【導(dǎo)讀】眼下設(shè)計去世的不斷演進(jìn)，對設(shè)計的要求也越來越高。而設(shè)計尺寸的增長液成為EDA驗證工具的負(fù)擔(dān)。動態(tài)功率估算工具就是其中之一。本文就談?wù)勔呀?jīng)達(dá)到SoC設(shè)計限制的動態(tài)功率估算。
總有一些刺激因素誘使著客戶頻繁升級他們的移動設(shè)備。其中包括更多功能和改進(jìn)的用戶體驗，更具吸引力的用戶界面，更輕的重量、更持久的電池壽命等等，不勝枚舉。從各方面考慮，似乎持久的電池壽命位居榜首，而更長的電池壽命直接關(guān)系到更低的功耗。
自從五十年前Noyce和Kilby發(fā)明平面集成電路以來，微電子產(chǎn)品的功耗經(jīng)歷了一段穩(wěn)定下降期。平面技術(shù)使得縮放（縮小）固態(tài)器件成為可能。晶體管尺寸越小，同一區(qū)域內(nèi)容納的晶體管數(shù)量就越多，切換速度就越快，所消耗的能量就會越少，而芯片運行時的溫度也會越低（相較于相同數(shù)量的晶體管而言）。
在歷史上，微電子產(chǎn)品發(fā)展的衡量標(biāo)準(zhǔn)一直著眼于場效應(yīng)晶體管中源極和漏極之間硅通道的長度（被稱為工藝技術(shù)節(jié)點）。上世紀(jì)60年代初，該節(jié)點為50微米。十年后，這一數(shù)字下降到了1微米以下，而到了2003年，則達(dá)到100納米以下，開啟了納米技術(shù)時代。
在前二十年，由于漏電問題，晶體管未切換且空閑時的靜態(tài)功耗遠(yuǎn)小于晶體管切換狀態(tài)下的動態(tài)功耗，小到可以忽略不計。到了180納米時，靜態(tài)功耗開始飛速上升，到了2005年，由于節(jié)點降到了65納米以下，靜態(tài)功耗超過了動態(tài)功耗。
不必?fù)?dān)心。FinFET或3D晶體管的發(fā)明及時地拉住了滑向消失深淵的平面晶體管。
FinFET預(yù)計可減少多達(dá)90%的靜態(tài)泄漏電流，并且僅使用等效平面晶體管50%的動態(tài)功率。與平面等效晶體管相比，F(xiàn)inFET晶體管在同等功耗下運行速度更快，或在同等性能下功耗更低。有了FinFET，設(shè)計團(tuán)隊可以更好地平衡產(chǎn)量、性能和功率，滿足各個應(yīng)用程序的需求。
功率估算挑戰(zhàn)
如前所述，更低的工藝節(jié)點帶來了更高的晶體管密度，這使設(shè)計團(tuán)隊有機(jī)會在其中加入越來越多的功能。如今，在最大型的設(shè)計中，晶體管數(shù)量超過了100億。遺憾的是，設(shè)計尺寸的增長趨勢勢不可擋，這也一直都是 EDA驗證工具的一個沉重負(fù)擔(dān)。動態(tài)功率估算工具即是其一。我們可以假定，電路的動態(tài)功耗與電路在運行時發(fā)生的邏輯轉(zhuǎn)換次數(shù)成比例。因此，要精確地估計和優(yōu)化數(shù)字電路的功率，我們需要記錄每個時鐘周期內(nèi)每個設(shè)計元素的切換活動，并將該活動饋入工具執(zhí)行功率相關(guān)的任務(wù)中。
在不跟蹤相應(yīng)周期的情況下記錄切換活動可獲得運行時段內(nèi)的平均功耗。通過添加按周期記錄的信息可以跟蹤峰值功耗。
我們直覺上會假設(shè)記錄切換活動的準(zhǔn)確性會隨著設(shè)計說明從高層次抽象下降到門級，進(jìn)而又下降到晶體管級而增加，原因是可用的設(shè)計詳細(xì)信息越來越多。
現(xiàn)在的困境是，在電子系統(tǒng)級(ESL)，設(shè)計人員在對比多個架構(gòu)、多種場景或軟件算法并實現(xiàn)最佳功率優(yōu)化方案上擁有了前所未有的靈活性。糟糕的是，在說明級別，功率估算卻不夠準(zhǔn)確。在門級，可以獲得的詳細(xì)信息極少，靈活性也非常有限，僅可支持完成邊緣優(yōu)化，在晶體管級更是如此。而在寄存器傳輸級(RTL)，似乎可以實現(xiàn)最佳折中。既可以獲得足夠的詳細(xì)信息來實現(xiàn)功率的適當(dāng)估算，又有足夠的靈活性來實現(xiàn)較大的功率優(yōu)化。
動態(tài)功耗在很大程度上取決于應(yīng)用于其主要輸入設(shè)備的激勵或在嵌入式SoC設(shè)計時代由嵌入式處理器執(zhí)行的嵌入式軟件所觸發(fā)的設(shè)計內(nèi)的活動。也就是說，通過啟動操作系統(tǒng)或執(zhí)行驅(qū)動程序、應(yīng)用程序或診斷。
諸如模擬器和仿真器等驗證引擎是用于跟蹤切換活動的完美工具。要提醒的是，模擬器的執(zhí)行速度主要取決于設(shè)計級別說明、設(shè)計大小和應(yīng)用于設(shè)計的激勵類型。為了減輕并消除此類依賴，同時為了處理嵌入式軟件，只有仿真器可以在合理的時間段內(nèi)執(zhí)行這一挑戰(zhàn)性任務(wù)。
截至目前，估算功耗一直采用兩步法：第一步，模擬器或仿真器會在一個交換格式 (SAIF) 文件中跟蹤并累積整個運行過程中的切換活動，或在快速信號數(shù)據(jù)庫(FSDB)文件中按周期記錄每個信號的切換活動。第二步，使用一個饋入SAIF文件的功率估算工具計算整個電路的平均功耗，或使用饋入FSDB文件的功率估算工具計算設(shè)計時間和空間內(nèi)的峰值功率。
上述機(jī)制對于SoC設(shè)計而言有兩個問題。SAIF和FSDB文件巨大且?guī)缀鯚o法管理，且需要長期維護(hù)。在十億門設(shè)計時代，這兩個問題結(jié)合在一起使上述方法沒有了用武之地。
相關(guān)閱讀：
功率半導(dǎo)體器件大全，應(yīng)有盡有全都在這了！
半導(dǎo)體開創(chuàng)新紀(jì)元！可穿戴醫(yī)療設(shè)備有救了
安森美半導(dǎo)體為您解讀汽車電源轉(zhuǎn)型
