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USB Type-C充電連接器：設(shè)計(jì)、優(yōu)化和互操作性
2022年6月，歐盟議會(huì)批準(zhǔn)了一項(xiàng)新指令，要求下一代便攜式設(shè)備必須支持USB Type-C 充電連接器。制造商必須在 2024 年秋季之前為其產(chǎn)品增加 USB Type-C 接口，以兼容 USB Type-C 電纜。這項(xiàng)指令為眾多行業(yè)帶來(lái)影響，包括手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、手持視頻游戲機(jī)、便攜式揚(yáng)聲器、鍵盤、便攜式導(dǎo)航設(shè)備、耳塞、...
2023-04-25
USB Type-C 充電連接器
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可控硅工作解析
可控硅又叫晶閘管，和其它半導(dǎo)體器件一樣，具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)?？煽毓枳鳛榉浅３墒斓陌雽?dǎo)體器件，從弱電到強(qiáng)調(diào)，消費(fèi)電子到工業(yè)等都得到廣泛應(yīng)用，可以作為整流、無(wú)觸點(diǎn)電路開(kāi)關(guān)以及逆變應(yīng)用等，本章重點(diǎn)對(duì)于其結(jié)構(gòu)以及等效電路展開(kāi)分析，有助于讀者加深對(duì)于可控硅產(chǎn)品...
2023-04-25
可控硅 結(jié)構(gòu) 等效電路
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正確選擇MOSFET以優(yōu)化電源效率
優(yōu)化電源設(shè)計(jì)以提高效率十分重要。提高效率不僅可以節(jié)省能源，減少熱量產(chǎn)生，還可以縮小電源尺寸。本文將討論如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的數(shù)量比，以提高電源設(shè)計(jì)的效率。
2023-04-25
MOSFET 電源效率
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如何設(shè)計(jì)大容量開(kāi)關(guān)電源？
在通訊、電力領(lǐng)域，要求的直流電源系統(tǒng)輸出的電流電壓各不相同。對(duì)于大容量電源系統(tǒng)，往往采用多個(gè)同一電壓等級(jí)的小容量電源模塊并聯(lián)的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，但如果并聯(lián)的電源模塊太多，就不利于均流和可靠性，因此用戶迫切要求大容量電源模塊的出現(xiàn)，基于這種背景作者開(kāi)發(fā)了大容量開(kāi)關(guān)電源。
2023-04-24
開(kāi)關(guān)電源
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電機(jī)接觸器的基礎(chǔ)知識(shí)與應(yīng)用
暖通空調(diào) (HVAC)、壓縮機(jī)、泵、材料處理和包裝等應(yīng)用，需要安全部署和控制工作電壓和電流很高的大型電機(jī)。對(duì)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，控制這些大型電機(jī)是一個(gè)難題，因?yàn)楸仨氃陔姍C(jī)與控制電路之間提供充分的隔離。此外，高電壓和高電流會(huì)產(chǎn)生巨大的電磁瞬變，可能損壞電子控制裝置。
2023-04-24
電機(jī)接觸器 暖通空調(diào)
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如何應(yīng)對(duì)USB大功率充電器DC-DC轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)噪聲？
USB Power Delivery是一種供電標(biāo)準(zhǔn)，可以通過(guò)USB提供比以前更大、最大達(dá)到100W的電源功率。USB Power Delivery可以通過(guò)USB連接來(lái)為以前無(wú)法支持的PC和顯示器等設(shè)備供電。另一個(gè)特征是可以瞬時(shí)切換供電側(cè)和充電側(cè)，從而可以在不產(chǎn)生不必要的熱量的情況下充電。
2023-04-24
USB大功率充電器 DC-DC轉(zhuǎn)換器 開(kāi)關(guān)噪聲
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常見(jiàn)的24V電池供電的應(yīng)用有哪些？
從電動(dòng)汽車、摩托艇到光伏裝置和數(shù)據(jù)中心，電池供電系統(tǒng)正蓬勃發(fā)展。目前的趨勢(shì)主要是增加系統(tǒng)的運(yùn)行電壓以縮減系統(tǒng)尺寸、重量或增加負(fù)載的可用功率。在寬輸入功率器件的不斷進(jìn)步下，處在這股潮流最前線的是從 12V 轉(zhuǎn)換到 24V 的應(yīng)用。
2023-04-24
電池供電 應(yīng)用
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SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應(yīng)、Vth滯回效應(yīng)、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一...
2023-04-24
SiC MOSFET 短溝道效應(yīng)
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超共源共柵簡(jiǎn)史
盡管寬帶隙半導(dǎo)體已在功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中略有小成，但在由 IGBT 占主導(dǎo)的高電壓/高功率領(lǐng)域仍未有建樹(shù)。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現(xiàn)有局面。讓我們一起來(lái)了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優(yōu)化現(xiàn)代設(shè)計(jì)。
2023-04-24
超共源共柵 SiC FET Qorvo
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