中，半導體廠商羅姆在這些領域中已經擁有驕人業(yè)績（圖1）。
2022-12-30
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什么是恒流二極管？
二極管是一種有極性的兩端電子元件，它在單個方向上傳導電流并阻止電流在另一個方向上流動，因為在一個方向上，它的電阻理想地為零，而在另一個方向上它是無限的。這些組件包括兩個端子，一個陽極和一個陰極。根據(jù) PN 結二極管、齊納二極管、恒流二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管等要求，可以在各種電氣和電子項目中使用不同種類的二極管。本文下面討論了其中一種二極管恒流二極管及其應用。
2022-12-08
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碳化硅肖特基二極管的基本特征分析
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導體器件效率更高，運行速度更快，能夠有效降低產品成本、體積及重量。
2022-04-27
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碳化硅肖特基二極管在PFC電路中的應用
目前，在實現(xiàn)“綠色能源”的新技術革命中，眾多高頻開關電源已經開始實現(xiàn)高功率因數(shù)校正技術（特別是在通信電源中），其中采用有源功率因數(shù)校正的居多。連續(xù)導電模式Boost變換器是電源系統(tǒng)中應用較廣的功率因數(shù)校正變換器。
2022-04-06
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圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用
現(xiàn)代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統(tǒng)功率密度、使用更高的主開關頻率。而現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關器件。為此，基本半導體推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。
2022-04-01
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