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碳化硅MOSFET尖峰的抑制
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導體相比，SiC MOSFET 使得高速開關(guān)動作成為可能。但是，由于開關(guān)的時候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電...
2023-02-06
碳化硅 MOSFET 尖峰
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瞄準智能制造、新能源汽車等新興關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲需求，F(xiàn)eRAM發(fā)力智能物聯(lián)時代增量市場
存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，在當前物聯(lián)網(wǎng)與人工智能聯(lián)合推動下的數(shù)據(jù)爆發(fā)時代，存儲器行業(yè)的“加速鍵”隨之開啟。據(jù)YOLE統(tǒng)計，自2019年以來，存儲器成為半導體增速最快的細分行業(yè)，總體市場空間從2019年的1110億美元將增長至2025年的1850億美元。細分市場中，以FeRAM（鐵電存儲）和ReRAM...
2023-02-06
智能制造 新能源汽車 FeRAM
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碳化硅如何革新電氣化趨勢
在相當長的一段時間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體：將電子激發(fā)到導帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標準硅基器件的多種優(yōu)勢。
2023-02-03
碳化硅 電氣化 趨勢
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穩(wěn)定性更強的新型無鈷鋰離子電池正極
目前我們的手機、筆記本電腦和電動汽車的電池都有一個主要缺點：它們都依賴于鈷。鈷是一種很難找到的金屬，主要來自非洲的礦山，鈷的采集對于當?shù)丨h(huán)境和礦工來說都存在著不少問題。
2023-02-03
無鈷鋰離子電池 正極
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如何設(shè)計適用于高級電動汽車電池管理系統(tǒng)的智能電池接線盒
隨著電動汽車 (EV) 日益流行，如何在反映真實續(xù)航里程的同時讓汽車更加經(jīng)濟實惠，成為汽車制造商面臨的挑戰(zhàn)之一。首先，這意味著需要降低電池包成本并提高其能量密度。電芯中存儲和消耗的每瓦時能量都對延長續(xù)航里程至關(guān)重要。
2023-02-03
電動汽車 電池管理系統(tǒng) 電池接線盒
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為何在開關(guān)穩(wěn)壓器中，電流模式控制非常重要？
市場上有數(shù)千款不同的開關(guān)穩(wěn)壓器，用戶會基于不同的參數(shù)選擇所需的類型，例如輸入電壓范圍、輸出電壓范圍、最大輸出電流，以及許多其他參數(shù)。本文ADI將針對電流模式進行介紹，這是數(shù)據(jù)手冊中常見的一項重要特性，同時還會分析此模式的優(yōu)缺點。
2023-02-01
開關(guān)穩(wěn)壓器 電流模式
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安森美與大眾汽車就下一代電動汽車的SiC技術(shù)達成戰(zhàn)略協(xié)議
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議，為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件，以實現(xiàn)完整的電動汽車 (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分，形成能夠支持大眾車型...
2023-02-01
安森美 大眾汽車 SiC技術(shù)
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還在為低電壓上電時的毛刺苦惱？這顆IC能搞定
有經(jīng)驗的工程師都知道，系統(tǒng)最危險的時刻之一是通電的時候。根據(jù)時間常數(shù)以及電源軌達到標稱值的順利程度和速度，不同的 IC 和系統(tǒng)零件可能會開啟、鎖定或以不正確的模式開啟，因為這些器件試圖相互配合工作。面臨的更大挑戰(zhàn)是，上電時與時序和壓擺率相關(guān)的 IC 性能可能是溫度、相關(guān)電容器、機械應...
2023-02-01
低電壓上電 毛刺 IC
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峰值電流模式控制BUCK電路功率級電路計算及仿真
前述文章，BUCK功率級電路頻域計算及仿真 ，討論了電壓模式BUCK電路的功率級電路計算及仿真，并進行了頻域的閉環(huán)設(shè)計。由于峰值電流模式相比電壓模式具有不少優(yōu)點，所以應用也很廣泛，本文就對峰值電流模式控制BUCK功率級電路做一些詳細分析計算和仿真。
2023-02-01
峰值電流 BUCK電路 電路計算
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