【導(dǎo)讀】隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，越來越多的功能集中到尺寸越來越小的芯片中。絕大部分產(chǎn)品接口必須滿足抗浪涌的國際標(biāo)準(zhǔn)，如IEC 61000-4-5浪涌保護(hù)。而在一些工業(yè)系統(tǒng)中有著更長的產(chǎn)品壽命和在更惡劣的環(huán)境下工作的需求，因此一個(gè)好的浪涌保護(hù)方案是非常必要的。
多年來，行業(yè)中浪涌保護(hù)的主要選擇是SMA/SMB離散TVS二極管。盡管TVS二極管功率大，成本低，但因其隨溫度變化電特性改變和鉗位效率不高等因素，可能會(huì)導(dǎo)致整體的售后或品牌的損失，從而進(jìn)一步提升系統(tǒng)的成本。
為了克服這些缺點(diǎn)，同時(shí)保證系統(tǒng)的安全性和可靠性，Semtech公司設(shè)計(jì)使用了一種新型技術(shù)來實(shí)現(xiàn)浪涌的防護(hù)，即SurgeSwitch技術(shù)。這種技術(shù)最大的特點(diǎn)就是可以消除過電壓，提供精確的、平順的、與溫度無關(guān)的鉗位電壓，從而最大限度地保護(hù)系統(tǒng)。
今天我們就來為各位小伙伴介紹一下我們的SurgeSwitch產(chǎn)品，以及對比傳統(tǒng)TVS，它具有哪些優(yōu)勢。
1 IEC 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)
我們絕大多數(shù)產(chǎn)品接口都需要滿足IEC的浪涌測試，
IEC 61000-4-5波形是一個(gè)組合波形，開路電壓波形為1.2X50us， 短路電流波形為8X20us。波形如下：
在對產(chǎn)品的一些接口按IEC 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)做Surge測試時(shí)，需要靠近接口使用TVS，通過吸收浪涌電流來鉗位過壓Surge波形，保護(hù)后面的IC。
2 傳統(tǒng)TVS的保護(hù)
從傳統(tǒng)TVS的IV曲線圖可以看出，傳統(tǒng)工藝的TVS含有一定值的內(nèi)阻Rdyn。當(dāng)浪涌加載測試接口，TVS會(huì)吸收Ipp浪涌電流，并對過壓進(jìn)行鉗位，鉗位電壓值按上左圖計(jì)算：
Vclamp=VBR+Rdyn*IPP (VBR為TVS開啟電壓)
傳統(tǒng)TVS的VBR與Rdyn大小固定，Rdyn可高達(dá)歐姆級。當(dāng)有浪涌電流Ipp流過TVS時(shí)，會(huì)產(chǎn)生比工作電壓Vrwm大的多的鉗位電壓。為了保護(hù)后級的IC，IC可以通過自身提高安全電壓，但這帶來的成本顯然是終端客戶無法接受的。我們也可以考慮盡量減小TVS的Rdyn值，但傳統(tǒng)TVS結(jié)面積與硅的特性限制了Rdyn值。即使結(jié)面積做的非常大，Rdyn也會(huì)有百毫歐的數(shù)量級。這樣一個(gè)大浪涌過來時(shí)，雖然會(huì)有大的Ipp流過TVS，但相應(yīng)的鉗位電壓也是高的，并且結(jié)面積大的TVS也會(huì)有大的結(jié)電容、漏電流，封裝尺寸等問題。
3 Semtech SurgeSwitch技術(shù)
采用SurgeSwitch技術(shù)可以消除傳統(tǒng)TVS的這些弊端，SurgeSwitch技術(shù)下的鉗位電壓Vclamp=VBR，使得開發(fā)者設(shè)計(jì)保護(hù)電路時(shí)更容易。
特點(diǎn)：VBR=Vclamp，Rdyn趨近于0
4 SurgeSwitch與傳統(tǒng)TVS對比
? 浪涌鉗位波形
可以看出，在同等浪涌電流下的鉗位，SurgeSwitch的鉗位幅值以及鉗位過程相較于傳統(tǒng)的TVS，會(huì)更低且更平緩。
? 漏電流
SurgeSwitch相較于傳統(tǒng)TVS，漏電流更低。
? 功率隨溫度扭曲
傳統(tǒng)TVS規(guī)格書中的最大功率是常溫下測得的Ppk，但客戶產(chǎn)品在很多情況下卻應(yīng)用在高溫環(huán)境下。高溫下的傳統(tǒng)TVS結(jié)溫會(huì)上升，散熱能力下降，鉗位電壓會(huì)大幅增加，進(jìn)而功率Ppk會(huì)大幅減小。而SurgeSwitch使用的是閉環(huán)設(shè)計(jì)，隨著環(huán)境溫度變化，鉗位電壓變化很小，峰值功率衰減很小。
? 可靠性
SurgeSwitch相較于傳統(tǒng)TVS，更具可靠性，在經(jīng)歷幾千次浪涌后鉗位電壓、漏電流，浪涌能力幾無衰減。
5 結(jié)語
SurgeSwitch對比于傳統(tǒng)TVS，其具有鉗位電壓更穩(wěn)定（隨外部浪涌能量變化小，隨環(huán)境溫度變化小），封裝更小，結(jié)電容小且隨反向電壓變化小，漏電流，浪涌能力幾乎無衰減，可靠性更高等優(yōu)點(diǎn)，是更多新的失效場景下的強(qiáng)有力的解決方案。
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