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用于離線電源的開(kāi)關(guān) IC
本應(yīng)用筆記適用于使用 LinkSwitch-II 系列器件設(shè)計(jì)隔離式 AC-DC 反激式電源的工程師。它提供了指導(dǎo)原則，使工程師能夠快速選擇關(guān)鍵組件并完成合適的變壓器設(shè)計(jì)。為了簡(jiǎn)化任務(wù)，本應(yīng)用筆記直接引用了 PIXls 設(shè)計(jì)電子表格，它是 PI Expert? 設(shè)計(jì)軟件套件的一部分。
2023-11-04
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PI技術(shù)經(jīng)理Jason Yan：1250V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC是一個(gè)重要的里程碑
Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC前不久，集邦咨詢發(fā)布2022年氮化鎵（GaN）主要廠商出貨量排名，數(shù)據(jù)顯示Power Integrations（PI）以20%的市占率在2022年全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)排名第一。這與PI的GaN發(fā)展策略和產(chǎn)品布局不無(wú)關(guān)系。
2023-11-04
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QSPICE發(fā)明者隨筆——利用寬帶隙FET簡(jiǎn)化高壓調(diào)節(jié)
Charley Moser擁有EE博士學(xué)位，是我最早的模擬設(shè)計(jì)導(dǎo)師之一。從他那里，我學(xué)到了很多知識(shí)——混合pi晶體管建模、用于穩(wěn)定性分析的Bode圖對(duì)最小相位系統(tǒng)的限制、為什么要使用緩沖器以及如何設(shè)計(jì)緩沖器、防止擊穿的雙極基極拉電流、SCR在高溫下的使用等。其中，如何在高電壓下調(diào)節(jié)低功率是最引人注目的創(chuàng)新；這對(duì)我來(lái)說(shuō)極具價(jià)值，因?yàn)槲沂嵌嗉覂x器公司帶電粒子光學(xué)方案中所用高壓電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域的高手。
2023-10-25
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低損耗、高結(jié)溫！基本半導(dǎo)體混合碳化硅分立器件性能優(yōu)勢(shì)介紹
IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管（FWD）構(gòu)成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。材料與結(jié)構(gòu)兩兩組合就形成了4種結(jié)果：硅PIN二極管、碳化硅 PIN二極管、硅肖特基二極管、碳化硅肖特基二極管。在本篇文章中我們將重點(diǎn)闡述碳化硅肖特基二極管作為續(xù)流二極管的混合碳化硅分立器件（后文簡(jiǎn)稱(chēng)為混管）的特性與優(yōu)點(diǎn)。
2023-10-24
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如何在SPICE中構(gòu)建鉑RTD傳感器模型
KWIK（技術(shù)訣竅與綜合知識(shí)）電路應(yīng)用筆記提供應(yīng)對(duì)特定設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的分步指南。對(duì)于給定的一組應(yīng)用電路要求，本文說(shuō)明了如何利用通用公式應(yīng)對(duì)這些要求，并使它們輕松擴(kuò)展到其他類(lèi)似的應(yīng)用規(guī)格。該傳感器模型支持對(duì)電阻溫度檢測(cè)器(RTD)的電氣和物理特性進(jìn)行SPICE仿真。SPICE模型使用了描述RTD（其將溫度轉(zhuǎn)化為電阻）物理行為特性的參數(shù)。它還提供了一個(gè)典型的激勵(lì)和信號(hào)調(diào)理電路，利用該電路可演示RTD模型的行為。
2023-10-18
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貿(mào)澤開(kāi)售來(lái)自Raspberry Pi的SBC、嵌入式設(shè)備和外設(shè)的完整產(chǎn)品系列
貿(mào)澤電子與Raspberry Pi達(dá)成合作，將直接供應(yīng)來(lái)自Raspberry Pi的單板計(jì)算機(jī) (SBC)、嵌入式設(shè)備和外設(shè)的完整產(chǎn)品系列。Raspberry Pi設(shè)備擁有緊湊的外形尺寸、出色的易用性以及諸多擴(kuò)展選項(xiàng)，無(wú)論對(duì)于簡(jiǎn)單的教育項(xiàng)目，還是復(fù)雜的創(chuàng)客設(shè)計(jì)，乃至嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用而言，都是理想的選擇。
2023-10-16
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特定幀喚醒CAN FD收發(fā)器芯片SIT1145AQ功能詳解
SIT1145AQ是芯力特研發(fā)的第三代CAN FD車(chē)載收發(fā)器接口芯片，與前兩代產(chǎn)品相比，在第二代CAN FD的基礎(chǔ)之上增加了SPI端口，此端口用于配置SIT1145AQ各種工作模式以及獲取網(wǎng)絡(luò)診斷信息，使SIT1145AQ控制靈活性更大，功能更全。同時(shí)SIT1145AQ支持最大5Mbps靈活數(shù)據(jù)速率，并支持在休眠/待機(jī)模式下特定幀喚醒，特定幀喚醒功能有助于使ECU長(zhǎng)時(shí)間保持在低功耗運(yùn)行狀態(tài)，從而降低汽車(chē)的總功耗。同時(shí)SIT1145AQ也支持CAN總線網(wǎng)絡(luò)喚醒單個(gè)ECU或多個(gè)ECU組，而網(wǎng)絡(luò)的其余部分在低功耗模式運(yùn)行。
2023-10-12
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太陽(yáng)誘電疊層壓電振動(dòng)片：看上去很平，摸起來(lái)凹凸不平？
這次將特別介紹壓電（Piezo）器件。將介紹其應(yīng)用裝置之一“疊層壓電振動(dòng)片”。究竟什么是壓電器件？疊層壓電振動(dòng)片發(fā)揮作用的構(gòu)造是什么？介紹非常有趣的神奇物質(zhì)世界。
2023-10-11
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貿(mào)澤電子推出新一期EIT計(jì)劃，共同探索環(huán)境傳感器前沿技術(shù)和應(yīng)用
2023年10月10日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together（共求創(chuàng)新，EIT）計(jì)劃推出最新一期內(nèi)容，在本期中重點(diǎn)介紹了環(huán)境傳感器。貿(mào)澤通過(guò)文章、博客、視頻和《科技在你我之間》播客等技術(shù)內(nèi)容，深入探究了推動(dòng)環(huán)境傳感器發(fā)展成熟的技術(shù)和應(yīng)用，以及如何借助這些設(shè)備來(lái)打造室內(nèi)空氣質(zhì)量監(jiān)控解決方案。
2023-10-11
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具有可切換端接和遠(yuǎn)程喚醒功能的隔離信號(hào)和電源CAN FD
具有靈活數(shù)據(jù)速率的控制器局域網(wǎng)(CAN FD)支持更高帶寬通信，從而滿足工業(yè)自動(dòng)化、HVAC、農(nóng)業(yè)和醫(yī)療健康領(lǐng)域的多節(jié)點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用需求。圖1所示的電路通過(guò)與現(xiàn)有串行外設(shè)接口(SPI)總線連接，能夠在Arduino Uno型平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)高達(dá)8 Mbps的CAN FD總線連接數(shù)據(jù)速率。
2023-10-10
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通過(guò) SPICE 仿真預(yù)測(cè) VDS 開(kāi)關(guān)尖峰
電源行業(yè)的主要目標(biāo)之一是為數(shù)據(jù)中心和5G等應(yīng)用中的電源設(shè)備帶來(lái)更高的電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度。與具有單獨(dú)驅(qū)動(dòng)器 IC 的傳統(tǒng)分立 MOSFET 相比，將驅(qū)動(dòng)器電路和功率 MOSFET（稱(chēng)為 DrMOS）集成到 IC 中可提高功率密度和效率。
2023-10-07
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巧用降壓芯片生成負(fù)電壓及Vishay功率IC產(chǎn)品介紹
電子電路中負(fù)電壓需求有幾種，一種是隔離式的負(fù)電壓，在電力、通訊等對(duì)抗干擾性能要求較高的場(chǎng)合，需要隔離前端電源輸入的干擾，這個(gè)時(shí)候可以基于變壓器添加繞組來(lái)產(chǎn)生負(fù)電壓，或者也可以采用隔離式的電源模塊輸出負(fù)電壓給系統(tǒng)供電。另一種是非隔離式的負(fù)電壓，通過(guò)正輸入電壓，使用Charge Pump, Buck-Boost, Buck, Sepic 等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)電壓芯片等來(lái)產(chǎn)生負(fù)電源。
2023-09-26
- 利用運(yùn)動(dòng)喚醒功能優(yōu)化視覺(jué)系統(tǒng)的功耗
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)終裁確認(rèn)英諾賽科侵權(quán)
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻
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