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SiA975DJ:雙路12V P溝道TrenchFET功率MOSFET

發(fā)布時間:2010-04-13 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

產(chǎn)品特性:
  • 具有超低的導(dǎo)通電阻
  • 采用2mm x 2mm占位面積PowerPAK SC-70封裝
應(yīng)用范圍:
  • 游戲機及手機、智能手機、PDA和MP3播放器等


Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款雙路12V P溝道TrenchFET功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今為止雙路P溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻,采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝。 

通過推出SiA975DJ,Vishay將其第三代P溝道TrenchFET技術(shù)擴展到雙路12V功率MOSFET,并且采用了適用于手持式電子設(shè)備的超小PowerPAK SC-70封裝。新器件可用于游戲機及手機、智能手機、PDA和MP3播放器等便攜式設(shè)備中的負載、PA和電池開關(guān)。 

對于這些設(shè)備,SiA975DJ的更低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗,使器件能夠用比以往市場上采用超小封裝的雙路P溝道功率MOSFET更少的能量完成開關(guān)工作,從而延長兩次充電之間的電池壽命。MOSFET的低導(dǎo)通電阻還意味著在峰值電流下的電壓降更低,能夠更好地防止IC和負載出現(xiàn)欠壓鎖定情況。這樣,設(shè)計者就可以使用電壓更低的電池。 

SiA975DJ具有超低的導(dǎo)通電阻,在4.5V、2.5V和1.8V下的導(dǎo)通電阻分別為41mΩ、60mΩ和110mΩ。最接近的20V P溝道器件的柵源電壓等級為8V,在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下的導(dǎo)通電阻為60mΩ和80mΩ。這些數(shù)值分別比SiA975DJ高32%和25%。 

SiA975DJ的PowerPAK SC-7封裝占位只有2mm x 2mm,是TSOP-6尺寸的一半,而導(dǎo)通電阻則相差無幾。MOSFET經(jīng)過了100%的Rg測試,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范,符合RoHS指令2002/95/EC。 

新款SiA975DJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十六周。

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