從2013年到2020年，數(shù)字圖像的增長(zhǎng)率每年增長(zhǎng)14%。預(yù)計(jì)這種逐年增長(zhǎng)的趨勢(shì)將持續(xù)到2026年。考慮到這一趨勢(shì)的增長(zhǎng)速度和壽命，其非常明顯的原因是手機(jī)制造商專注于相機(jī)和圖像質(zhì)量的持續(xù)改進(jìn)和創(chuàng)新。當(dāng)我們的目光被這些浮華的消費(fèi)廣告中的相機(jī)功能所吸引時(shí)，大多數(shù)人并沒有考慮到這些時(shí)尚設(shè)備背后的電氣性能。

 

雖然許多消費(fèi)者只是享受智能手機(jī)帶來的清晰照片，但他們卻低估了為確保畫質(zhì)優(yōu)化所涉及的設(shè)計(jì)工作。影響畫質(zhì)的一個(gè)重要因素是為相機(jī)模塊供電的電源管理集成電路(PMIC)的精度、穩(wěn)定性和抗噪能力。安森美半導(dǎo)體最近開發(fā)了FAN53870：兩個(gè)低輸入LDO、三個(gè)高PSRR LDO、兩個(gè)通用LDO PMIC，以滿足需求，為智能手機(jī)提供優(yōu)化的電源方案。

 

智能手機(jī)的一個(gè)重要方面是將數(shù)字核心電源與敏感的模擬/射頻（RF）電源線隔離。FAN53870就是為解決這一難題而專門設(shè)計(jì)的，它具有精確的電壓調(diào)節(jié)功能、同類最佳的電源軌之間的隔離功能以及低靜態(tài)電流消耗，以延長(zhǎng)電池壽命。FAN53870通過提供兩個(gè)低輸入電壓調(diào)整器(LDO)、三個(gè)高電源抑制比(PSRR)LDO和兩個(gè)通用LDO來支持相機(jī)模塊的各種需求。

 

FAN53870 框圖

 

低輸入電壓LDO是專門為數(shù)字核心電源設(shè)計(jì)的，支持低至1.0V的輸入電壓和低至0.8V的輸出電壓。這些LDO的輸出電壓以8mV為步長(zhǎng)，以1.5%的精度進(jìn)行編程，優(yōu)化了對(duì)高性能數(shù)字核的供電。這三款高PSRR LDO是特意為敏感的模擬/射頻電路設(shè)計(jì)的，因?yàn)檫@些電源線上的任何噪聲都會(huì)對(duì)圖像質(zhì)量產(chǎn)生負(fù)面影響。雖然高PSRR LDO具有更寬的輸出電壓范圍，并保持精確的8 mV步長(zhǎng)，但這些LDO的主要特點(diǎn)是業(yè)界領(lǐng)先的PSRR和14µVRMS的輸出噪聲。最后但同樣重要的是，F(xiàn)AN53870包括兩個(gè)通用LDO，為智能手機(jī)設(shè)計(jì)人員提供了靈活性。這些通用LDO具有多功能性，輸入電壓范圍寬廣，為1.9V-5.5V，輸出電壓范圍為1.5V-3.4V，可編程，還能保證8mV的步長(zhǎng)。

 

FAN53870具有多種保護(hù)功能，有助于確保系統(tǒng)的可靠性。FAN53870實(shí)現(xiàn)了軟啟動(dòng)，以限制浪涌電流，還包括用于欠壓閉鎖、過流保護(hù)、欠壓保護(hù)和過溫保護(hù)的I2C保護(hù)故障寄存器。

 

這樣一款多功能、低靜態(tài)功耗的PMIC不僅對(duì)智能手機(jī)設(shè)計(jì)者有吸引力。FAN53870的電源軌隔離功能可以讓開發(fā)可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測(cè)設(shè)備和機(jī)器視覺的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員受益。所有這些系統(tǒng)都有重疊的PMIC需求，因?yàn)樗鼈兺ǔＰ枰_的數(shù)字內(nèi)核電源和隔離的、對(duì)噪聲敏感的模擬電源。FAN53870只是安森美半導(dǎo)體開發(fā)的領(lǐng)先業(yè)界的PMIC系列中的一款器件。今天就利用我們的FAN53870輕松地進(jìn)行設(shè)計(jì)，并瀏覽我們的便攜及無線方案，以滿足您的各種設(shè)計(jì)需求!

 

 

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