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保護USB的電源開關(guān)設(shè)計方案
本文設(shè)計的USB電源開關(guān)采用自舉電荷泵，為N型功率管提供2倍于電源的柵驅(qū)動電壓。在負載出現(xiàn)異常時，過流保護電路能迅速限制功率管電流，以避免熱插拔對電路造成損壞。
2011-09-08
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實現(xiàn)智能手機USB 2.0端口共享的方案
典型的智能手機包含一個通信處理器、一個應用處理器和一個功率管理IC，它們都必需共享單個USB端口，并以480Mbps的高速USB數(shù)據(jù)速率進行通信。而很多移動設(shè)備需要許多信號處理集成電路（IC）以滿足用戶各種不同的功能要求。各種新奇的玩意兒正在讓智能手機變得越來越娛樂化，沒有更好的應用就會落后，市場銷售就不理想。本文介紹一些能夠解決該問題的方案，并對從USB集線器到簡單模擬開關(guān)的各種不同解決方案進行比較。
2011-07-21
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大功率電源模塊的散熱設(shè)計
用傳統(tǒng)的熱設(shè)計理論及經(jīng)驗公式對電源模塊內(nèi)的四個50W大功率管進行了散熱設(shè)計，應用熱分析軟件Icepak對理論計算進行了校核,并對方案進行了優(yōu)化設(shè)計。
2011-04-01
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MRFE6VP6300H：飛思卡爾推出R FLDMOS功率管用于推拉式或單端配置
飛思卡爾半導體推出一款R FLDMOS功率管，工作頻率為1.8至600MHz，最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300HFET是世界首款50V LDMOS晶體管，在電壓駐波比（VSWR）為65:1的負載中提供300W CW的全額定輸出功率。
2010-11-16
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數(shù)字控制技術(shù)
在一個電源系統(tǒng)中有許多地方可以采用數(shù)字技術(shù)，一個是電源內(nèi)部電路本身，還有就是在系統(tǒng)級實現(xiàn)功率管理和監(jiān)控功能。本文將針對第一種情況進行詳細討論。文中比較了板載電源(BMPS)的內(nèi)部控制功能采用數(shù)字技術(shù)和更傳統(tǒng)的模擬方法的系統(tǒng)級實現(xiàn)效果。
2010-08-31
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多媒體SOC的低功耗設(shè)計方法
本文對多媒體中視頻應用的編碼特征以及負載特性進行分析，從系統(tǒng)設(shè)計及優(yōu)化的層次，將功率管理模塊嵌入至多媒體SOC系統(tǒng)中。同時，將系統(tǒng)的運行狀態(tài)按不同的IP配置情況組合成一系列微狀態(tài)，在前人所做工作的基礎(chǔ)上，利用F-ARIMA模型預測負載，同時利用多媒體應用中衡量服務(wù)質(zhì)量的重要指標——最后期限缺失率(deadlinemissrate，DMR)作為反饋控制信息，兩者相結(jié)合的方式，實時調(diào)整多媒體SOC系統(tǒng)的運行狀態(tài)，實現(xiàn)移動多媒體SOC設(shè)計過程中的功耗優(yōu)化。
2010-07-12
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50V RF LDMOS：飛思卡爾推出高功率密度功率管
飛思卡爾半導體日前推出一款RF LDMOS功率管，工作頻率為1.8至600 MHz ，最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶體管，在電壓駐波比（VSWR）為65:1的負載中提供 300 W CW的全額定輸出功率。
2010-05-28
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飛兆半導體榮獲Power One戰(zhàn)略供應商大獎
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)榮獲Power One公司頒發(fā)戰(zhàn)略供應商獎項(Strategic Supplier Award)，Power One公司是數(shù)字電源技術(shù)(DPT)的領(lǐng)導廠商，提供可再生能源和高能效功率轉(zhuǎn)換及功率管理解決方案。
2010-05-20
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功率半導體發(fā)展趨勢
在過去的數(shù)年間，功率產(chǎn)品格局發(fā)生了最為重大的轉(zhuǎn)變，那就是功率半導體器件從用于諸如電動機、磁盤驅(qū)動器、電視線圈、熒光燈等的各種機電負載，向用于IC的純電子負載轉(zhuǎn)變。這種市場趨勢曾經(jīng)主要集中在功率半導體的產(chǎn)品創(chuàng)新，同時也創(chuàng)造了許多新的控制IC機會，從而誕生了一個新的代表性名詞來描述這種市場：功率管理。功率管理市場不僅巨大，而且正在不斷增長。 本文主要講述功率半導體發(fā)展趨勢
2010-02-18
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用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動及保護研究
絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動和高開關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅(qū)動器的設(shè)計進行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅(qū)動電路。
2008-10-02
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電磁爐igbt是什么？電磁爐損壞IGBT功率管主要原因分析
電磁爐igbt是什么？電磁爐損壞IGBT功率管主要原因分析
1970-01-01
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NPN三極管工作原理
NPN三極管具有壽命長、安全可靠、沒有機械磨損、開關(guān)速度快、體積小等特點。NPN三極管可以用很小的電流，控制大電流的通斷，有較廣泛的應用。小功率開關(guān)管可以用在電源電路、驅(qū)動電路、開關(guān)電路等；大功率管可用于彩色電視機、通信設(shè)備的開關(guān)電源；也可用于低頻功率放大電路、電流調(diào)整等；高反壓大功率開關(guān)管可用于彩色電視機行輸出管。
1970-01-01
- 意法半導體與高通達成無線物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)略合作
- 艾邁斯歐司朗ALIYOS? LED-on-foil技術(shù)重新定義汽車照明 兼顧前沿設(shè)計與便捷功能性
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