【導(dǎo)讀】650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場包括光伏和儲能、驅(qū)動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強(qiáng)勁，高達(dá)59%。
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場包括光伏和儲能、驅(qū)動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強(qiáng)勁，高達(dá)59%。
自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市場上CREE、UnitedSiC、羅姆、Infineon都有650V SiC MOSFET產(chǎn)品。國內(nèi)廠商派恩杰半導(dǎo)體也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相較于國外廠商，國內(nèi)廠商的SiC MOSFET產(chǎn)品性能到底如何？派恩杰半導(dǎo)體采用自主設(shè)計的Buck-Boost效率測試平臺針對650V 60mΩSiC MOSFET高溫性能進(jìn)行了對比測試。本文分享測試結(jié)果。
派恩杰設(shè)計的Buck-Boost效率測試平臺用于650V/1200V TO247-4 分立SiC MOSFET的開環(huán)功率實(shí)驗(yàn)，器件系統(tǒng)效率和溫升性能測試，雙脈沖測試以及電池充放電系統(tǒng)。最大輸入電壓可達(dá)800Vdc,輸出400Vdc,可工作在Buck模式或者Boost模式。原理圖如圖1，實(shí)物圖如圖2。
圖1、Buck-Boost原理圖
圖2、Buck-Boost測試平臺
本次選擇了派恩杰650V 60mΩ產(chǎn)品P3M06060K4與C品牌4pin 650V 60mΩ進(jìn)行測試對比。P3M06060K4 Rdson隨溫度變化更小，高溫下導(dǎo)通損耗更小，因此在高溫下性能更優(yōu)，見圖3、圖4，
圖3、18V Rdson vs Tj 圖4、20V Rdson vs Tj
采用Buck模式對比兩家器件性能。在100kHz條件下，輕載時效率基本一致達(dá)到99%，重載時P3M06060K4器件效率更高，如圖5。在4kW時，P3M06060K4器件溫度86℃，C品牌器件溫度96℃。P3M06060K4器件功率加到4.7kW時，器件溫度才到100℃，如圖6。其中C品牌器件溫度達(dá)到96℃如圖7，相應(yīng)電感溫度如圖8。
圖5、100kHz效率對比曲線 圖6、100kHz溫度對比曲線
圖7、100kHz，4kW時C品牌器件溫度
圖8、100kHz，4kW時C品牌電感溫度
在65kHz條件下，輕載時效率基本一致達(dá)到99%，重載時P3M06060K4器件效率更高，如圖9。在4.3kW時，P3M06060K4器件溫度80℃，C品牌器件溫度102℃。P3M06060K4器件功率加到5kW時，器件溫度才接近100℃，如圖10。其中C品牌器件溫度達(dá)到96℃如圖11，相應(yīng)電感溫度如圖12。
圖9、65kHz效率對比曲線 圖10、65kHz溫度對比曲線
圖11、65kHz，4kW時C品牌器件溫度
圖12、65kHz，4kW時C品牌電感溫度
因此P3M06060K4器件在重載時溫度更低，已經(jīng)超過世界一流SiC廠商C品牌器件。
派恩杰半導(dǎo)體SiC MOSFET 650V -1700V SiC MOSFET產(chǎn)品齊全，除了650V 60mΩSiC MOSFET P3M06060K4, 其他SiC MOSFET器件性能也已達(dá)到國際一流水平。
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請電話或者郵箱聯(lián)系小編進(jìn)行侵刪。
推薦閱讀：
如何通過任意長度的銅線控制遠(yuǎn)端負(fù)載的電壓~
為何10BASE-T1S是汽車通訊中缺失的以太網(wǎng)鏈接？
應(yīng)對一致性測試特定挑戰(zhàn)，需要可靠的PCIe 5.0 發(fā)射機(jī)驗(yàn)證
