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IR推出提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的40V至200V車用MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2011-09-20 來源:IR公司

產(chǎn)品特性:

  • 提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻
  • 電壓范圍從 40V 至 200V
  • 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保,不含鉛

應(yīng)用范圍:

  • 電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、集成式起動(dòng)發(fā)電泵和電機(jī)控制
  • 內(nèi)燃機(jī)  (ICE)  和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)上的重載應(yīng)用


全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列,可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ,包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)  (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī)  (ISA)  泵和電機(jī)控制,以及內(nèi)燃機(jī)  (ICE)  和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)上的其它重載應(yīng)用。

全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝,電壓范圍從 40V 至 200V。標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平柵級(jí)驅(qū)動(dòng) MOSFET 都為 IR 車用塑料封裝 MOSFET 產(chǎn)品系列設(shè)定了導(dǎo)通電阻性能新標(biāo)準(zhǔn)?;鶞?zhǔn)導(dǎo)通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐,60V 下最大為2.1 毫歐,75V 下為 2.6 毫歐,100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達(dá) 240A。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR 全新車用溝道 MOSFET 系列可在下一代汽車應(yīng)用,包括集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī)和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能。”

所有 IR 車用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念,并經(jīng)過了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及 100% 自動(dòng)晶圓級(jí)目視檢查。AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過1, 000 次溫度循環(huán)測試后,導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過 20%。然而,經(jīng)過延長測試后,IR 的新款 AU 物料單在 5,000 次溫度循環(huán)時(shí)的最大導(dǎo)通電阻變化不到 10%,體現(xiàn)了該物料單的高強(qiáng)度和耐用性。

新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),所采用的材料環(huán)保,不含鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

產(chǎn)品規(guī)格


邏輯電平柵級(jí)驅(qū)動(dòng)

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