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傳導(dǎo)式EMI的測(cè)量技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2008-09-30 來(lái)源:52RD硬件研發(fā)

 中心論題:

  • 射頻能量經(jīng)由電源線(xiàn)傳送時(shí)對(duì)PCB的影響。
  • 傳導(dǎo)式EMI分為差模和共模兩類(lèi)。
  • 傳導(dǎo)式EMI的測(cè)量方法。
  • 傳導(dǎo)式EMI的限制。
解決方案:
  • 用數(shù)學(xué)方法分離L和N線(xiàn)路上所測(cè)得的電流。
  • LISN應(yīng)用到離線(xiàn)的電源供應(yīng)電路中測(cè)量EMI。
  • 選擇50歐姆電阻模擬高頻訊號(hào)的輸入阻抗。
傳導(dǎo)式”(conducted)EMI是指部分的電磁(射頻)能量透過(guò)外部纜線(xiàn)(cable)、電源線(xiàn)、I/O互連介面,形成“傳導(dǎo)波”(propagation wave)被傳送出去。本文將說(shuō)明射頻能量經(jīng)由電源線(xiàn)傳送時(shí),所產(chǎn)生的“傳導(dǎo)式雜訊”對(duì)PCB的影響,以及如何測(cè)量“傳導(dǎo)式EMI”和FCC、CISPR的EMI限制規(guī)定。

差模和共模雜訊

“傳導(dǎo)式EMI”可以分成兩類(lèi):差模(Differential mode;DM)和共模(Common mode;CM)。差模也稱(chēng)作
對(duì)稱(chēng)模式(symmetric mode)正常模式(normal mode);而
共模也稱(chēng)作不對(duì)稱(chēng)模式(asymmetric mode)接地泄漏模式(ground leakage mode)。
 
由EMI產(chǎn)生的雜訊也分成兩類(lèi):差模雜訊和共模雜訊。簡(jiǎn)言之,差模雜訊是當(dāng)兩條電源供應(yīng)線(xiàn)路的電流方向互為相反時(shí)發(fā)生的,如圖1(a)所示。而共模雜訊是當(dāng)所有的電源供應(yīng)線(xiàn)路
的電流方向相同時(shí)發(fā)生的,如圖1(b)所示。一般而言,差模訊號(hào)通常是我們所要的,因?yàn)樗艹休d有用的資料或訊號(hào);而共模訊號(hào)(雜訊)是我們不要的副作用或是差模電路的“副產(chǎn)品,它正是EMC的最大難題。從圖一中,可以清楚發(fā)現(xiàn),共模雜訊的發(fā)生大多數(shù)是因?yàn)?ldquo;雜散電容(stray capacitor)的不當(dāng)接地所造成的。這也是為何共模也稱(chēng)作“接地泄漏模式的原因。
 
在圖二中,L是
有作用(Live)相位(Phase)的意思,N是中性(Neutral)的意思,E是安全接地或接地線(xiàn)(Earth wire)的意思;EUT是測(cè)試中的設(shè)備
(Equipment Under Test)之意思。在E下方,有一個(gè)接地符號(hào),它是采用國(guó)際電工委員會(huì)(International Electrotechnical Commission;IEC)所定義的有保護(hù)的接地(Protective Earth)之符號(hào)(在接地線(xiàn)的四周有一個(gè)圓形),而且有時(shí)會(huì)以PE來(lái)注明。DM雜訊源是透過(guò)L和N對(duì)偶線(xiàn),來(lái)推(push and pull)電流Idm。因?yàn)橛蠨M雜訊源的存在,所以沒(méi)有電流通過(guò)接地線(xiàn)路。雜訊的電流方向是根據(jù)交流電的周期而變化的。

電源供應(yīng)電路所提供的基本的交流工作電流,在本質(zhì)上也是差模的。因?yàn)樗鬟M(jìn)L或N線(xiàn)路,并透過(guò)L或N線(xiàn)路離開(kāi)。不過(guò),在圖二中的差模電流并沒(méi)有包含這個(gè)電流。這是因?yàn)楣ぷ?/span>
電流雖然是差模的,但它不是雜訊。另一方面,對(duì)一個(gè)電流源(訊號(hào)源)而言,若它的基本頻率是電源頻率(line frequency)的兩倍----100或120Hz,它實(shí)質(zhì)上仍是屬于直流,而且不是雜訊;即使它的諧波頻率,超過(guò)了標(biāo)準(zhǔn)的傳導(dǎo)式EMI之限制范圍(150 kHz to 30 MHz)。然而,必須注意的是,工作電流仍然保留有直流偏壓的能量,此偏壓是提供給濾波抗流線(xiàn)圈(filter choke)使用,因此這會(huì)嚴(yán)重影響EMI濾波器的效能。這時(shí),當(dāng)使用外部的電流探針來(lái)量測(cè)數(shù)據(jù)時(shí),很可能因此造成測(cè)量誤差。

返回路徑
對(duì)雜訊電流而言,真正的返回路徑(return path)是什么呢?

實(shí)體的電氣路徑之間的距離,最好是越大越好。因?yàn)槿绻麤](méi)有EMI濾波器存在的話(huà),部分的雜訊電流將會(huì)透過(guò)散布于各地的各種寄生性電容返回。其余部分將透過(guò)無(wú)線(xiàn)的方式返回,
這就是輻射;由此產(chǎn)生的電磁場(chǎng)會(huì)影響相鄰的導(dǎo)體,在這些導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生極小的電流。最后,這些極小的返回電流在電源供應(yīng)輸入端的總和會(huì)一直維持零值,因此不會(huì)違反Kirchhoff定律—在一封閉電路中,過(guò)一節(jié)點(diǎn)的電流量之代數(shù)和為零。

利用簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)公式,就可以將于L和N線(xiàn)路上所測(cè)得的電流,區(qū)分為CM電流和DM電流。但是為了避免發(fā)生代數(shù)計(jì)算的錯(cuò)誤,必須先對(duì)電流的“正方向
做一定義??梢约僭O(shè)若電流
由右至左流動(dòng),就是正方向,反之則為負(fù)方向。此外,必須記住的是:一個(gè)電流I若在任一線(xiàn)路中往一個(gè)方向流動(dòng)時(shí),這是等同于I往另一個(gè)方向流動(dòng)的(Kirchhoff定律)。

例如:假設(shè)在一條線(xiàn)路(L或N)上,測(cè)得一個(gè)由右至左流動(dòng)的電流2μA。并在另一條線(xiàn)路上,測(cè)得一個(gè)由左至右流動(dòng)的電流5μA。CM電流和DM電流是多少呢?就CM電路而言,假設(shè)
它的E連接到一個(gè)大型的金屬接地平面,因此無(wú)法測(cè)量出流過(guò)E的電流值(如果可以測(cè)得,那將是簡(jiǎn)單的Icm)。這和一般離線(xiàn)的(off-line)電源供應(yīng)器具有3條(有接地線(xiàn))或2條(沒(méi)有接地線(xiàn))電線(xiàn)不同,不過(guò),在后續(xù)的例子中,我們將會(huì)發(fā)現(xiàn)對(duì)那些接地不明的設(shè)備而言,其實(shí)它們具有一些泄漏(返回)路徑。

以圖一為例,假設(shè)第一次測(cè)量的線(xiàn)路是L(若選擇N為首次測(cè)量的線(xiàn)路,底下所計(jì)算出來(lái)的結(jié)果也是一樣的)。由此可以導(dǎo)出:
IL = Icm/2 + Idm= 2μA
IN = Icm/2 - Idm= -5μA
求解上面的聯(lián)立方程式,可以得出:
Icm = -3μA
Idm = 3.5μA
這表示有一個(gè)3μA的電流,流過(guò)E(這是共模的定義)。而且,有一個(gè)3.5μA的電流在L和N線(xiàn)路中來(lái)回流動(dòng)。

再舉一個(gè)例子:假設(shè)測(cè)得一個(gè)2μA的電流在一條線(xiàn)路中由右至左流動(dòng),而且在另一條線(xiàn)路中沒(méi)有電流存在,此時(shí),CM電流和DM電流為多少?
IL = Icm/2 + Idm= 2μA
IN = Icm/2 - Idm= 0μA
對(duì)上面的聯(lián)立方程式求解,可得出:
Icm = 2μA
Idm = 1μA

這是「非對(duì)稱(chēng)模式
的例子。從此結(jié)果可以看出,“非對(duì)稱(chēng)模式的一部分可以視為“不對(duì)稱(chēng)(CM)模式,而它的另一部分可視為“對(duì)稱(chēng)(DM)模式

傳導(dǎo)式EMI的測(cè)量
為了要測(cè)量EMI,我們必須使用一個(gè)“阻抗穩(wěn)定網(wǎng)路(Impedance Stabilization Network;ISN)。和ISN類(lèi)似的LISN已被應(yīng)用到離線(xiàn)的電源供應(yīng)電路中,其全名是「線(xiàn)路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)路(Line Impedance Stabilization Network;LISN)或“仿真的主要網(wǎng)路(Artificial Mains Network;AMN)。如圖三所示,那是一個(gè)簡(jiǎn)易的電路圖。若產(chǎn)品想要通過(guò)“國(guó)際射頻干擾特別委員會(huì)(International Special Committee on Radio Interference;CISPR)所制定的「CISPR 22限制(limits)規(guī)定,就必須采用符合CISPR 16規(guī)范所定義的LISN;CISPR 16是CISPR 22所參考的標(biāo)準(zhǔn)。

圖三:一個(gè)CISPR LISN的簡(jiǎn)易電路圖

使用LISN的目的是多重的。它是一個(gè)“干凈的
交流電源,將電能供應(yīng)給電源供應(yīng)器。接收機(jī)或頻譜分析儀可以利用它來(lái)讀出測(cè)量值。它提供一個(gè)穩(wěn)定的均衡阻抗,即使雜訊是
來(lái)自于電源供應(yīng)器。最重要的是,它允許測(cè)量工作可以在任何地點(diǎn)重覆進(jìn)行。對(duì)雜訊源而言,LISN就是它的負(fù)載。

假設(shè)在此LISN電路中,L和C的值是這樣決定的:
電感L小到不會(huì)降低交流的電源電流(50/60Hz);但在期望的頻率范圍內(nèi)(150 kHz to 30 MHz),它大到可以被視為“開(kāi)路(open)。電容C小到可以阻隔交流的電源電壓;但在期望的頻率范圍內(nèi),它大到變成“短路(short)。上面的敘述(幾乎)是為真的。在圖三中,主要的簡(jiǎn)化部分是,纜線(xiàn)或接收機(jī)的輸入阻抗已經(jīng)被包含進(jìn)去了。將一條典型的同軸纜線(xiàn)連接到一臺(tái)測(cè)量?jī)x器(分析儀或接收機(jī)或示波器…等)時(shí),對(duì)一個(gè)高頻訊號(hào)而言,此纜線(xiàn)的輸入阻抗是50歐姆(因?yàn)閭鬏斁€(xiàn)效應(yīng))。所以,當(dāng)接收機(jī)正在測(cè)量這個(gè)訊號(hào)時(shí),假設(shè)在L和E之間,LISN使用一個(gè)“繼電/切換(relay/switch)電路,將實(shí)際的50歐姆電阻移往相反的配對(duì)線(xiàn)路上,也就是在N和E之間。如此就能使所有的線(xiàn)路在任何時(shí)候都能保持均衡,不管是測(cè)量VL或VN。

選擇50歐姆是為了要模擬高頻訊號(hào)的輸入阻抗,因?yàn)楦哳l訊號(hào)所使用的主要導(dǎo)線(xiàn)之阻抗值近似于50歐姆。此外,它可以讓一般的測(cè)量工作,在任何地點(diǎn)、任何時(shí)間重覆地進(jìn)行。值
得注意的是,電信設(shè)備的通訊埠是使用“阻抗穩(wěn)定網(wǎng)路,它是使用150歐姆,而不是50歐姆;這是因?yàn)橐话愕摹纲Y料線(xiàn)路(data line)之輸入阻抗值近似于150歐姆。
 
為了了解VL和VN,請(qǐng)參考圖四。共模電壓是25Ω乘以流向E的電流值(或者是50Ω乘以Icm/2)。差模電壓是100Ω乘以差模電流。因此,LISN提供下列的負(fù)載阻抗給雜訊源(沒(méi)有任
何的輸入濾波器存在):
CM負(fù)載阻抗是25Ω,DM負(fù)載阻抗是100Ω。

當(dāng)LISN切換時(shí),可以由下式得出雜訊電壓值:

VL=25ХIcm+50ХIdm 或 VN=25ХIcm - 50ХIdm

這是否意味著只要在L-E和N-E上做測(cè)量,就可以知道CM和DM雜訊的相對(duì)比例大???

其實(shí),許多人常有這樣的錯(cuò)誤觀念:“如果來(lái)自于電源供應(yīng)器的雜訊大部分是屬于DM的,則VL和VN的大小將會(huì)相等。如果雜訊是屬于CM的,則VL和VN的大小也會(huì)相等。但是,如果
CM和DM的輻射大小幾乎相等時(shí),則VL和VN的測(cè)量值將不會(huì)相同。
如果這樣的觀念正確的話(huà),那就表示即使在一個(gè)離線(xiàn)的電源供應(yīng)器中,L和N線(xiàn)路是對(duì)稱(chēng)的,但L和N線(xiàn)路上的輻射量還是不相等的。在某一個(gè)特殊的時(shí)間點(diǎn),兩線(xiàn)路上的個(gè)別雜訊大
小可能會(huì)不相等,但實(shí)際上,射頻能量是以交流的電源頻率,在兩條線(xiàn)路之間「跳躍著,如同工作電流一樣。所以,任何偵測(cè)器測(cè)量此兩條線(xiàn)路時(shí),只要測(cè)量的時(shí)間超過(guò)數(shù)個(gè)電壓周期,VL和VN的測(cè)量值差異將不會(huì)很大的。不過(guò),極小的差異可能會(huì)存在,這是因?yàn)橛懈鞣N不同的“不對(duì)稱(chēng)性存在。當(dāng)然,VL和VN的測(cè)量結(jié)果必須符合EMI的限制規(guī)定。

使用LISN后,就不需要分別測(cè)量CM和DM雜訊值,它們是利用上述的代數(shù)公式求得的。但有時(shí)還是需要各別測(cè)量CM和DM雜訊值,譬如:為了排除故障或診斷錯(cuò)誤。幸好有一些聰明的
方法可以達(dá)到各別測(cè)量的目的。我們舉兩個(gè)例子:
有一種裝置稱(chēng)作“LISN MATE
,不過(guò),目前已經(jīng)很少被使用了。它會(huì)衰減DM雜訊約50dB,但不會(huì)大幅衰減CM雜訊(約僅衰減4dB)。它的電路如圖五所示。

圖六是一種以變壓器為基礎(chǔ)的裝置,它是利用共模電壓無(wú)法使變壓器工作的原理;因?yàn)楸举|(zhì)上需要差動(dòng)的一次測(cè)電壓,才能使變壓器線(xiàn)圈內(nèi)的磁通量“
擺動(dòng)(swing)。它不像LISN MATE,此時(shí)CM和DM雜訊是一起輸出。不過(guò),上述的兩種方法都需要修改LISN電路。因?yàn)橐话愕腖ISN只提供VL或VN,無(wú)法同時(shí)提供這兩者。最好是購(gòu)買(mǎi)CM和DM雜訊有分離輸出的LISN。此外,也應(yīng)該要有總和檢視的功能,以確定是否有遵守技術(shù)規(guī)范的限制。


 

傳導(dǎo)式EMI的限制
對(duì)EMI而言,濾波器是做何用途呢?表一列出了FCC和CISPR 22的EMI限制規(guī)定。此表中比較特殊的是,除了可用dBμV計(jì)量以外,也可以用mV來(lái)計(jì)量。這對(duì)那些討厭使用對(duì)數(shù)(logarithm)計(jì)算的設(shè)計(jì)者而言很便利。

在對(duì)數(shù)的定義里:db=20log10[V1/V2] ,V1/V2是輸出入電壓的比值。所以,dBμV表示是以IμV為對(duì)數(shù)的比較基準(zhǔn)。下式是mV轉(zhuǎn)換成dBμV的公式:

(dBμV)=20Хlog[mV/10-6]

譬如:0.25mV可以透過(guò)公式,得出:20log10[0.25Х1,000/1] ≌48 dBμV。

而dBμV轉(zhuǎn)換成mV的公式如下:

(mV)=(10(dbμV)/20)Х10-3

表一:傳導(dǎo)式EMI的限制
 
必須注意的是,F(xiàn)CC并沒(méi)有規(guī)定平均的限制值,只規(guī)定了“準(zhǔn)峰值(quasi-peak)
。雖然,F(xiàn)CC有認(rèn)可CISPR 22的限制值。但是,F(xiàn)CC不允許兩者混用或并用。設(shè)計(jì)者必須擇一而從
。不過(guò),以目前的情況來(lái)看,F(xiàn)CC Part 15勢(shì)必會(huì)逐漸和CISPR 22完全一致的。

表二是dBμV與mV的快速轉(zhuǎn)換對(duì)查表,我們可以利用上述的公式來(lái)轉(zhuǎn)換dBμV、mV;或利用表二查得。
 
表二:dBμV與mV的對(duì)查表
再觀察一下表一中的類(lèi)別B,尤其是150 kHz至450 kHz,和450 kHz至500 kHz的區(qū)域。實(shí)際上,對(duì)CISPR而言,這是一個(gè)連續(xù)的區(qū)域,因?yàn)閐BμV對(duì)log(f)的限制線(xiàn)在150 kHz到500 kHz的區(qū)域內(nèi)是一條直線(xiàn)。在150 kHz至500 kHz之間,CISPR均限曲線(xiàn)(傳導(dǎo)式EMI)的任一點(diǎn)之dBμV值可由下式求出:

(dBμVAVG)= -19.07Хlog(?MHZ)+40.28

為了方便計(jì)算和記憶,上式可以改寫(xiě)成:

(dBμVAVG)= -20Хlog(?MHZ)+40

在這個(gè)區(qū)域內(nèi)的「準(zhǔn)峰值限制
正好比“平均限制高10dB。所以,在150 kHz至500 kHz之間,CISPR準(zhǔn)峰值限制曲線(xiàn)(傳導(dǎo)式EMI)的任一點(diǎn)之dBμV值可由下式求出:

(dBμVQP)= -19.07Хlog(?MHZ)+50.28

同樣的,上式也可以改寫(xiě)成:

(dBμVQP)= -20Хlog(?MHZ)+50
CISPR 22類(lèi)別B在150 kHz至500 kHz之間的限制值,實(shí)際上是上述的化約式。 就數(shù)學(xué)定義而言,AХlog(?MHZ)+c是一條直線(xiàn)(如果水平軸具有對(duì)數(shù)刻度),其斜率為A,當(dāng)頻率(f
)為1MHz時(shí),它通過(guò)c點(diǎn)。就CISPR 22類(lèi)別B而言,雖然它的dBμV直線(xiàn)在500 kHz處被截?cái)?,但是它的漸近線(xiàn)(asymptote)仍會(huì)通過(guò)40或50dBμV,這分別是「均限曲線(xiàn)和「準(zhǔn)峰值限制曲線(xiàn)的c點(diǎn)(亦即,頻率為1MHz時(shí)的dBμV值)。

例如:當(dāng)頻率為300 kHz時(shí),CISPR 22類(lèi)別B的EMI限制值是多少呢?利用上述的公式,均限值等于:
-19.07Хlog(0.3)+40.28=50.25dBμV

因?yàn)闇?zhǔn)峰值限制比均限值多10 dB,所以它是60.25 dBμV。

比較表一中的準(zhǔn)峰值限制,是否意味著當(dāng)超過(guò)450 kHz時(shí),F(xiàn)CC標(biāo)準(zhǔn)會(huì)比CISPR 22嚴(yán)格?首先,F(xiàn)CC標(biāo)準(zhǔn)是以美國(guó)國(guó)內(nèi)的電源電壓為測(cè)量基準(zhǔn);而CISPR則是使用更高的電源電壓來(lái)測(cè)
量。所以這是「淮橘成枳的問(wèn)題,不能相提并論。此外FCC雖然沒(méi)有定義均限值,但是當(dāng)CISPR 22的準(zhǔn)峰值限制和均限值之差超過(guò)6 dB以上時(shí),它放寬了限制(約13 dB)。因此,在實(shí)務(wù)上,符合CISPR標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品也會(huì)符合FCC的標(biāo)準(zhǔn)。

有人說(shuō):“頻率大約在5 MHz以下時(shí),雜訊電流傾向于以差模為主;但在5 MHz以上時(shí),雜訊電流傾向于以共模為主。
不過(guò)這種說(shuō)法缺乏根據(jù)。當(dāng)頻率超過(guò)20 MHz時(shí),主要的傳導(dǎo)
式雜訊可能是來(lái)自于電感的感應(yīng),尤其是來(lái)自于輸出纜線(xiàn)的輻射。本質(zhì)上這是共模。但對(duì)一個(gè)交換式轉(zhuǎn)換器而言,這并不是共模雜訊的主要來(lái)源。如表一所示,標(biāo)準(zhǔn)的傳導(dǎo)式EMI限制之頻率測(cè)量范圍是從150 kHz至30 MHz。為何頻率范圍不再向上增加呢?這是因?yàn)榈竭_(dá)30 MHz以后,任何傳導(dǎo)式雜訊將會(huì)被主要的導(dǎo)線(xiàn)大幅地衰減,而且傳輸距離會(huì)變短。但纜線(xiàn)當(dāng)然還會(huì)繼續(xù)輻射,因此“輻射限制的范圍實(shí)際上是從30MHz到1GHz。

結(jié)語(yǔ)
來(lái)自電源電路的EMI是很難察覺(jué)的。因?yàn)楣こ處煻剂?xí)慣將電源供應(yīng)器想像成一個(gè)“干凈的電源,殊不知,越是習(xí)以為常的元件,越可能是會(huì)發(fā)射EMI的“黑盒子。
 
 
 

 

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