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IR推出25V及30V PQFN功率MOSFET系列適用于工業(yè)負載點應(yīng)用

發(fā)布時間:2010-11-22 來源:IR

MOSFET系列的產(chǎn)品特性:這是一張照片!
  • 采用HEXFET MOSFET硅器件
  • 采用PQFN 3 x 3封裝
  • 極低的導(dǎo)通電阻
  • 加強了熱傳導(dǎo)率
  • 符合工業(yè)標準及MSL1濕度敏感性測試
MOSFET系列的應(yīng)用范圍:
  • 電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺式機及筆記本電腦的DC-DC轉(zhuǎn)換器


全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件,采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝,為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺式機及筆記本電腦應(yīng)用的DC-DC轉(zhuǎn)換器提供了高密度、可靠和高效率的解決方案。
 
IR的新款高性能PQFN 3 x 3封裝是生產(chǎn)技術(shù)改進的成果,以全新緊湊的占位空間提供比標準PQFN 3 x 3器件高出多達60%的負載電流能力,同時極大地減少了整體封裝電阻,從而達到極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 。除了低導(dǎo)通電阻,新的高性能PQFN封裝加強了熱傳導(dǎo)率并提高了可靠性,且符合工業(yè)標準及MSL1濕度敏感性測試。
   
這一高性能PQFN封裝技術(shù)也適用于5 x 6 mm占位面積的器件,與標準PQFN 5 x 6 器件相比,在設(shè)計要求更多電流時無需增加額外占位面積。
   
該系列產(chǎn)品包括用作控制MOSFET的優(yōu)化器件,具有低柵極導(dǎo)通電阻 (Rg) ,以減少開關(guān)損耗。在同步MOSFET應(yīng)用方面,新器件以FETKY (單片式FET及肖特基二極管) 配置形式提供,從而縮短反向恢復(fù)時間,以提高效率和EMI性能。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“全新系列高性能PQFN封裝器件專為DC-DC應(yīng)用優(yōu)化,是非??煽壳异`活的高密度解決方案。此外,隨著IR對PQFN產(chǎn)品的擴展,客戶現(xiàn)在可以從眾多封裝組合中挑選出使他們的設(shè)計達到最佳效果的產(chǎn)品。”

新器件的高度小于1 mm,與現(xiàn)有表面貼裝技術(shù)兼容,并擁有行業(yè)標準引腳,還符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。

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