你的位置:首頁(yè) > 電源管理 > 正文

超低靜態(tài)電流升壓轉(zhuǎn)換器TPS61299——可穿戴設(shè)備的可靠搭檔

發(fā)布時(shí)間:2023-06-08 來源:TI 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】隨著技術(shù)的進(jìn)步,可穿戴個(gè)人電子產(chǎn)品的種類與所集成的功能日益豐富,例如智能手表、智能手環(huán)、AR眼鏡等,越來越多的人選擇購(gòu)買使用這一類產(chǎn)品。為進(jìn)一步提升用戶體驗(yàn),延長(zhǎng)可穿戴設(shè)備中電池的使用壽命成為開發(fā)者面臨的一個(gè)重要挑戰(zhàn)。TI新推出的升壓轉(zhuǎn)換器TPS61299具有超低的靜態(tài)電流,能有效滿足可穿戴設(shè)備對(duì)于延長(zhǎng)待機(jī)時(shí)長(zhǎng)的這一要求。


TPS61299的靜態(tài)電流低至95nA,在業(yè)界處于先進(jìn)水平。同時(shí),TPS61299的能量轉(zhuǎn)換效率很高,例如,在輸入2V、輸出3.3V/200mA的條件下,效率高達(dá)94%。這些特性可以有效延長(zhǎng)系統(tǒng)中電池的待機(jī)時(shí)間及使用壽命,滿足可穿戴式個(gè)人電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)需求,從而帶來更好的用戶體驗(yàn)。


TPS61299的輸入電流范圍為0.7V至5.5V,滿足絕大多數(shù)可穿戴電子產(chǎn)品的電池電壓范圍,輸出電壓范圍為1.8V至5.5V。為滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求,TPS61299系列有不同的輸入電流限制版本,包括5mA、25mA、50mA、100mA和1.2A,具體料號(hào)對(duì)應(yīng)輸入電流限制值以datasheet說明為準(zhǔn)。


33.png


此外,新一代TPS61299優(yōu)化了器件在響應(yīng)速度方面的表現(xiàn),同時(shí)具備真關(guān)斷特性,開發(fā)者可以根據(jù)系統(tǒng)需求,選擇強(qiáng)制PWM模式或者自動(dòng)PFM模式。我們?yōu)檫@款升壓轉(zhuǎn)換器提供兩種形式的封裝,分別是尺寸為1.2mm x 1.6mm的SOT封裝和尺寸為1.2mm x 0.8mm 的WCSP封裝,可以滿足廣大客戶的多樣需求。


34.png


目前,最為常見的可穿戴產(chǎn)品是智能手表或智能手環(huán),為了測(cè)量佩戴者的血氧、心率等生物信號(hào),通常智能手表中會(huì)有用于生物信號(hào)檢測(cè)的光學(xué)傳感器模塊,升壓轉(zhuǎn)換器TPS61299可用于為這類模塊進(jìn)行供電。一般來說,生物信號(hào)檢測(cè)模塊并非持續(xù)工作,而是間隔一段時(shí)間對(duì)信號(hào)進(jìn)行一次采集,這就要求前端的升壓轉(zhuǎn)換器具有較低的靜態(tài)電流以減小能量損耗,同時(shí)也需要高速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)來保證實(shí)現(xiàn)精確的信號(hào)采集。TPS61299在TPS61099的基礎(chǔ)上優(yōu)化了這些性能,使新一代產(chǎn)品能夠更好地滿足客戶系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求。


35.png


作為德州儀器2023年發(fā)布的升壓轉(zhuǎn)換器中的明星產(chǎn)品,TPS61299以其超低靜態(tài)電流、高效率、快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)、小尺寸等優(yōu)勢(shì)有效地適配了個(gè)人電子產(chǎn)品中可穿戴設(shè)備的應(yīng)用。您可在官方產(chǎn)品頁(yè)面中查看產(chǎn)品詳細(xì)信息、技術(shù)文檔等資料,或購(gòu)買本產(chǎn)品及評(píng)估版。


作者:Eileen Zhang



免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。


推薦閱讀:


幾種紅外LED反向擊穿類型

對(duì)比兩個(gè)具有無(wú)限間斷點(diǎn)信號(hào)的頻譜

千億級(jí)遠(yuǎn)程醫(yī)療市場(chǎng)爆發(fā),互聯(lián)醫(yī)療設(shè)備如何應(yīng)對(duì)需求多樣化?

SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)

第4代SiC MOS、1700V驅(qū)動(dòng)…意法半導(dǎo)體透露了這些重點(diǎn)

特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉