產(chǎn)品特性：

• 采用業(yè)界標準SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on))
• 支持-30V至100V的電壓
• 采用IR最新的中壓硅技術(shù)

應(yīng)用范圍：

• 電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負載開關(guān)、輕載電機驅(qū)動，以及電信設(shè)備

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標準SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負載開關(guān)、輕載電機驅(qū)動，以及電信設(shè)備等應(yīng)用。

新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術(shù)，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應(yīng)用優(yōu)化了性能及價格。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這個全新的SOT-23 MOSFET系列支持從 -30V至100V的寬電壓范圍，并提供不同水平的 RDS(on) 和柵極電荷 (Qg) ，從而為追求緊湊、高效率及低成本解決方案的客戶帶來更佳、更廣泛的設(shè)計選擇。”

新器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 業(yè)界標準，所采用的材料不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。