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淺談存儲器芯片封裝技術的挑戰(zhàn)
存儲器想必大家已經(jīng)非常熟悉了,大到物聯(lián)網(wǎng)服務器終端,小到我們?nèi)粘玫氖謾C、電腦等電子設備,都離不開它。作為計算機的“記憶”裝置,其主要功能是存放程序和數(shù)據(jù)。一般來說,存儲器可分為兩類:易失性存儲器和非易失性存儲器。其中,“易失性存儲器”是指斷電以后,內(nèi)存信息流失的存儲器,例如DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器),包括電腦中的內(nèi)存條。
2020-12-10
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快速的DDR4 SDRAM開創(chuàng)宇航新時代
為了發(fā)掘宇航市場的潛力,衛(wèi)星運營商正通過提供增值服務,如超高分辨率成像、流媒體視頻直播和星上人工智能,提升星上處理的能力以減少下行鏈路的需求。從2019年到2024年,高吞吐量載荷的市場需求預計增長12倍,帶寬增加至26500 Gbps。
2020-11-13
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AntMicro開源DRAM控制器添加對RPC DRAM的支持
物聯(lián)網(wǎng)是從半導體技術的小型化中受益匪淺的領域之一,因為更多的計算能力可以被封裝到越來越小的設備中。由于體積縮小、功耗降低,各種設備(包括支持人工智能的設備)的應用方式在幾年前是不可能實現(xiàn)的。這一領域最令人興奮的發(fā)展之一是RPC(reduced pin count)DRAM的出現(xiàn),這是一種小尺寸的存儲器,Antmicro已經(jīng)開發(fā)了對開源內(nèi)存控制器LiteDRAM的支持。
2020-11-05
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【科普小課堂】工業(yè)級VS消費級,一文讀懂存儲小秘密
面對眾多類型的高性能存儲產(chǎn)品時,你是否曾有過“選擇困難”?遇到DRAM、存儲卡和固態(tài)硬盤時,你是否也曾傻傻分不清楚?沒關系,以后你不必再為此苦惱。
2020-07-13
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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別
從20nm技術節(jié)點開始,漏電流一直都是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結構異常,DRAM設計中漏電流造成的問題也會導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關重要的一個考慮因素。
2020-04-08
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DRAMless并非永遠代表低預算
閃存控制器的設計要么具有外部 DRAM(動態(tài)隨機存取內(nèi)存)接口,要么就沒有具備。一旦部署在其應用程序中,像是SSD和其他閃存設備(如USB磁盤驅(qū)動器)中,具有DRAM的設備通常可以提供較高的性能。這通常是隨機性能。
2020-02-13
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路由器主板布局布線的幾個坑,你踩過嗎?
路由器是家家戶戶的必備品,其主板包含了USB、LAN、SDRAM、2.4G、WIFI等模塊,這些模塊當中涉及的的點有RF、USB Differential、ESD、WIFI、50歐姆阻抗、90歐姆阻抗等等,今天就路由器布局布線需要注意的點做個簡單的探討。
2019-07-25
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這款高效又緊湊的電源解決方案,用過的設計師們都說好
系統(tǒng)設計人員被要求生產(chǎn)更小、效率更高的電源解決方案,以滿足所有行業(yè)SoC和FPGA的高耗電需求。在先進的電子系統(tǒng)中,因為電源必須放在SoC或其外圍設備(如DRAM或I/O設備)附近,因此電源封裝的可占用空間至關重要。在便攜式儀器中,如手持條碼掃描儀或醫(yī)療數(shù)據(jù)記錄儀系統(tǒng),空間更為緊湊。
2019-07-11
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CMOS圖像傳感器的3D堆疊技術
為了加速影像數(shù)據(jù)處理, 業(yè)界研發(fā)了在互補金屬氧化物半導體(CMOS)影像傳感器中配備嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM),推出了配備DRAM的三層堆疊式CMOS影像傳感器,SONY是最早發(fā)布這一產(chǎn)品的廠家,這款型號為IMX400的三層堆疊式感光元件(Exmor RS)是專為智能手機而打造的。
2018-06-26
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是時候?qū)ふ业统杀?span id="cmoqakw" class='red'>DRAM替代方案了
2017年是DRAM需求強勁成長的一年。過去三年來,平面DRAM微縮已經(jīng)大幅減緩了。DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場,并為廠商創(chuàng)造了新的利潤記錄。就像石油危機一樣,在DRAM危機下,客戶必須為DRAM付出了更多代價。因此,現(xiàn)在是時候?qū)ふ业统杀咎娲桨噶恕?/p>
2018-01-10
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讓超頻性能倍增的新型DRAM存取技術
毫無疑問,微處理器的頻率可以通過許多方式大幅增加,但卻受限于主存儲器的性能而必須降低其頻率來維持計算機系統(tǒng)的穩(wěn)定性。本文作者通過對靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究,提出一種新的存取技術,可望提升動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)單元的訪問速度。
2018-01-04
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DRAM技術的極限在哪里?
過去二十年來,基于 DRAM 的計算機內(nèi)存的存取帶寬已經(jīng)提升了 20 倍,容量增長了 128 倍。但延遲表現(xiàn)僅有 1.3 倍的提升,卡內(nèi)基梅隆大學的研究者 Kevin Chang 如是說,他提出了一種用于解決該問題的新型數(shù)據(jù)通路…
2017-12-20
- 數(shù)字儀表與模擬儀表:它們有何區(qū)別?
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