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Arm SystemReady創(chuàng)下新里程 為數(shù)據(jù)中心夯實創(chuàng)新根基
Arm? 近日發(fā)布自 Arm SystemReadyTM 推出 18 個月以來，獲得產(chǎn)業(yè)廣泛合作伙伴的支持，并已頒布超過 50 張認證，其中Microsoft? Azure? 基于Arm架構的 Ampere? Altra? 處理器的服務器獲得 SystemReady SR 認證，成為首個獲得認證的云服務提供商服務器，其搭載Arm架構的Ampere Altra 處理器的Azure虛擬機系列也是首批獲得新的 Arm SystemReady VE （Virtual Environment，虛擬環(huán)境）認證的虛擬系統(tǒng)。此外，Arm在中國的生態(tài)也表現(xiàn)亮眼，包括浪潮信息、工業(yè)富聯(lián)、聯(lián)泰集群、聯(lián)想、日海飛信、瑞芯微電子等眾多芯片設計與 OEM 及 ODM 廠商均已加入 SystemReady 計劃，認證范圍涵蓋服務器、 5G網(wǎng)絡、物聯(lián)網(wǎng)邊緣計算等應用產(chǎn)品。
2022-06-21
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具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H
過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。
2022-06-21
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Digi-Key在2022年EDS領導力峰會上被供應商授予了25項大獎
全球供應品類豐富、發(fā)貨快速的現(xiàn)貨電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics 日前宣布在 5 月 10 日至 13 日于拉斯維加斯舉行的 2022 EDS 領導力峰會上獲得了供應商授予的 25 項大獎。這是對 Digi-Key 在過去一年中的銷售業(yè)績、客戶服務、產(chǎn)品廣度、數(shù)字存在等方面成績的認可。
2022-06-20
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臨床級可穿戴遭遇電量危機？新型結構傳感器IC了解下
在健康和健身可穿戴設備的功能列表中，心率(HR)和血氧飽和度(SpO2)正迅速從“期待擁有”階段進入“有望實現(xiàn)”階段。但是，這種轉(zhuǎn)變導致讀數(shù)質(zhì)量下降，這是因為一些傳感器制造商在急于滿足市場對這些功能的需求時，放松了其產(chǎn)品的讀數(shù)質(zhì)量，由此引發(fā)了人們對其產(chǎn)品準確性的質(zhì)疑。
2022-06-20
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貿(mào)澤推出2022 Empowering Innovation Together系列第三期探索打造安全設計的重要性
2022年6月17日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布推出其備受好評的Empowering Innovation Together?計劃的新一期內(nèi)容。在“實現(xiàn)更高安全性的設計”這一期，貿(mào)澤探討了在設計過程中的每個階段融入安全性的重要性，從架構選擇和組件挑選開始就要充分考慮安全性需求。作為2022 EIT計劃的第三期，本期提供了豐富多彩的內(nèi)容，包括全新的過去、現(xiàn)在和未來視頻、博客、文章、信息圖以及新一集的《科技在你我之間》播客。
2022-06-17
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有源前端整流器
介紹針對電動汽車充電器的最佳SiC功率拓撲和調(diào)制決策的設計技巧，利用指導拓撲和調(diào)制決策，有助于消除不可行選項，轉(zhuǎn)而關注那些可能表現(xiàn)良好的選項。
2022-06-17
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讓設計毫無負擔，貿(mào)澤電子將攜手安費諾信息通信舉辦能源ESS在線研討會
2022年6月15日 – 專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)宣布將攜手安費諾信息通信于6月21日14:00-15:30舉辦主題為“用于商業(yè)和民用的能源存儲系統(tǒng)互連解決方案”的直播研討會。屆時，來自安費諾信息通信的技術專家將與觀眾分享儲能系統(tǒng)（ESS）知識及連接器解決方案，助力工程師快速設計出高可靠性的ESS應用。
2022-06-16
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艾邁斯歐司朗就出售其數(shù)字照明系統(tǒng)歐洲和亞洲業(yè)務與英飛特電子達成協(xié)議
全球領先的光學解決方案供應商艾邁斯歐司朗（瑞士證券交易所股票代碼：AMS）宣布，與全球LED驅(qū)動電源供應商英飛特電子（INVENTRONICS）達成協(xié)議，將向英飛特電子出售數(shù)字照明系統(tǒng)（Digital Systems）歐洲和亞洲的業(yè)務。艾邁斯歐司朗將繼續(xù)專注于高科技半導體業(yè)務，以及汽車、娛樂和工業(yè)照明業(yè)務。該交易標志著艾邁斯歐司朗戰(zhàn)略實施的又一個里程碑，該戰(zhàn)略將專注于光源、可視化和傳感等核心技術領域，剝離非戰(zhàn)略核心業(yè)務。本次交易遵循慣例交易約束。
2022-06-16
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現(xiàn)以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能，是不斷成長的電動車市場向著800V母線車載充電器（OBC）和直流轉(zhuǎn)換器邁進過程中的理想選擇。與前幾代一樣，新FET也非常適合工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、光伏轉(zhuǎn)換器、不間斷電源和各種其他功率轉(zhuǎn)換應用。
2022-06-15
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
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25kW SiC直流快充設計指南(第六部分)：用于電源模塊的柵極驅(qū)動系統(tǒng)
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-15
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SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產(chǎn)品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發(fā)展，更是不容小覷。
2022-06-15
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