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詳解部分元等效電路法在電磁仿真中的應(yīng)用
滿足 EMC 標(biāo)準(zhǔn)是至關(guān)重要的，因?yàn)樗鼈円?guī)范了產(chǎn)品和其他相鄰設(shè)備之間的電磁效應(yīng)。電磁效應(yīng)會(huì)影響電子系統(tǒng)的性能，如果這些效應(yīng)超過(guò)了電磁兼容性 (EMC) 的限度，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品退出市場(chǎng)。
2022-02-10
等效電路法 電磁仿真
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派恩杰SiC驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)新探索：如何避免誤開(kāi)通？
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降，SiC MOSFET憑借整體性能優(yōu)于硅基器件一個(gè)數(shù)量級(jí)的優(yōu)勢(shì)正逐漸普及，獲得越來(lái)越多的工程應(yīng)用。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導(dǎo)通電阻，更快的開(kāi)關(guān)速度，使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化，因此廣泛...
2022-02-10
派恩杰 SiC驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 誤開(kāi)通
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理想開(kāi)關(guān)自身會(huì)帶來(lái)挑戰(zhàn)
隨著我們的產(chǎn)品接近邊沿速率超快的理想半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，電壓過(guò)沖和振鈴開(kāi)始成為問(wèn)題。適用于SiC FET的簡(jiǎn)單RC緩沖電路可以解決這些問(wèn)題，并帶來(lái)更高的效率增益。
2022-02-10
理想開(kāi)關(guān)自身會(huì)帶來(lái)挑戰(zhàn)
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如何快速了解預(yù)采購(gòu)的電源器件性能？
自第二次工業(yè)革命之后，人類社會(huì)的發(fā)展和電能深度綁定，電氣/電子設(shè)備被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、醫(yī)療、能源、交通、民生等各個(gè)領(lǐng)域。隨著用電設(shè)備從單一回路逐漸演變成為系統(tǒng)，將電能合理、有效地分配給系統(tǒng)中的每個(gè)器件尤為重要。一個(gè)優(yōu)秀的電源管理系統(tǒng)不僅能夠保障系統(tǒng)的用電安全，更是設(shè)備做到高效節(jié)能...
2022-02-10
電源器件 性能
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小巧而優(yōu)雅的電路設(shè)計(jì)
也許一個(gè)只有一個(gè)八度范圍小型電子琴使用普通單片機(jī)可以方便的完成，但這款全模擬音樂(lè)合成器則使得對(duì)音樂(lè)、電子以及信號(hào)原理的學(xué)習(xí)更能夠充滿樂(lè)趣。這一點(diǎn)是彌足珍貴的（They are also expensive !）
2022-02-10
電路設(shè)計(jì) 模擬電子琴 555
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LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)穩(wěn)健型同步整流解決方案
為了理解這種技術(shù)，讓我們回顧一些為L(zhǎng)LC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)穩(wěn)健型同步整流解決方案時(shí)遇到的挑戰(zhàn)。在其最簡(jiǎn)單的層面上，同步整流需要金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）仿真二極管的行為。簡(jiǎn)言之，當(dāng)電流擬從正極流向負(fù)極時(shí)，MOSFET導(dǎo)通。一旦電流開(kāi)始從負(fù)極流向正極，則MOSFET關(guān)斷。
2022-02-09
LLC轉(zhuǎn)換器 穩(wěn)健型同步整流
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如何精確監(jiān)測(cè)和控制工業(yè)應(yīng)用中的氣體流量
許多工業(yè)自動(dòng)化 (IA) 和制造設(shè)施在各種工藝和應(yīng)用中經(jīng)常需要使用空氣、氧氣、氮?dú)狻錃?、氦氣和氬氣等氣體。具體用途包括清潔、切割、焊接和化學(xué)品制造。在許多情況下，精密設(shè)備和化學(xué)工藝需要對(duì)氣體進(jìn)行極其精細(xì)的控制，以避免造成難以診斷的設(shè)備故障或過(guò)程失敗。此外，過(guò)量的氣體流量會(huì)導(dǎo)致效率...
2022-02-09
精確監(jiān)測(cè) 控制工業(yè)應(yīng)用 氣體流量
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