產(chǎn)品特性：

• 該MRFE6VP6300H還包含創(chuàng)新的靜電放電（ESD）保護(hù)技術(shù)
• 在電壓駐波比為65:1的負(fù)載中提供300 WCW的全額定輸出功率

應(yīng)用范圍：

• CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀
• 對(duì)應(yīng)用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用

飛思卡爾半導(dǎo)體日前推出一款RF LDMOS功率管，工作頻率為1.8至600 MHz ，最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應(yīng)用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS 晶體管，在電壓駐波比（VSWR）為65:1的負(fù)載中提供300WCW的全額定輸出功率。
 
當(dāng)射頻功率管生成的最大功率到達(dá)天線時(shí)，所有固態(tài)射頻功率放大器的運(yùn)行最有效。在理想條件下，這會(huì)產(chǎn)生1:1的VSWR，生成的全部額定功率都通過傳輸線到達(dá)負(fù)載，沒有任何額定功率反射回放大器。大部分應(yīng)用的VSWR水平很少超過2.5:1，而大部分RF功率管無論其采取什么技術(shù)，都可以處理5:1或10:1的VSWR。
 
但是，RF功率放大器用來點(diǎn)燃CO2 激光器和離子發(fā)生器或在MRI系統(tǒng)里生成電磁場，都會(huì)短暫出現(xiàn)生成的額定功率幾乎全部被反射回放大器的情況。這些異常情況給大部分RF功率管帶來了難題。
 
飛思卡爾新推出的MRFE6VP6300H產(chǎn)品主要針對(duì)這類應(yīng)用，能夠?qū)?00W滿CW輸出功率生成高達(dá) 65:1的VSWR。它是這個(gè)性能級(jí)別里唯一商用的50 V LDMOS晶體管產(chǎn)品。
 
飛思卡爾副總裁兼RF部門總經(jīng)理 Gavin Woods表示，“這一重要技術(shù)成果又一次顯示了飛思卡爾在RF功率市場始終保持行業(yè)第一的記錄。有了這款新晶體管，CO2激光器、等離子體發(fā)生器、磁共振成像掃描儀和其他工業(yè)設(shè)備的制造商可以獲得前所未有的穩(wěn)定性和射頻功率性能。”
 
MRFE6VP6300H可用于推拉式或單端配置，并放置在緊湊型NI780 - 4陶瓷封裝中。頻率為130兆赫時(shí)，該設(shè)備生成300W的CW輸出功率，增益為25分貝，效率達(dá)80%。

該MRFE6VP6300H還包含創(chuàng)新的靜電放電（ESD）保護(hù)技術(shù)，這不僅使它成為第三類功率器件，還支持大的柵源電壓范圍（-6V至+10 V），因而在高效模式（如C類）下運(yùn)行時(shí)能提高性能。