【導(dǎo)讀】半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產(chǎn)生。
半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產(chǎn)生。
在為半導(dǎo)體器件電氣特點(diǎn)編制準(zhǔn)確的報(bào)告時(shí)，比如特殊的NANO-FETs，業(yè)內(nèi)的科研人員、科學(xué)家和工程師都面臨著一個(gè)共同的問題。當(dāng)需要證明能夠?qū)嶋H上以簡便的、可重復(fù)的方式控制這些參數(shù)時(shí)，這個(gè)問題會(huì)變得更糟。
從觸摸屏顯示器控制的4200A電氣參數(shù)表征系統(tǒng)
低電流范圍內(nèi)電氣表征的典型問題是：必需確定低功率/低漏流MOSFET在不同條件下可實(shí)現(xiàn)的器件性能。
測量至關(guān)重要，因?yàn)樗鼈冏R(shí)別具體指標(biāo)(FoM)，而這些指標(biāo)會(huì)證實(shí)或否認(rèn)特定應(yīng)用內(nèi)的有效行為。例如，n型FETs要求評(píng)估不同源極、漏極和柵極電壓值上的打開和關(guān)閉漏極電流。FoMs可能會(huì)在不同應(yīng)用間變化，但獲得指標(biāo)的方式基本相同：提供精確受控的以一定方式變化的電壓或電流，同時(shí)準(zhǔn)確地獲得電壓和電流測量，并與每個(gè)具體可變變量相關(guān)聯(lián)。
在實(shí)踐中，通過使用一定數(shù)量的源測量單元(SMUs)，也就是能夠在測量電流和電壓的同時(shí)提供電流或電壓的專門儀器，可以解決這個(gè)問題。但實(shí)用的解決方案看上去準(zhǔn)備妥當(dāng)時(shí)，許多隱藏的“細(xì)節(jié)”可能會(huì)導(dǎo)致問題和誤導(dǎo)性結(jié)果，我們來看一下。
這些應(yīng)該自問的關(guān)鍵問題
越來越常見的是，工程師會(huì)落入忘了從整體上仔細(xì)查看測試系統(tǒng)的陷阱?；蛘吒靡稽c(diǎn)，他們清楚地看到自己的器件，他們清楚地看到自己的儀器，但看不到兩者之間的東西。例如，我經(jīng)常看到示波器用戶忘了使用探頭到達(dá)特定測試點(diǎn)，來測量電路板。對(duì)那些被提醒考慮探頭對(duì)信號(hào)影響的工程師，他們一般仍會(huì)忘記探頭引線對(duì)測量的影響，以及與信號(hào)耦合有關(guān)的問題。
“那么，這真有關(guān)系嗎?”他們會(huì)問。遺憾的是，確實(shí)有關(guān)系，我們必需考慮這些影響。
對(duì)DC表征應(yīng)用，風(fēng)險(xiǎn)是類似的。即使我們使用復(fù)雜昂貴的探測站系統(tǒng)器件來完成物理探，SMUs仍須強(qiáng)制施加電壓、測量電流，通過電纜連接到探頭卡上。這是否意味著我們應(yīng)該認(rèn)為電纜可能影響我們的測量結(jié)果呢？
不管答案是什么，重要的是在繼續(xù)處理前你都要自己問一下這個(gè)問題。更重要的是，要確?；卮鹗钦_的。
CMOS制造中的精密測量，是說明連接能力重要性的典型實(shí)例。事實(shí)上，連接能力意味著在測試系統(tǒng)中增加電容。由于當(dāng)今MOSFETs是在較寬的擴(kuò)展頻率范圍內(nèi)表征的，因此必須認(rèn)真考慮增加的電容導(dǎo)致的任何影響。
我們先看一下連接對(duì)電容的影響。參數(shù)(自動(dòng)化)測試設(shè)備一般使用三同軸電纜連接，這是源測量測試單元與被測器件之間非常典型的低噪聲連接實(shí)例。三同軸電纜是一種特殊的同軸電纜，它通過一個(gè)額外的外部銅纜法拉第屏蔽層來絕緣傳導(dǎo)信號(hào)的部分。即使法拉第屏蔽層降低了電纜的分布式電容，但在電纜總長變得有意義時(shí)，電纜增加的電容仍會(huì)影響測量。
我們看一個(gè)實(shí)際應(yīng)用，比如測試系統(tǒng)必須表征n-MOSFET晶體管。在這個(gè)應(yīng)用中，我們使用基于SMU的測試系統(tǒng)，追蹤所謂的I-V曲線，這有時(shí)也稱為“輸出特點(diǎn)” 或“傳遞特點(diǎn)”。我們把柵極電壓編程為前向和后向掃描(如前所述，使用SMU)，同時(shí)測量漏極電流(也使用SMU)。
通過這些曲線，我們可以采集有用的數(shù)據(jù)，精確建立晶體管傳導(dǎo)力激活和去激活模型，分析這些特征什么時(shí)候體現(xiàn)線性度或進(jìn)入飽和行為，確定自熱效應(yīng)對(duì)這些參數(shù)和曲線可能會(huì)產(chǎn)生多大的位移。
當(dāng)表征需要建立載流子、電子或孔眼（在狀態(tài)之間跳動(dòng)，根據(jù)多種條件修改其遷移性）的行為模型時(shí)，測量系統(tǒng)會(huì)以四線(或遠(yuǎn)程傳感)配置連接DUT，并使用三同軸電纜。
看一下四線配置的三同軸電纜連接，總長度對(duì)應(yīng)Force Hi和Sense Hi電纜長度之和。根據(jù)三同軸電纜的電容/米(pF/m)指標(biāo)，我們可以計(jì)算出，用兩條三同軸電纜把SMU連接到器件端子上，長度為20米(10米+ 10米)，保護(hù)電容約為2 nF，屏蔽電容約為6 nF。
在這些情況下，SMU的靈敏度在測量弱電(一般在納安級(jí))的傳遞特點(diǎn)時(shí)沒有意義，因?yàn)殡娙蓦娎|負(fù)載會(huì)導(dǎo)致振蕩。SMU不僅要有靈敏度，還必須能夠保持電纜負(fù)載導(dǎo)致的有效電容，或者把SMU連接到DUT的任何引線的負(fù)載。
否則，靈敏度就沒有用，SMU只會(huì)產(chǎn)生有噪聲的振蕩讀數(shù)。
使用兩個(gè)SMU與使用兩個(gè)4211-SMU通過開關(guān)矩陣測得的FET的Id-Vd曲線對(duì)比。
能夠確定測試電容是否影響測量正變得越來越關(guān)鍵。在這些情況下，吉時(shí)利應(yīng)用工程師可以提供寶貴的咨詢服務(wù)，確保客戶避免陷阱。在設(shè)置中有長連接電纜時(shí)，或者在測量系統(tǒng)和DUT之間有開關(guān)矩陣時(shí)，或者DUT或卡盤要求進(jìn)行納安級(jí)測量時(shí)，最好復(fù)核設(shè)置，尋求顧問和建議。
為關(guān)鍵量程提供的最新解決方案
面對(duì)這些極具挑戰(zhàn)性的特殊情況，必需在測量中使用特定的SMUs模塊。吉時(shí)利推出了一種專用版SMU，可以用于類似4200A-SCS參數(shù)分析儀的參數(shù)分析系統(tǒng)中。
SMUs特別適合連接LCD測試站、探頭、開關(guān)矩陣或任何其他大型測試儀或復(fù)雜的測試儀。
4201-SMU中等功率SMU和4211-SMU高功率SMU(選配4200-PA前置放大器)支持穩(wěn)定的弱電測量，即使是在長線纜連接導(dǎo)致較高的測試連接電容時(shí)。
事實(shí)上，這些模塊可以供電并測量容性超過當(dāng)今1,000倍的系統(tǒng)。例如，如果電流電平為1 ~ 100 pA (微微安)，那么最新的吉時(shí)利模塊會(huì)穩(wěn)定在1 μF (微法拉)的負(fù)載電容上。相比之下，最大負(fù)載電容競品在測量穩(wěn)定性劣化前只能容忍1,000 pF (微微法拉)，換句話說，比吉時(shí)利模塊差1,000倍。
高阻抗應(yīng)用C-V測量
總結(jié)
持續(xù)改進(jìn)測量技術(shù)必不可少，以優(yōu)化半導(dǎo)體材料，在集成晶體管中實(shí)現(xiàn)低接觸電阻、專門的形狀和獨(dú)特的結(jié)構(gòu)。GaN晶體管在未來功率電子中的成功，與鑄造工藝中采用的納米結(jié)構(gòu)緊密相關(guān)。一方面，柵極寬度結(jié)構(gòu)中的電容較低，所以要考慮任何其他有意義的電容影響，比如電纜和連接產(chǎn)生的電容。另一方面，通過改善SMU耐受高電容的能力，提供更高的測量穩(wěn)定性，它們也克服了這些問題。
關(guān)于泰克科技
泰克公司總部位于美國俄勒岡州畢佛頓市，致力提供創(chuàng)新、精確、操作簡便的測試、測量和監(jiān)測解決方案，解決各種問題，釋放洞察力，推動(dòng)創(chuàng)新能力。70多年來，泰克一直走在數(shù)字時(shí)代前沿。
（來源：泰克科技）
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