隨著電路設(shè)計(jì)高速高密的發(fā)展趨勢(shì)，QFN封裝已經(jīng)有0.5mm pitch甚至更小pitch的應(yīng)用。由小間距QFN封裝的器件引入的PCB走線(xiàn)扇出區(qū)域的串?dāng)_問(wèn)題也隨著傳輸速率的升高而越來(lái)越突出。對(duì)于8Gbps及以上的高速應(yīng)用更應(yīng)該注意避免此類(lèi)問(wèn)題，為高速數(shù)字傳輸鏈路提供更多裕量。本文針對(duì)PCB設(shè)計(jì)中由小間距QFN封裝引入串?dāng)_的抑制方法進(jìn)行了仿真分析，為此類(lèi)設(shè)計(jì)提供參考。

 

問(wèn)題分析

在PCB設(shè)計(jì)中，QFN封裝的器件通常使用微帶線(xiàn)從TOP或者BOTTOM層扇出。對(duì)于小間距的QFN封裝，需要在扇出區(qū)域注意微帶線(xiàn)之間的距離以及并行走線(xiàn)的長(zhǎng)度。圖一是一個(gè)0.5 pitch QFN封裝的尺寸標(biāo)注圖。

圖二是一個(gè)使用0.5mm pitch QFN封裝的典型的1.6mm 板厚的6層板PCB設(shè)計(jì)：

 

圖二：QFN封裝PCB設(shè)計(jì)TOP層走線(xiàn)

 

差分線(xiàn)走線(xiàn)線(xiàn)寬/線(xiàn)距為：8/10, 走線(xiàn)距離參考層7mil，板材為FR4.

 

圖三：PCB差分走線(xiàn)間距與疊層
 

從上述設(shè)計(jì)我們可以看出，在扇出區(qū)域差分對(duì)間間距和差分對(duì)內(nèi)的線(xiàn)間距相當(dāng)，會(huì)使差分 對(duì)間的串?dāng)_增大。

 

圖四是上述設(shè)計(jì)的差分模式的近端串?dāng)_和遠(yuǎn)端串?dāng)_的仿真結(jié)果，圖中D1~D6是差分端口。

 

圖四：差分模式端口定義及串?dāng)_仿真結(jié)果
 

從仿真結(jié)果可以看出，即使在并行走線(xiàn)較短的情況下，差分端口D1對(duì)D2的近端串?dāng)_在5GHz超過(guò)了-40dB，在10GHz達(dá)到了-32dB，遠(yuǎn)端串?dāng)_在15GHz達(dá)到了-40dB。對(duì)于10Gbps及以上的應(yīng)用而言，需要對(duì)此處的串?dāng)_進(jìn)行優(yōu)化，將串?dāng)_控制到-40dB以下。

 

優(yōu)化方案分析

對(duì)于PCB設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，比較直接的優(yōu)化方法是采用緊耦合的差分走線(xiàn)，增加差分對(duì)間的走線(xiàn)間距，并減小差分對(duì)之間的并行走線(xiàn)距離。

 

圖五是針對(duì)上述設(shè)計(jì)使用緊耦合差分線(xiàn)進(jìn)行串?dāng)_優(yōu)化的一個(gè)實(shí)例：

 

圖五 緊耦合差分布線(xiàn)圖
 

圖六是上述設(shè)計(jì)的差分模式的近端串?dāng)_和遠(yuǎn)端串?dāng)_的仿真結(jié)果：

 

圖六 緊耦合差分端口定義及串?dāng)_仿真結(jié)果
 

從優(yōu)化后的仿真結(jié)果可以看出，使用緊耦合并增加差分對(duì)之間的間距可以使差分對(duì)間的近端串?dāng)_在0~20G的頻率范圍內(nèi)減小4.8~6.95dB。遠(yuǎn)端串?dāng)_在5G~20G的頻率范圍內(nèi)減小約1.7~5.9dB。

 

表一 近端串?dāng)_優(yōu)化統(tǒng)計(jì)

 

表二 遠(yuǎn)端串?dāng)_優(yōu)化統(tǒng)計(jì)
 

除了在布線(xiàn)時(shí)拉開(kāi)差分對(duì)之間的間距并減小并行距離之外，我們還可以調(diào)整差分線(xiàn)走線(xiàn)層和參考平面的距離來(lái)抑制串?dāng)_。距離參考層越近，越有利于抑制串?dāng)_。在采用緊耦合走線(xiàn)方式的基礎(chǔ)上，我們將TOP層與其參考層之間的距離由7mil調(diào)整到4mil。

 

圖七 疊層調(diào)整示意圖
 

根據(jù)上述優(yōu)化進(jìn)行仿真，仿真結(jié)果如下圖：

 

圖八 疊層調(diào)整后串?dāng)_仿真結(jié)果
 

值得注意的是，當(dāng)我們調(diào)整了走線(xiàn)與參考平面的距離之后，差分線(xiàn)的阻抗也隨之發(fā)生變化，需要調(diào)整差分走線(xiàn)滿(mǎn)足目標(biāo)阻抗的要求。芯片的SMT焊盤(pán)距離參考平面距離變小之后阻抗也會(huì)變低，需要在SMT焊盤(pán)的參考平面上進(jìn)行挖空處理來(lái)優(yōu)化SMT焊盤(pán)的阻抗。具體挖空的尺寸需要根據(jù)疊層情況進(jìn)行仿真來(lái)確定。

 

圖九 疊層調(diào)整后QFN焊盤(pán)阻抗優(yōu)化示意圖
 

從仿真結(jié)果可以看出，調(diào)整走線(xiàn)與參考平面的距離后，使用緊耦合并增加差分對(duì)之間的間距可以使差分對(duì)間的近端串?dāng)_在0~20G的頻率范圍內(nèi)減小8.8~12.3dB。遠(yuǎn)端串?dāng)_在0~20G范圍內(nèi)減小了2.8~9.3dB。

 

表三 近端串?dāng)_優(yōu)化統(tǒng)計(jì)

 

表四 遠(yuǎn)端串?dāng)_優(yōu)化統(tǒng)計(jì)
 

結(jié)論

 

通過(guò)仿真優(yōu)化我們可以將由小間距QFN封裝在PCB上引起的近端差分串?dāng)_減小8~12dB，遠(yuǎn)端串?dāng)_減小3~9dB,為高速數(shù)據(jù)傳輸通道提供更多裕量。本文涉及的串?dāng)_抑制方法可以在制定PCB布線(xiàn)規(guī)則和疊層時(shí)綜合考慮，在PCB設(shè)計(jì)初期避免由小間距QFN封裝帶來(lái)的串?dāng)_風(fēng)險(xiǎn)。

 

（來(lái)源：志博PCB，作者： 楊多多）