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開關(guān)電源設(shè)計(jì)中的頻率選擇(上)

發(fā)布時(shí)間:2022-02-07 來源:芯源系統(tǒng) 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】頻率是開關(guān)電源的一個基本屬性,它代表了直流電壓開啟和關(guān)斷的速率。了解開關(guān)頻率就可以了解實(shí)際應(yīng)用中電源線路的工作原理。本文是開關(guān)頻率設(shè)計(jì)相關(guān)系列文章中的上篇。

 

本篇將討論如何計(jì)算開關(guān)頻率的關(guān)鍵變量,以及如何實(shí)現(xiàn)更高的頻率。下篇將介紹如何在實(shí)際應(yīng)用中針對一定的頻率范圍設(shè)計(jì)開關(guān)電源。

 

開關(guān)頻率相關(guān)原理

 

開關(guān)電源利用開關(guān)動作將直流電轉(zhuǎn)換為特定頻率的脈沖電流能量。電能按照預(yù)定的要求釋放,電感能量和電容能量存儲在電路組件中。與人類的心率可以代表健康狀況類似,規(guī)律且自我調(diào)節(jié)的開關(guān)頻率也代表了開關(guān)電源的質(zhì)量(參見圖 1)。所以,開關(guān)頻率是開關(guān)電源的關(guān)鍵指標(biāo)之一。

 

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圖 1:開關(guān)頻率是開關(guān)電源的質(zhì)量指標(biāo)之一

 

規(guī)律的開關(guān)動作是開關(guān)電源工作的主要機(jī)制,頻率在電路計(jì)算中也起到?jīng)Q定性的作用。例如一個降壓電路,其頻率 (fS) 決定了電感電流紋波 (ΔIL) 和輸出電壓紋波 (VRIPPLE)。 fS 和紋波幅度成近似反比關(guān)系,這意味著頻率越高,紋波越小。ΔIl 可以用公式 (1) 來計(jì)算:

 

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VRIPPLE可以用公式 (2) 來計(jì)算:


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從公式 (2) 可以看出,頻率fs、電感L的乘積,以及頻率fs和輸出電容C的乘積,作為因子影響計(jì)算結(jié)果。

 

存儲的電感和電容能量可以使用公式 (3) 來計(jì)算:

 

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在其他條件相同的情況下,提高頻率可以降低對電感量和電容值,同時(shí)也會對器件體積進(jìn)行優(yōu)化,其實(shí)質(zhì)是頻率提高,單次需要儲存的能量更少,這樣就降低了對儲能元件的要求;另外,頻率越高,輸出紋波越小,還可以提高電源質(zhì)量。

 

提高頻率帶來的其他問題

 

增加fS也會增加損耗,并直接影響電源的三個核心指標(biāo):開關(guān)電源損耗、效率和散熱。例如一個降壓電路,其大部分損耗由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗組成。而開關(guān)頻率直接影響開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗。

 

驅(qū)動損耗是 MOSFET 寄生電容(CGS 和CGD)在驅(qū)動電壓下的驅(qū)動電流損耗(見圖 2)。 這種損耗主要來自MOSFET管的寄生充放電(QG)。

 

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圖2: 驅(qū)動電流損耗


驅(qū)動損耗可以用公式(4)來估算:

 

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對于開關(guān)損耗,我們以MOSFET管的導(dǎo)通過程為例。每當(dāng)MOSFET 導(dǎo)通,電壓和電流都會發(fā)生變化。 圖 3 顯示出,開關(guān)損耗與開關(guān)頻率成正比,而 VDS 和IDS 之間的重疊區(qū)域即表示開關(guān)損耗。

 

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圖 3:電壓和電流變化之間的開關(guān)損耗


要降低開關(guān)損耗,就需要提高開關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷的邊沿速度,也就是加快 IDS 和VDS變化的速度,從而直接減小重疊區(qū)域面積。利用公式 (5) 可以估算出開關(guān)損耗:

 

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不過,這種方法將加劇高頻方波,對高頻EMI造成不利影響。開關(guān)準(zhǔn)方波信號的傅立葉變換表明, fS 以及開關(guān)的上升沿和下降沿速度對信號增益都有顯著的影響。隨著 fS 的增加,系統(tǒng)的諧波失真也會加劇,從而導(dǎo)致 EMI性能下降(參見圖 4)。為了提高在更高頻率下的效率,必須嚴(yán)格把關(guān) EMI 的設(shè)計(jì)。

 

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圖 4:增加頻率將導(dǎo)致 EMI 降級


在電路EMI設(shè)計(jì)中,固定頻率開關(guān)電源具有單頻點(diǎn),因此能量集中在頻點(diǎn)和倍頻點(diǎn)附近,這導(dǎo)致了較高的EMI噪聲。要優(yōu)化 EMI,可以在一定范圍內(nèi)利用頻率抖動來分散噪聲信號的能量,從而降低噪聲峰值(見圖 5)。

 

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圖 5:利用頻率抖動優(yōu)化 EMI


隨著 EMI 解決方案的演進(jìn),高頻設(shè)計(jì)變得愈加復(fù)雜。除了頻率抖動設(shè)計(jì),為電源設(shè)計(jì)輕載開關(guān)頻率也需要認(rèn)真的考量。例如,固定頻率模式和頻率可調(diào)模式的差別會體現(xiàn)在電路的動態(tài)特性、輕載效率、靜態(tài)功耗等各個方面。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場景,這些差異應(yīng)在電源設(shè)計(jì)過程之初就確定下來。

 

結(jié)論

 

本文介紹了受開關(guān)頻率影響的核心電路指標(biāo)計(jì)算方法,還探究了由較高頻率導(dǎo)致的不同類型損耗。該系列的另一篇文章將討論三種不同頻率范圍的實(shí)際應(yīng)用場景。通過了解開關(guān)電源頻率設(shè)計(jì)的基本原理,電源工程師能夠?qū)崿F(xiàn)電能質(zhì)量和儲能組件效率的提升。


來源:芯源系統(tǒng)



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