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如何在不構(gòu)建專(zhuān)用硬件的情況下制作充電寶原型
理想情況下，任何電源設(shè)計(jì)都應(yīng)該從一些基本的概念驗(yàn)證測(cè)試開(kāi)始，這通常涉及測(cè)試現(xiàn)有演示板。本演示只是簡(jiǎn)單地執(zhí)行該預(yù)先存在的步驟（在演示硬件上測(cè)試單電源軌），并在此基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)展，以利用演示硬件得到一個(gè)工作系統(tǒng)。此外，由于本演示需要在相對(duì)較短的時(shí)間內(nèi)完成，采用典型開(kāi)發(fā)流程——設(shè)計(jì)、布...
2023-04-14
專(zhuān)用硬件 充電寶 ADI
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功率分析儀如何消除接線方式引入的誤差？
為實(shí)現(xiàn)測(cè)量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，除了選擇高精度的測(cè)量?jī)x器外，還必須使用和負(fù)載匹配的接線方式，使能對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償算法對(duì)電壓值或電流值進(jìn)行修正，補(bǔ)償接線引起的儀器損耗，實(shí)現(xiàn)高精度功率測(cè)量。
2023-04-14
功率分析儀 消除誤差
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PFC電路：柵極電阻的更改
在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)工作中，降噪是的一項(xiàng)重大課題，通常，可以通過(guò)提高開(kāi)關(guān)器件的柵極電阻來(lái)抑制噪聲，但其代價(jià)是效率降低（損耗增加），因此很好地權(quán)衡柵極電阻值的設(shè)置是非常重要的。在本文中，我們來(lái)探討當(dāng)將開(kāi)關(guān)器件的損耗抑制在規(guī)定值以下時(shí)，最大柵極電阻RG的情況。另外，由于噪聲需要實(shí)際裝機(jī)...
2023-04-14
PFC電路 柵極電阻
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邁向更高階自動(dòng)駕駛，車(chē)路協(xié)同技術(shù)是關(guān)鍵
“世界上最遙遠(yuǎn)的距離，是同一個(gè)桿子上紅綠燈和攝像頭之間的距離。因?yàn)樗鼈冸m然挨的很近，但一點(diǎn)關(guān)系都沒(méi)有?！眮?lái)自中國(guó)工程院院士王堅(jiān)的這段話，點(diǎn)出了智慧城市建設(shè)中存在的問(wèn)題——汽車(chē)和路網(wǎng)、各種交通設(shè)備之間，都尚未完全實(shí)現(xiàn)互聯(lián)互通。
2023-04-14
自動(dòng)駕駛 車(chē)路協(xié)同
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AI引爆算力存儲(chǔ)芯片
ChatGPT的迅速崛起和應(yīng)用推動(dòng)人工智能產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步蓬勃發(fā)展，其中人工智能領(lǐng)域的重要組成部分AIGC產(chǎn)業(yè)成為科技圈熱點(diǎn)。人工智能產(chǎn)業(yè)正在逐漸開(kāi)啟第四次工業(yè)革命的大門(mén)，推動(dòng)著全球各個(gè)領(lǐng)域的數(shù)字化轉(zhuǎn)型和智能化升級(jí)。
2023-04-13
AI 算力存儲(chǔ)芯片
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針對(duì)高壓應(yīng)用優(yōu)化寬帶隙半導(dǎo)體器件
自從寬帶隙材料被引入各種制造技術(shù)以來(lái)，通過(guò)使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導(dǎo)體器件就可以實(shí)現(xiàn)高效率。為了優(yōu)化可控制造技術(shù)，可以使用特定的導(dǎo)通電阻來(lái)控制系統(tǒng)中的大部分功率器件。對(duì)于功率 MOSFET，導(dǎo)通電阻仍然是優(yōu)化和摻雜其單元設(shè)計(jì)的關(guān)鍵參數(shù)。電導(dǎo)率的主要行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)是材料技術(shù)中的特定導(dǎo)...
2023-04-13
寬帶隙半導(dǎo)體器件 高壓應(yīng)用
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什么是混合信號(hào) IC 設(shè)計(jì)？
在之前的文章中，我們討論了需要具有高輸入阻抗的放大器才能成功地從壓電傳感元件中提取加速度信息。對(duì)于一些壓電加速度計(jì)，放大器內(nèi)置在傳感器外殼中?，F(xiàn)代 IC 通常由來(lái)自各個(gè)領(lǐng)域的元素組成。還有各種片上系統(tǒng) (SoC) 和系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP) 技術(shù)，包括單個(gè) IC 上的每個(gè) IC 設(shè)計(jì)域，或包含各種半導(dǎo)體...
2023-04-13
混合信號(hào) IC設(shè)計(jì)
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