高功率密度設計理念&太陽能逆變器的解決方案
【本資料來自第七/八屆新型節(jié)能設計技術研討會】
演講嘉賓：英飛凌 工業(yè)功率器件部高級應用工程師 趙振波&品佳電子有限公司 FAE 楊龍
內(nèi)容介紹：該演講內(nèi)容主要側(cè)重于如何應用IGBT模塊實現(xiàn)高功率密度的設計要求。首先，IGBT器件處于安全工作區(qū)無疑是選型和應用的基本要求，也是高功率密度設計的基礎。
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