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泰科電子推出超低型DDR3雙列直插式內(nèi)存模組插槽

發(fā)布時間:2010-12-13

產(chǎn)品特性:
  • 卡扣高度為16毫米
  • 雙列直插式內(nèi)存模組
應用范圍:
  • 高端伺服器和通信設(shè)備

泰科電子(TE)按照JEDEC工業(yè)標準推出了新型超低型VLP (very low-profile)第三代雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR3)雙列直插式內(nèi)存模組(DIMM)插槽。
   
該產(chǎn)品最高卡扣高度為16毫米,進而減小了插槽的總高度,加上雙列直插式內(nèi)存模組(DIMM),使得其外殼更小,電路板更緊湊,同時方便高端伺服器的散熱。
   
泰科電子(TE)的VLP DDR3 DIMM插槽解決了伺服器、通信和筆記本平臺之間的互連要求。該產(chǎn)品可應用于消費類/移動設(shè)備等一系列工業(yè)和自動化領(lǐng)域的高端伺服器和通信設(shè)備中。
   
該產(chǎn)品提供三種鍍金版本、兩種卡扣選擇(黑或白),可進行表面裝配。
  
更多關(guān)于VLP DDR3 DIMM插槽的信息,請訪問http://www.tycoelectronics.com/catalog/minf/en/771?BML=10576,17578,17862
   
TE(標識)以及泰科電子為注冊商標。
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