- 2011半導(dǎo)體業(yè)資本支出創(chuàng)最高紀(jì)錄
- SEMI預(yù)期整體半導(dǎo)體產(chǎn)能也將放緩
- 2011年半導(dǎo)體設(shè)備支出最高是美國(guó)，約占100億美元
- 韓將在明年超過(guò)100億美元晶圓廠設(shè)備支出的投資位居榜首
最新消息，據(jù)外媒報(bào)道，根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)的報(bào)告顯示，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出將在2011年增加到411億美元的最高紀(jì)錄；同時(shí)，SEMI預(yù)期整體半導(dǎo)體產(chǎn)能也將放緩。
SEMI預(yù)計(jì)2011年將有223座廠房新增設(shè)備投資，其中有77項(xiàng)是專門針對(duì)LED設(shè)備投資的計(jì)劃。明年，預(yù)計(jì)還將有190座廠房將展開(kāi)或繼續(xù)裝機(jī)，其中有72項(xiàng)是LED設(shè)備相關(guān)投資計(jì)劃。
2011年設(shè)備支出最高的地區(qū)是美國(guó)，約占100億美元；其次是臺(tái)灣，約有90億美元的投資。美洲地區(qū)在2002年時(shí)也曾位居設(shè)備投資支出之冠。
盡管英特爾(Intel)公司的設(shè)備投資支出最高，但美國(guó)成為設(shè)備支出之冠的另一項(xiàng)關(guān)鍵因素在于三星公司(Samsung)于美國(guó)德州打造一座造價(jià)25～30億美元的“S2產(chǎn)線”。根據(jù)SEMI的全球晶圓廠預(yù)測(cè)(World Fab Forecast)報(bào)告，韓國(guó)將在2012年時(shí)超越美國(guó)，以超過(guò)100億美元晶圓廠設(shè)備支出的投資位居榜首，其次是臺(tái)灣約92億美元的設(shè)備支出。
“近幾個(gè)月來(lái)的經(jīng)濟(jì)發(fā)展，使得消費(fèi)者信心指數(shù)與支出下降，連帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也受這一低迷景氣拖累。”SEMI產(chǎn)業(yè)研究與統(tǒng)計(jì)部門的晶圓廠信息資深分析師Christian Gregor Dieseldorff在一份報(bào)告中表示。
展望未來(lái)，業(yè)界可能無(wú)法抵擋快速增加的需求，例如在NAND閃存市場(chǎng)。SEMI表示，讓一座晶圓廠從破土動(dòng)工到實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)約需要一年半的時(shí)間，那么，為了要在2012年或2013年看到產(chǎn)能的增加，建造新廠的計(jì)劃必須從現(xiàn)在開(kāi)始！
