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如何控制原邊振鈴

發(fā)布時間:2022-02-07 責任編輯:wenwei

【導讀】反激電源是最常用的拓撲之一。其變壓器漏感常會引起原邊振鈴,并導致會損壞 MOSFET 的電壓尖峰。因此,通過變壓器和MOSFET 組件的合理設計來控制振鈴非常重要。針對如何降低漏感,MPS 引入了一種 RCD 鉗位電路設計策略,下面我們將對此進行詳細地描述。

 

RCD 鉗位電路設計

 

在反激電路中,一旦 MOSFET 管關斷,變壓器就會將原邊的能量傳輸?shù)礁边?,但漏感能量卻無法被轉移,這會導致電路中的雜散電容產(chǎn)生振鈴。漏感是產(chǎn)生振鈴的根本原因,它占總電感量的 1% 至 5%,但卻無法完全消除。不過,我們可以通過特殊的繞線方法來降低漏感。

 

圖 1 顯示的三明治繞線法(夾心繞線法)是降低漏感的一種傳統(tǒng)方法。與制作三明治的過程類似,原邊繞組(NP)被一分為二,然后將副邊繞組(NS)依次纏繞在一半的NP、輔助繞組和剩下的一半NP上。


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圖 1:降低漏感的夾心繞線法


圖2顯示了MOSFET關斷后的逆變電路,此時MOSFET兩端的電壓由三部分組成:最大輸入電壓(VINMAX)、副邊折射電壓(VOR = n x VO)和振鈴產(chǎn)生的峰值電壓(VSPIKE)。 在輸入輸出電壓、匝數(shù)比(n)和MOSFET選定的情況下,應盡可能抑制VSPIKE,以確保MOSFET工作在應力范圍之內。工程師通常會選擇 RCD 鉗位電路來抑制振鈴,因為它設計簡單、成本低廉并且能夠有效抑制電壓尖峰。

 

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圖 2:抑制峰值電壓以確保 MOS 工作在應力范圍之內


正確選擇 RCD 鉗位電路至關重要,因為不理想的電阻和電容值會增加 MOSFET 的應力或電路功耗。 圖 3 顯示出,當 MOSFET 導通時,能量存儲在勵磁電感 (LM) 和漏電感 (LS) 中;當 MOSFET 關斷時,LM 中的能量被轉移到副邊,但漏感能量不會轉移。漏感會被釋放以導通D1,并為 C1充電。一旦充電電壓達到 VCLAMP,則D1 關斷,C1 通過R1放電。

 

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圖 3:MOSFET 導通/關斷時的能量傳輸


選擇R1 時,需要考慮電阻功率 1/3的降額。根據(jù)能量守恒原理,R1 可由公式(1)計算得出:

 

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鉗位電容 (C1) 應足夠大,以便在吸收漏感能量的同時實現(xiàn)低脈動電壓。脈動電壓通常取鉗位電壓的 5% 至10% 。要確定 C1的最小值,需要考慮其寄生 R 和 L 較小。最小C1可以通過公式 (2) 來計算:


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MPS解決方案

 

MPS 提供了優(yōu)秀的電源解決方案以優(yōu)化原邊調節(jié) (PSR)。MPX2002 是一款一體化反激控制器,它具有集成的原邊驅動電路、副邊控制器、同步整流驅動器以及安全合規(guī)反饋。其同步整流器 (SR)可以匹配原邊 MOSFET 驅動信號,從而實現(xiàn)連續(xù)導通模式 (CCM) 下的安全運行。MPX2002 無需輔助繞組來驅動下管 SR MOSFET,即使在輸出不足的情況下也是如此。這種方案改進了圖 1 中的傳統(tǒng)三明治繞線法。

 

MP8017是一款兼容IEEE 802.3af 標準的以太網(wǎng)供電 (PoE) 受電設備 (PD)。它專為反激拓撲中的有源鉗位原邊調節(jié)(PSR)而設計;也可以通過在副邊放置一個光耦合器,針對有源鉗位反激拓撲設置為副邊調節(jié) (SSR)。

 

結論

 

RCD電路設計可以作為一種簡單有效的抑制方法來控制反激原邊振鈴。通過審慎選擇電阻和電容,鉗位電路可以更好地吸收漏感能量。另外,RCD鉗位電路不消耗主勵磁電感能量,而且可以降低峰值電壓和功率器件的開關應力。


來源:MPS



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