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Toshiba-components推出低導(dǎo)通電阻 快速轉(zhuǎn)換的30V MOSFET

發(fā)布時間:2009-12-24 來源:中電網(wǎng)

產(chǎn)品特性:
  • 5個N溝道MOSFET和1個MOSBD
  • 提供了低電感結(jié)構(gòu)
  • 額定電流范圍為13A~26A
  • 輸入電容從999~2200微微法
  • 反向傳輸電容為54~140pF
應(yīng)用范圍:


東芝美國電子元器件公司(TAEC)提供采用TSON高級封裝的6個器件30V MOSFET。這些新器件可用于同步DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,包括移動和臺式電腦、服務(wù)器、游戲機和其它電子器件領(lǐng)域,它們需要用于子系統(tǒng)如:處理器、存儲器和其它點負(fù)載器件的輸入電壓轉(zhuǎn)換。(Toshiba)器件由東芝公司開發(fā),采用15和16代UMOS V-H和UMOS VI-H處理技術(shù),實現(xiàn)低側(cè)MOSFET的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷(QSW)的高側(cè)MOSFET的快速轉(zhuǎn)換速度。薄型、緊湊型3.3mmx3.3mmx0.9mm TSON高級封裝,與廣泛采用5.0mmx6.0mm SOP-8封裝相比,降低了64%的安裝面積,同時達到了1.9W的同等功耗。

新產(chǎn)品包括5個N溝道MOSFET和1個MOSBD,MOSBD的單芯片組合了MOSFET和肖特基阻擋二極管,提供了低電感結(jié)構(gòu),因此提高了能源效率。該產(chǎn)品提供了一系列的特性,使設(shè)計人員能夠滿足不同的系統(tǒng)要求。額定電流范圍為13A~26A,RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2毫歐(mΩ),輸入電容從999~2200微微法(pF)(典型值),反向傳輸電容(Crss)為54~140pF(典型值)。

價格和供貨情況:

現(xiàn)可提供Toshiba MOSFET系列的最新推出的產(chǎn)品樣品,采用TSON封裝,已開始大規(guī)模生產(chǎn)。樣品數(shù)量價格起價為$0.35。


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