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為什么Tier1要開發(fā)控制器的電源管理芯片？
電源管理芯片（SBC：System Base Chip）是控制器（MCU）外圍器件工作電壓的提供者，沒有SBC供電，控制器的外圍器件則無法工作。使用SBC主要目的：降低硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度和成本?？梢姡琒BC在控制器開發(fā)中的重要性。對于商業(yè)行為，我們知道，降低成本意味著利潤的提高，而且，有利于產(chǎn)品搶占更大的市場份額。
2023-07-26
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基于自振蕩混頻的X波段單器件收發(fā)電路設(shè)計(jì)分析
作為通信系統(tǒng)中的兩個關(guān)鍵的電路單元，混頻器和振蕩器起著至關(guān)重要的作用。在無線通信中，混頻器與振蕩器的設(shè)計(jì)直接關(guān)系到整個電路是否具有高性能與高穩(wěn)定性的品質(zhì)。在接收前端電路中，混頻器作為實(shí)現(xiàn)頻率搬移的器件，將由天線所接收到的射頻(Radio Frequency，RF)信號與振蕩器所提供的本地振蕩(Local Oscillation，LO)信號源進(jìn)行線性的頻率變換，從而得到方便處理的中頻(Intermediate Frequency，IF)信號。
2023-07-26
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安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅戰(zhàn)略合作， 協(xié)議總價(jià)值超10億美元
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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安森美引領(lǐng)行業(yè)的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術(shù)優(yōu)勢
本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術(shù)優(yōu)勢，提供有關(guān)如何使用在線工具和可用功能的更多詳細(xì)信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關(guān)的基礎(chǔ)知識，接下來介紹開關(guān)損耗提取技術(shù)和寄生效應(yīng)影響的詳細(xì)信息，并介紹虛擬開關(guān)損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢。該虛擬環(huán)境還可用來研究系統(tǒng)性能對半導(dǎo)體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細(xì)介紹對軟硬開關(guān)皆適用的 PLECS 模型以及相關(guān)的影響?？偨Y(jié)部分闡明了安森美工具比業(yè)內(nèi)其他用于電力電子系統(tǒng)級仿真的工具更精確的原因。
2023-07-19
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了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關(guān)的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結(jié)合。IGBT用于中到大功率應(yīng)用，如開關(guān)電源、牽引電機(jī)控制和感應(yīng)加熱。
2023-07-18
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時候都更加重要。在我們10月份發(fā)布的電動汽車電力電子報(bào)告[2]中，TechInsights預(yù)測，xEV輕型汽車動力總成的產(chǎn)量將從2020年的910萬增長到2026年的4310萬，這使得其復(fù)合年增長率(CAGR)達(dá)到25%。SiC MOSFET目前預(yù)計(jì)占市場的約26%，到2029年預(yù)計(jì)將占市場份額的50%。
2023-07-16
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IOTE 2023深圳物聯(lián)網(wǎng)展邀請函
IOTE 2023 第二十屆國際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站，將于2023年9月20-22日在深圳國際會展中心（寶安）震撼來襲，以“IoT構(gòu)建數(shù)字經(jīng)濟(jì)底座”為主題，將IoT技術(shù)引入實(shí)體經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域，促進(jìn)數(shù)字化轉(zhuǎn)型和智能化升級，推進(jìn)智能家居、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、智慧城市、智慧醫(yī)療等多個領(lǐng)域的數(shù)智化深度融合，共同推動全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)的繁榮與進(jìn)步。
2023-07-14
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SiFive中國技術(shù)論壇圓滿落幕, 實(shí)力詮釋RISC-V成“垂直半導(dǎo)體時代”必選項(xiàng)
“RISC-V勢不可擋，” 暌違中國數(shù)年的RISC-V主要發(fā)明人、SiFive共同創(chuàng)辦人兼首席架構(gòu)師Krste Asanovic教授，在近日剛剛圓滿落幕的2023 SiFive RISC-V中國技術(shù)論壇北京、上海、深圳三地巡回演講時，始終強(qiáng)調(diào)了這一核心思想。
2023-07-10
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高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導(dǎo)體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。這些產(chǎn)品具有較低的損耗、更好的雪崩特性，以及高可靠性。本文重點(diǎn)介紹Littelfuse提供的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件。
2023-07-08
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5G VoNR Vs. 4G VoLTE ! 5G雙連接下的載波聚合是怎樣的？
5G的網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)其實(shí)承襲自4G，只支持分組交換，不支持電路交換，也就是說自身的5GC核心網(wǎng)是沒法支撐語音業(yè)務(wù)的，必須依賴于一個叫做IMS的系統(tǒng)。
2023-07-05
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了解電荷放大器頻率響應(yīng)
Allegro MicroSystems 的A1337被描述為高度集成、基于霍爾效應(yīng)的 0° 至 360° 角度傳感器。它包括各種集成信號處理和便捷的數(shù)字通信。
2023-07-05
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MIMO系統(tǒng)與波束賦形（下篇）
在這篇文章我們來了解下NR 預(yù)編碼碼本的設(shè)計(jì)思路，預(yù)編碼與模擬波束賦形在Massive MIMO 上的結(jié)合，以及Keysight Multi Transceiver RF Test Set (E6464A/E6416A)在Massive MIMO 波束賦形測試中的應(yīng)用。
2023-06-30
- 大咖齊聚，智啟新篇 | OFweek 2025（第十四屆）中國機(jī)器人產(chǎn)業(yè)大會圓滿收官！
- 意法半導(dǎo)體公布2025年第一季度財(cái)報(bào)和電話會議時間安排
- 技術(shù)盛宴！意法半導(dǎo)體亮相2025慕尼黑上海電子展，展示汽車與工業(yè)創(chuàng)新成果
- 意法半導(dǎo)體2025年度股東大會提案更新通知
- SiC如何讓EA10000電源效率飆升？電源技術(shù)優(yōu)勢全解剖
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- 重構(gòu)供應(yīng)鏈安全架構(gòu)：AI驅(qū)動、追隨價(jià)值服務(wù)與創(chuàng)新型替代的協(xié)同演進(jìn)
- 高電壓動態(tài)響應(yīng)測試：快速負(fù)載切換下的擺率特性研究
- 高效節(jié)能VS舒適體驗(yàn)，看HVAC設(shè)備如何通過新路徑優(yōu)化？
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